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高效率E类射频功率放大器 被引量:4
1
作者 郝允群 庄奕琪 李小明 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第2期74-76,79,共4页
研究了E类RF放大器的电路结构、工作原理、存在问题以及解决的方法──差分和交叉耦合反馈结构,最后给出了E类放大器的实例。由于具有低成本、高集成度、多功用等优点,MOS工艺在射频功率放大方面有很大的发展潜力。在本文中,用0.6μmCMO... 研究了E类RF放大器的电路结构、工作原理、存在问题以及解决的方法──差分和交叉耦合反馈结构,最后给出了E类放大器的实例。由于具有低成本、高集成度、多功用等优点,MOS工艺在射频功率放大方面有很大的发展潜力。在本文中,用0.6μmCMOS工艺实现了E类放大器的设计。 展开更多
关键词 高效率e类射频功率放大器 功率放大器 eRF放大器 电路结构 工作原理 交叉耦合
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1.25GHz高效率F类射频功率放大器 被引量:5
2
作者 李玉龙 宋树祥 +1 位作者 岑明灿 蒋品群 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2015年第10期143-146,共4页
传统F类射频功放由于功放管寄生参数影响造成LC输出匹配电路二阶阻抗不为零而导致效率下降,对此采用补偿功放管寄生参数和优化调节二次谐波阻抗的方法,设计了一款结构可调而稳定的输出回路单元,获得了较高的效率和带宽.经过ADS仿真验证... 传统F类射频功放由于功放管寄生参数影响造成LC输出匹配电路二阶阻抗不为零而导致效率下降,对此采用补偿功放管寄生参数和优化调节二次谐波阻抗的方法,设计了一款结构可调而稳定的输出回路单元,获得了较高的效率和带宽.经过ADS仿真验证后得知,功率放大器工作在1.25GHz时,该功率附加效率达到74.3%以上,输出功率为47.6dBm,带宽为240 MHz. 展开更多
关键词 功率放大器 F 效率 ADS 寄生参数
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射频E类功率放大器并联电容技术研究 被引量:2
3
作者 甘军宁 张万荣 +3 位作者 谢红云 何莉剑 李佳 沈珮 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第4期333-335,359,共4页
为了使E类放大器工作效率最大,需要得到并联电容的确切数值。分析了含线性并联电容E类放大器的和含非线性晶体管寄生输出电容E类放大器的不同特性,给出了不同的设计方法。指出了E类功率放大器设计过程中分析和计算并联电容的难点,阐述了... 为了使E类放大器工作效率最大,需要得到并联电容的确切数值。分析了含线性并联电容E类放大器的和含非线性晶体管寄生输出电容E类放大器的不同特性,给出了不同的设计方法。指出了E类功率放大器设计过程中分析和计算并联电容的难点,阐述了E类功率放大器中并联电容对电路性能的影响,同时给出了考虑并联电容的E类功率放大器的设计方法。 展开更多
关键词 功率放大器 e 并联电容
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高线性度CMOS射频AB类功率放大器设计 被引量:2
4
作者 陈晓飞 沈军 +1 位作者 张力 林双喜 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2014年第6期145-148,共4页
CMOS射频AB类功率放大器广泛应用于单片集成无线芯片内.采用恒定最大电流的方法对其效率进行分析,采用归一化输入电压的方法对其线性度进行分析.利用AB类功率放大器系统增益的非线性与CMOS跨导非线性相互补偿,提高了CMOS射频AB类放大器... CMOS射频AB类功率放大器广泛应用于单片集成无线芯片内.采用恒定最大电流的方法对其效率进行分析,采用归一化输入电压的方法对其线性度进行分析.利用AB类功率放大器系统增益的非线性与CMOS跨导非线性相互补偿,提高了CMOS射频AB类放大器的线性度.基于TSMC 0.18μm CMOS混合信号工艺,设计了一款两级射频AB类功率放大器.该射频功率放大器差动输入,单端输出,工作频段为804~940MHz,工作电压为3V.仿真指标为:增益为11dB,输出1dB压缩点为17.2dBm,OIP3为18.2dBm,附加效率为37%. 展开更多
