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ICP深硅刻蚀工艺研究
被引量：
21
1
作者
许高斌
皇华
+4 位作者
展明浩
黄晓莉
王文靖
胡潇
陈兴
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第8期832-835,共4页
感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术是微机电系统器件加工中的关键技术之一。利用英国STS公司STS Multiplex刻蚀机,研究了ICP刻蚀中极板功率、腔室压力、刻蚀/钝化周期、气体流量等工艺参数对刻蚀形貌的影响,分析了刻蚀速率和侧壁垂直度的...
感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术是微机电系统器件加工中的关键技术之一。利用英国STS公司STS Multiplex刻蚀机,研究了ICP刻蚀中极板功率、腔室压力、刻蚀/钝化周期、气体流量等工艺参数对刻蚀形貌的影响,分析了刻蚀速率和侧壁垂直度的影响原因,给出了深硅刻蚀、侧壁光滑陡直刻蚀和高深宽比刻蚀等不同形貌刻蚀的优化工艺参数。
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关键词
感应耦合等离子体
刻蚀
深硅
刻蚀
侧壁光滑陡直
刻蚀
高深宽比刻蚀
工艺参数
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职称材料
HgCdTe材料的高深宽比干法刻蚀技术研究
2
作者
赵传兴
何斌
+3 位作者
牛佳佳
贾雄辉
徐港
李忠贺
《激光与红外》
2025年第8期1242-1247,共6页
本文研究了HgCdTe材料的高深宽比干法刻蚀技术,对分子束外延生长的异质结HgCdTe材料使用感应耦合等离子体刻蚀(ICP)进行像元隔离。对不同干法工艺条件下刻蚀的样品进行SEM表征,确定了刻蚀表面相对光滑的工艺条件。在此基础上,对不同刻...
本文研究了HgCdTe材料的高深宽比干法刻蚀技术,对分子束外延生长的异质结HgCdTe材料使用感应耦合等离子体刻蚀(ICP)进行像元隔离。对不同干法工艺条件下刻蚀的样品进行SEM表征,确定了刻蚀表面相对光滑的工艺条件。在此基础上,对不同刻蚀形貌的样品进行器件加工并结合IV测试表征,得到了刻蚀形貌、刻蚀损伤与电学特性的关系:刻蚀表面粗糙会导致钝化层覆盖不均匀,使得HgCdTe与钝化层界面存在陷阱能级,导致器件暗电流增加,降低器件品质因数;刻蚀损伤过大会使Hg-Te化合键断裂,Hg填隙原子增加,使得n型HgCdTe参杂浓度上升,空间电荷区宽度变小,内建电场强度变高,反向击穿电压下降。最后,优化侧壁刻蚀形貌、降低刻蚀损伤后,制备了电学特性优异的红外光电探测器器件。
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关键词
碲镉汞
ICP干法
刻蚀
高深
宽比
台面
刻蚀
扫描电镜
IV测试
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职称材料
硅基MEMS加工技术及其标准工艺研究
被引量：
41
3
作者
王阳元
武国英
+5 位作者
郝一龙
张大成
肖志雄
李婷
张国炳
张锦文
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第11期1577-1584,共8页
本文论述了硅基MEMS标准工艺 ,其中包括三套体硅标准工艺和一套表面牺牲层标准工艺 .深入地研究了体硅工艺和表面牺牲层工艺中的关键技术 .体硅工艺主要进行了以下研究 :硅 /硅键合、硅 /镍 /硅键合、硅 /玻璃键合工艺及其优化 ;研究了...
