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高效率音频功率放大器的设计 被引量：1
1
作者 谭本军 《消费电子》 2013年第14期3-4,共2页
本文是基于高效率的音频功率放大器出发，从功放类型的选择，D类功放的构成、PWM调制原理及具体电路的设计等多方面进行了具体的设计分析，并具体制作，设计调试效果理想，是一款很理想的音频功率放大器。
关键词 高效率 音频 功率放大器 PWM调制
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基于D类放大的高效率音频功率放大器设计
2
作者 时东阳 《消费电子》 2021年第9期51-52,共2页
当前D类放大器芯片的功率形式具有多元化的特点,且被广泛应用在各个领域中,合理分析其原理并研究设计模式具有重要意义。因此本文研究基于D类放大的高效率音频功率放大器整体架构设计,分析设计的措施,提出整体方案设计建议、强化软件系... 当前D类放大器芯片的功率形式具有多元化的特点,且被广泛应用在各个领域中,合理分析其原理并研究设计模式具有重要意义。因此本文研究基于D类放大的高效率音频功率放大器整体架构设计,分析设计的措施,提出整体方案设计建议、强化软件系统设计建议和前置放大电路的设计建议,旨在为相关放大器的普及运用提供帮助。 展开更多
关键词 基于D类放大 高效率音频功率放大器 设计
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X波段宽带高效率连续类功率放大器芯片设计
3
作者 刘涵潇 喻忠军 +1 位作者 范景鑫 张德生 《电子技术应用》 2025年第3期39-43,共5页
为提高功率放大器的带宽和效率,基于0.25μm GaAs pHEMT ED工艺,通过控制输出级二次谐波阻抗进行波形控制,实现连续B/J类波形,设计了一款单片集成的X波段高效率连续B/J类功率放大器。放大器由两级构成,驱动级使用增强型晶体管实现高增益... 为提高功率放大器的带宽和效率,基于0.25μm GaAs pHEMT ED工艺,通过控制输出级二次谐波阻抗进行波形控制,实现连续B/J类波形,设计了一款单片集成的X波段高效率连续B/J类功率放大器。放大器由两级构成,驱动级使用增强型晶体管实现高增益,输出级使用耗尽型晶体管实现高效率与瓦级的输出功率。仿真结果显示,该功率放大器在7.3~12.2 GHz的频带内实现了29~30.6 dBm的输出功率,功率增益为17~18.6 dB,功率附加效率大于50%,峰值效率为59%,输入回波损耗小于10 dB,芯片尺寸仅为2.1 mm×1.3 mm。 展开更多
关键词 功率放大器 高效率 X波段 连续类 单片微波集成电路
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基于简易实频技术的宽带高效率功率放大器设计
4
作者 石金辉 王斌 《电子器件》 CAS 2024年第3期610-616,共7页
为了满足5G通信系统对功率放大器带宽和效率的要求,基于CGH40010F晶体管,采用简易实频技术,设计了一款工作在n77频段(3.3 GHz~4.2 GHz)的宽带高效率功率放大器。首先采用负载牵引的方法对各频点的基波最佳阻抗值以及二次谐波阻抗空间进... 为了满足5G通信系统对功率放大器带宽和效率的要求,基于CGH40010F晶体管,采用简易实频技术,设计了一款工作在n77频段(3.3 GHz~4.2 GHz)的宽带高效率功率放大器。首先采用负载牵引的方法对各频点的基波最佳阻抗值以及二次谐波阻抗空间进行提取,选择简易实频技术设计宽带匹配网络,在其仿真性能良好的前提下,进行了加工测试。测试结果表明,该功率放大器在3.3 GHz~4.2 GHz频段内,漏极效率为58.1%~64.5%,增益为11.1 dB~12.9 dB,饱和输出功率为39.6 dBm~41.3 dBm。该功率放大器的性能良好,且带宽和效率具有一定的优势,可为后续宽带高效率功率放大器的设计提供参考。 展开更多
关键词 功率放大器 简易实频技术 宽带 高效率
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V波段2W高效率GaN功率放大器MMIC的研制 被引量：1
5
作者 高茂原 《通讯世界》 2024年第6期10-12,共3页