关键词 AB 功率放大器 CMOS 线性度 效率
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CMOS伪差分E类射频功率放大器设计 被引量:3
5
作者 罗志聪 黄世震 《电子科技》 2010年第10期49-52,共4页
分析了E类功放的非理想因素,其中着重分析寄生电感对系统性能的影响,采用伪差分E类功放结构有效地抑制寄生电感的影响。最后基于理想的设计方程和LoadPull技术,采用0.18μmCMOS工艺,设计出高效率的差分E类功率放大器。在电源电压1.8V,温... 分析了E类功放的非理想因素,其中着重分析寄生电感对系统性能的影响,采用伪差分E类功放结构有效地抑制寄生电感的影响。最后基于理想的设计方程和LoadPull技术,采用0.18μmCMOS工艺,设计出高效率的差分E类功率放大器。在电源电压1.8V,温度25℃,输入信号0dBm条件下,具有最大输出功率26.1dBm,PAE为60.2%。 展开更多
关键词 伪差分e 功率放大器 Loadpull技术 寄生电感 CMOS
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高效率开关F_3/E类功率放大器
6
作者 曹韬 吕立明 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第9期715-719,共5页
介绍了一种高效F3/E类功率放大器的设计方法,该放大器将F类功率放大器的谐波控制电路引入逆E类功率放大器的负载网络,以改善放大器性能。此电路结构提升了放大器的功率输出能力,降低了电路对功率放大器管器件漏极耐压特性的要求,增强了... 介绍了一种高效F3/E类功率放大器的设计方法,该放大器将F类功率放大器的谐波控制电路引入逆E类功率放大器的负载网络,以改善放大器性能。此电路结构提升了放大器的功率输出能力,降低了电路对功率放大器管器件漏极耐压特性的要求,增强了器件工作时的安全性。详细阐述了该放大器的设计过程,并给出了负载网络各器件的最佳设计取值方程。选用GaNHEMT器件研制了S频段F3/E类功率放大器测试电路。实测结果表明该放大器在驱动功率为27 dBm时,可获得40.3 dBm的输出功率,具有13.3 dB增益,工作效率高达78.1%,功率附加效率为75.2%。实测结果与仿真结果吻合,验证了设计方法的正确性。 展开更多
关键词 e功率放大器 F功率放大器 效率 GAN 谐波抑制
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1.8GHz CMOS高效率E类功率放大器 被引量:2
7
作者 杜春山 陈常勇 刘章发 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第8期703-706,共4页
电子产品的低功耗设计已成为研究的热点,低功耗、高效率功率放大器已成为降低系统功耗的关键所在。E类功率放大器是一种开关模式的功率放大器,理论上可以达到100%的漏极效率,具有广泛的应用前景。论述了用标准CMOS工艺实现高效率E类功... 电子产品的低功耗设计已成为研究的热点,低功耗、高效率功率放大器已成为降低系统功耗的关键所在。E类功率放大器是一种开关模式的功率放大器,理论上可以达到100%的漏极效率,具有广泛的应用前景。论述了用标准CMOS工艺实现高效率E类功率放大器所面临的诸多挑战以及一些相应的解决措施,并以0.18μm CMOS工艺设计了包含驱动级的两级结构的E类功率放大器。Spectre仿真结果表明,所设计的功率放大器在+25.5 dBm的输出功率时,具有52.8%的功率附加效率。 展开更多
关键词 e功率放大器 效率 开关功率放大器
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S波段高效GaN逆E类功率放大器 被引量:7
8
作者 曹韬 刘友江 +1 位作者 曾荣 吕立明 《微波学报》 CSCD 北大核心 2011年第4期49-52,56,共5页
