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题名HgCdTe材料的高深宽比干法刻蚀技术研究
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作者
赵传兴
何斌
牛佳佳
贾雄辉
徐港
李忠贺
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机构
山东大学集成电路学院
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出处
《激光与红外》
2025年第8期1242-1247,共6页
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文摘
本文研究了HgCdTe材料的高深宽比干法刻蚀技术,对分子束外延生长的异质结HgCdTe材料使用感应耦合等离子体刻蚀(ICP)进行像元隔离。对不同干法工艺条件下刻蚀的样品进行SEM表征,确定了刻蚀表面相对光滑的工艺条件。在此基础上,对不同刻蚀形貌的样品进行器件加工并结合IV测试表征,得到了刻蚀形貌、刻蚀损伤与电学特性的关系:刻蚀表面粗糙会导致钝化层覆盖不均匀,使得HgCdTe与钝化层界面存在陷阱能级,导致器件暗电流增加,降低器件品质因数;刻蚀损伤过大会使Hg-Te化合键断裂,Hg填隙原子增加,使得n型HgCdTe参杂浓度上升,空间电荷区宽度变小,内建电场强度变高,反向击穿电压下降。最后,优化侧壁刻蚀形貌、降低刻蚀损伤后,制备了电学特性优异的红外光电探测器器件。
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关键词
碲镉汞
ICP干法刻蚀
高深宽比台面刻蚀
扫描电镜
IV测试
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Keywords
HgCdTe
ICP dry etch
high-aspect-ratio mesa dry-etching
SEM
IV test
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分类号
TN304.25
[电子电信]
TN305.7
[电子电信—物理电子学]
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