本文论述了硅基MEMS标准工艺 ,其中包括三套体硅标准工艺和一套表面牺牲层标准工艺 .深入地研究了体硅工艺和表面牺牲层工艺中的关键技术 .体硅工艺主要进行了以下研究 :硅 /硅键合、硅 /镍 /硅键合、硅 /玻璃键合工艺及其优化 ;研究了高深宽比刻蚀工艺、优化了工艺条件 ;解决了高深宽比刻蚀中的Lag效应 ;开发了复合掩膜高深宽比多层硅台阶刻蚀和单一材料掩膜高深宽比多层硅台阶刻蚀工艺研究 .表面牺牲层工艺主要进行了下列研究 :多晶硅薄膜应力控制工艺 ;
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关键词
硅基
MEMS标准工艺
高深宽比刻蚀
键合
多晶硅
应力
防粘附
微机电系统
半导体
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职称材料
题名
ICP深硅刻蚀工艺研究
被引量：
21
1
作者
许高斌
皇华
展明浩
黄晓莉
王文靖
胡潇
陈兴
机构
合肥工业大学电子科学与应用物理学院安徽省MEMS工程技术研究中心
中国兵器工业集团北方通用电子集团有限公司
出处
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第8期832-835,共4页
基金
国家"863"计划(2013AA041101)
安徽省科技攻关计划项目(No.10120106005)
文摘
感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术是微机电系统器件加工中的关键技术之一。利用英国STS公司STS Multiplex刻蚀机,研究了ICP刻蚀中极板功率、腔室压力、刻蚀/钝化周期、气体流量等工艺参数对刻蚀形貌的影响,分析了刻蚀速率和侧壁垂直度的影响原因,给出了深硅刻蚀、侧壁光滑陡直刻蚀和高深宽比刻蚀等不同形貌刻蚀的优化工艺参数。
关键词
感应耦合等离子体
刻蚀
深硅
刻蚀
侧壁光滑陡直
刻蚀
高深宽比刻蚀
工艺参数
Keywords
ICP etching
Deep silicon etching
Smooth and steep sidewall etching
High aspect ratio etching
Process parameters
分类号
TN405.98 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
HgCdTe材料的高深宽比干法刻蚀技术研究
2
作者
赵传兴
何斌
牛佳佳
贾雄辉
徐港
李忠贺
机构
山东大学集成电路学院
出处
《激光与红外》
2025年第8期1242-1247,共6页
文摘
本文研究了HgCdTe材料的高深宽比干法刻蚀技术,对分子束外延生长的异质结HgCdTe材料使用感应耦合等离子体刻蚀(ICP)进行像元隔离。对不同干法工艺条件下刻蚀的样品进行SEM表征,确定了刻蚀表面相对光滑的工艺条件。在此基础上,对不同刻蚀形貌的样品进行器件加工并结合IV测试表征,得到了刻蚀形貌、刻蚀损伤与电学特性的关系:刻蚀表面粗糙会导致钝化层覆盖不均匀,使得HgCdTe与钝化层界面存在陷阱能级,导致器件暗电流增加,降低器件品质因数;刻蚀损伤过大会使Hg-Te化合键断裂,Hg填隙原子增加,使得n型HgCdTe参杂浓度上升,空间电荷区宽度变小,内建电场强度变高,反向击穿电压下降。最后,优化侧壁刻蚀形貌、降低刻蚀损伤后,制备了电学特性优异的红外光电探测器器件。
关键词
碲镉汞
ICP干法
刻蚀
高深
宽比
台面
刻蚀
扫描电镜
IV测试
Keywords
HgCdTe
ICP dry etch
high-aspect-ratio mesa dry-etching
SEM
IV test
分类号
TN304.25 [电子电信]
TN305.7 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
硅基MEMS加工技术及其标准工艺研究
被引量：
41
3
作者
王阳元
武国英
郝一龙
张大成
肖志雄
李婷
张国炳
张锦文
机构
北京大学微电子研究院
出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第11期1577-1584,共8页
基金
国家重大基础研究项目 (973) (No G1 9990 331 0 9
G1 9990 331 0 8)
文摘
本文论述了硅基MEMS标准工艺 ,其中包括三套体硅标准工艺和一套表面牺牲层标准工艺 .深入地研究了体硅工艺和表面牺牲层工艺中的关键技术 .体硅工艺主要进行了以下研究 :硅 /硅键合、硅 /镍 /硅键合、硅 /玻璃键合工艺及其优化 ;研究了高深宽比刻蚀工艺、优化了工艺条件 ;解决了高深宽比刻蚀中的Lag效应 ;开发了复合掩膜高深宽比多层硅台阶刻蚀和单一材料掩膜高深宽比多层硅台阶刻蚀工艺研究 .表面牺牲层工艺主要进行了下列研究 :多晶硅薄膜应力控制工艺 ;
关键词
硅基
MEMS标准工艺
高深宽比刻蚀
键合
多晶硅
应力
防粘附
微机电系统
半导体
Keywords
MEMS standard process
high aspect ratio
bonding
polysilicon
stress
anti stiction
分类号
TN305 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
ICP深硅刻蚀工艺研究
许高斌
皇华
展明浩
黄晓莉
王文靖
胡潇
陈兴
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013
21
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
HgCdTe材料的高深宽比干法刻蚀技术研究
赵传兴
何斌
牛佳佳
贾雄辉
徐港
李忠贺
《激光与红外》
2025
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职称材料
3
硅基MEMS加工技术及其标准工艺研究
王阳元
武国英
郝一龙
张大成
肖志雄
李婷
张国炳
张锦文
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002
41
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职称材料
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