介绍一种高效逆E类功率放大器的设计方法,并选用GaN器件设计了工作于2.3GHz的逆E类功率放大器。当供电26V,输入功率26dBm时,放大器输出功率40.2dBm,工作效率76.1%,PAE为73.3%。提供了详尽的仿真与实测数据并对放大器性能进行分析。用数... 介绍一种高效逆E类功率放大器的设计方法,并选用GaN器件设计了工作于2.3GHz的逆E类功率放大器。当供电26V,输入功率26dBm时,放大器输出功率40.2dBm,工作效率76.1%,PAE为73.3%。提供了详尽的仿真与实测数据并对放大器性能进行分析。用数字预失真技术对逆E类功率放大器进行线性化校正并取得了良好的效果。 展开更多
关键词 e功率放大器 效率 GAN 数字预失真
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一种E类高效GaN HEMT功率放大器设计 被引量:5
9
作者 严继进 蔡斐 《电子科技》 2016年第2期134-136,共3页
功率附加效率是现代无线通信系统中一个重要的指标,较高的效率会大幅提高无线通信系统的运行时间,增强电池的续航能力,提高能源利用率,对移动通讯设备和移动安防设备而言,这几点尤为重要。文中以一款GaN HEMT功率放大器为基础,设计了一... 功率附加效率是现代无线通信系统中一个重要的指标,较高的效率会大幅提高无线通信系统的运行时间,增强电池的续航能力,提高能源利用率,对移动通讯设备和移动安防设备而言,这几点尤为重要。文中以一款GaN HEMT功率放大器为基础,设计了一种简洁有效的E类功率放大器,用负载牵引技术和谐振器提高了器件的功率附加效率,在120~200 MHz近一个倍频程的工作频带内,实测功率附加效率均约达到74%,增益和输出功率分别约为13 dB和40 dBm。 展开更多
关键词 GAN电子迁移率晶体管 e功率放大器 负载牵引 功率附加效率
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一种宽禁带器件的高效E类功率放大器设计 被引量:2
10
作者 安士全 曹锐 《中国电子科学研究院学报》 2012年第2期212-215,共4页
E类功率放大器是一种新型高效率放大器,属于开关模式功率放大器,其理论效率可以达到100%。可用于雷达、通信和电子对抗等领域的末级功率放大器,是系统高效率、高功率和小型化功率放大器的重要途径。通过分析其工作原理,设计了一款L波段... E类功率放大器是一种新型高效率放大器,属于开关模式功率放大器,其理论效率可以达到100%。可用于雷达、通信和电子对抗等领域的末级功率放大器,是系统高效率、高功率和小型化功率放大器的重要途径。通过分析其工作原理,设计了一款L波段高效E类功率放大器,输出功率大于10 W,实际漏极效率达到74.8%。 展开更多
关键词 e功率放大器 宽禁带 谐波抑制 效率
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输入端谐波抑制的高效E类宽禁带功率放大器 被引量:1
11
作者 曹锐 安士全 《合肥工业大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2012年第2期201-204,共4页
文章提出对E类功率放大器进行谐波抑制的改进设计方法,有效利用输入端信号功率,从而提高功放的功率附加效率;分析了E类功率放大器的工作原理,结合新型宽禁带功率器件利用ADS软件进行了电路仿真设计,并对实际放大器电路进行了实际测试。... 文章提出对E类功率放大器进行谐波抑制的改进设计方法,有效利用输入端信号功率,从而提高功放的功率附加效率;分析了E类功率放大器的工作原理,结合新型宽禁带功率器件利用ADS软件进行了电路仿真设计,并对实际放大器电路进行了实际测试。结果表明,对输入端谐波抑制的改进可以使功率放大器在1.1~1.3GHz频段内输出功率保持在10W以上,功率附加效率达到了79.6%,比改进前E类功率放大器的效率有了明显的提高。 展开更多
关键词 e功率放大器 宽禁带 谐波抑制 效率
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射频高效率功率放大器探究 被引量:4
12
作者 孔宪辉 《通信电源技术》 2019年第5期60-61,63,共3页
随着无线通信系统的持续升级,对射频功率放大器的实际效率提出了全新要求。因此,研究了有效提升射频功率放大器效率的方法。
关键词 效率功率放大器 无线通信 实验
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L波段高效率射频功率放大器的设计与仿真
13
作者 杨小川 《数字技术与应用》 2014年第11期176-181,共6页
射频功率放大器是无线通信系统中的重要组成部分,其工作效率直接影响着整个系统的耗能、稳定度和对电源散热装置的要求,提高射频功率放大器的效率,能够节约能源,降低功耗,因此实现射频功率放大器的高效率工作是目前射频功率放大器领域... 射频功率放大器是无线通信系统中的重要组成部分,其工作效率直接影响着整个系统的耗能、稳定度和对电源散热装置的要求,提高射频功率放大器的效率,能够节约能源,降低功耗,因此实现射频功率放大器的高效率工作是目前射频功率放大器领域的热点问题之一。本文选用Freescale晶体管MW6S004N,借助ADS2013软件,采用负载牵引技术和源牵引技术得到最佳负载阻抗和最佳源阻抗,并用Smith圆图进行电路的匹配设计,对射频功率放大器进行了仿真和优化。仿真结果表明,在频率为1960MHz的L波段,输入功率为21d Bm时,射频功率放大器的输出功率大于36d Bm,功率附加效率大于50%。这种高效率射频功率放大器适用于WCDMA基站,对基站中高效率功率放大器的设计有着重要的参考价值。 展开更多
关键词 功率放大器 L波段 效率 ADS2013
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短波跨倍频程超宽带E类功率放大器设计 被引量:2
14
作者 高凯仑 叶焱 +2 位作者 刘太君 许高明 陆云龙 《数据通信》 2020年第1期3-6,17,共5页
本文基于CREE公司GaN HEMT功放管CGH40025F设计了一款短波跨倍频程超宽带E类功率放大器。实测结果表明其在1.6~175MHz宽带范围内其PAE均在60%以上,最大可达74.3%;输出功率在43.2~44.09dBm;增益均大于15dB,且其增益平坦度在±1dB以... 本文基于CREE公司GaN HEMT功放管CGH40025F设计了一款短波跨倍频程超宽带E类功率放大器。实测结果表明其在1.6~175MHz宽带范围内其PAE均在60%以上,最大可达74.3%;输出功率在43.2~44.09dBm;增益均大于15dB,且其增益平坦度在±1dB以内。可较好的覆盖整个短波通信频段,在不依赖于中继基站、远距离短波通信系统的应用中具有十分重要的价值。 展开更多
关键词 GaN 跨倍程超宽带 e功率放大器 短波通信
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微带线E类功率放大器的设计与实现 被引量:3
15
作者 郝新慧 纪学军 《无线电通信技术》 2007年第3期39-41,共3页
E类功率放大器作为开关模式放大器一种,其理想效率为100%。一种简单微带线拓扑网络的E类功率放大器被提出,这种微带线负载网络不仅满足E类功率放大器工作模式的特殊要求,而且对高次谐波有很好的抑制性,同时通过增加合适的偏置微带线可... E类功率放大器作为开关模式放大器一种,其理想效率为100%。一种简单微带线拓扑网络的E类功率放大器被提出,这种微带线负载网络不仅满足E类功率放大器工作模式的特殊要求,而且对高次谐波有很好的抑制性,同时通过增加合适的偏置微带线可以拓宽放大器的工作带宽。采用ADS软件仿真电路,并在1GHz频率点电路实现了输出功率为4W,漏极效率为73.4%,其中漏极效率效率在63%以上的电路带宽为200MHz。 展开更多
关键词 e功率放大器 效率 ADS 微带线
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LDMOS管并联电容提取及E类功率放大器设计
16
作者 廖仲禹 朱晓维 徐樱杰 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2009年第4期499-504,共6页
研制了2.14GHz频段横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管的高效率E类功率放大器。采用并联谐振法结合ADS软件仿真提取出管子的关键参数Cds,并在此基础上进行电路仿真,设计了馈电网络和负载匹配网络,有效抑制谐波分量。给出了功率放大... 研制了2.14GHz频段横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管的高效率E类功率放大器。采用并联谐振法结合ADS软件仿真提取出管子的关键参数Cds,并在此基础上进行电路仿真,设计了馈电网络和负载匹配网络,有效抑制谐波分量。给出了功率放大器的实验结果,输出功率达到38.55dBm时,附加效率达到64.1%,与仿真结果吻合良好。 展开更多
关键词 e 效率 功率放大器 横向扩散金属氧化物半导体
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逆F高功率高效率饱和功率放大器 被引量:1
17
作者 白云芳 《集成电路应用》 2018年第8期33-36,共4页
射频功率放大器应用范围比较广,关键指标为功率和效率,逆F类型功率放大器利用谐波阻抗控制,可以做到高功率,高效率。利用多工艺的联合仿真,使功率和效率做到仿真和测试的更好拟合,这将大大节省产品的开发。
关键词 功率放大器 效率 逆F 负载牵引 谐波阻抗控制
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数字化双模高效率射频功率源
18
作者 李亚东 赵二刚 +2 位作者 俞梅 卫娜 张建军 《电子技术应用》 2019年第6期15-18,22,共5页
射频功率源作为射频电源系统的核心组件之一,其频率固定、转换效率低下,已经成为了制约射频电源系统发展的瓶颈。针对这一问题,提出了射频功率源在双频率工作模式之间自由切换的设计方案。采用直接数字式频率合成器(Direct Digital Synt... 射频功率源作为射频电源系统的核心组件之一,其频率固定、转换效率低下,已经成为了制约射频电源系统发展的瓶颈。针对这一问题,提出了射频功率源在双频率工作模式之间自由切换的设计方案。采用直接数字式频率合成器(Direct Digital Synthesizer,DDS)作为射频信号源,选用德国IXYS公司的MOSFTE完成小信号的放大,提高了输出频率稳定度和转换效率;采用并联电感的方法降低了开关时的功率损耗;利用数控式选择开关切换选频网络,从而实现系统在双频率下的适配。同时对提出的方案及理论进行Multisim仿真验证。经过实物测试,该射频功率源可以在300 W额定功率下实现13.56 MHz和27.12 MHz双频率选择输出,转换效率能够达到90.1%。 展开更多
关键词 功率 e放大器 模式
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飞兆推出3×3mm双频带3GRF功率放大器模块
19
《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第6期82-82,共1页
飞兆半导体公司推出PowerEdge双频带(WCDMA/UMTS)RF功率放大器模块(PAM) RMPA2265,可将效率(PAE)提高至42%。该器件可满足当今3G手机、PDA和无线PC数据卡等产品设计对射频功放高效率、灵活的频率特性和更小尺寸的要求,并且符合新兴... 飞兆半导体公司推出PowerEdge双频带(WCDMA/UMTS)RF功率放大器模块(PAM) RMPA2265,可将效率(PAE)提高至42%。该器件可满足当今3G手机、PDA和无线PC数据卡等产品设计对射频功放高效率、灵活的频率特性和更小尺寸的要求,并且符合新兴高速下行链路分组接入(HSDPA)标准。据介绍,飞兆半导体的RMPA2265是第一个采用3×3mmLCC封装,可于1850-1910MHz和1920-1980MHz两个频带工作的3G射频放大器模块。 展开更多
关键词 功率放大器模块 推出 POWeReDGe 飞兆半导体公司 放大器 3G手机 功放 产品设计 率特性 下行链路 可满足 效率 PDA 小尺寸 器件 无线 封装
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E类射频调谐功放的分析与设计
20
作者 刘宝华 《电声技术》 北大核心 2001年第4期26-29,共4页
介绍了E类调谐功放的主要特点,提出一种分析与设计的新方法,实验结果与理论分析基本相符。
关键词 e调谐 电路设计 功率放大器
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