由于氮化镓(GaN)具有高功率密度特性,因此GaN功率放大器在毫米波领域得到快速发展,其性能不断提升。基于此,采用0.13μm GaN工艺,研制了一款V波段高效率的GaN功率放大器单片微波集成电路(MMIC),对0.13μm GaN工艺和器件进行阐述。对功... 由于氮化镓(GaN)具有高功率密度特性,因此GaN功率放大器在毫米波领域得到快速发展,其性能不断提升。基于此,采用0.13μm GaN工艺,研制了一款V波段高效率的GaN功率放大器单片微波集成电路(MMIC),对0.13μm GaN工艺和器件进行阐述。对功率放大器设计和制作进行研究,包括功率放大器的架构、电路实现以及功率合成和版图实现,并对功率放大器进行测试和结果分析,包括小信号特性和大信号特性。该功率放大器在40 GHz~75 GHz频段内,其饱和输出功率大于2 W,附加效率大于15%,功率增益大于18 dB,可广泛应用于毫米波雷达和通信领域。 展开更多
关键词 V波段 高功率 高效率 功率放大器 MMIC
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一种V波段高效率5W GaN功率放大器MMIC
6
作者 高哲 范一萌 万悦 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第4期360-364,共5页
基于0.13μm SiC基GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺,设计了一款V波段GaN功率放大器单片微波集成电路(MMIC)。该功率放大器MMIC采用三级放大拓扑结构以满足增益需求;使用高低阻抗微带传输线进行阻抗匹配,通过威尔金森功分器/合成器完成... 基于0.13μm SiC基GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺,设计了一款V波段GaN功率放大器单片微波集成电路(MMIC)。该功率放大器MMIC采用三级放大拓扑结构以满足增益需求;使用高低阻抗微带传输线进行阻抗匹配,通过威尔金森功分器/合成器完成功率放大器的末端功率合成;通过对晶体管宽长比的设计与多胞晶体管的合成,实现了功率放大器的高功率稳定工作和高效率输出。经过测试,在59~61 GHz频率范围内,在占空比为20%、脉宽为100μs时,该功率放大器MMIC的饱和输出功率达到37 dBm以上,功率附加效率(PAE)大于21.1%,功率增益大于17 dB;连续波测试条件下输出功率大于36.8 dBm, PAE大于21%。该设计在输出功率和PAE上具有一定的优势。 展开更多
关键词 V波段 功率放大器 单片微波集成电路(MMIC) 高效率 功率合成
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一种双频高效率滤波功率放大器设计
7
作者 魏正华 叶小兰 《空天预警研究学报》 CSCD 2024年第4期304-308,共5页
为了解决无线终端难以选择无线工作频率发射信号以及发射机对带外信号抑制不足的难题,设计一种具有二次谐波抑制的双频高效率滤波功率放大器,提出了双功能双频阻抗控制器和双频滤波阻抗变换器的结构及设计方法,通过解析计算方式获取了... 为了解决无线终端难以选择无线工作频率发射信号以及发射机对带外信号抑制不足的难题,设计一种具有二次谐波抑制的双频高效率滤波功率放大器,提出了双功能双频阻抗控制器和双频滤波阻抗变换器的结构及设计方法,通过解析计算方式获取了该结构的全部设计参数.电磁仿真结果表明,工作频率为1.785GHz和2.415GHz的输出功率分别为40.8dBm和40.1dBm,漏极效率分别为62.9%和60.8%,增益分别为10.8dB和10.1dB,在二次谐波频率3.57GHz和4.83GHz的抑制分别达到43.7dBc和69.7dBc. 展开更多
关键词 双频 阻抗变换器 高效率 谐波控制 功率放大器
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基于扩展连续B/J类的带宽增强功率放大器设计
8
作者 杨正好 程知群 +4 位作者 贾民仕 王坤 钟保全 朱浙鸣 李冰鑫 《微波学报》 北大核心 2025年第1期10-15,25,共7页
介绍了一种基于扩展连续B/J类模式的宽带高效率功率放大器的设计。提出了一种带宽增强双路径阻抗匹配技术,将连续的B/J类模式进行扩展,以实现电阻性二次谐波阻抗为设计目标,并与带宽可扩展的双枝节调谐网络相结合,通过同时操纵4个频率点... 介绍了一种基于扩展连续B/J类模式的宽带高效率功率放大器的设计。提出了一种带宽增强双路径阻抗匹配技术,将连续的B/J类模式进行扩展,以实现电阻性二次谐波阻抗为设计目标,并与带宽可扩展的双枝节调谐网络相结合,通过同时操纵4个频率点,在宽频段内实现最佳的二次谐波阻抗匹配,从而实现了功率放大器的带宽扩展和效率提高。为了验证所提出的设计理论,设计并制备了一个多倍频程的功率放大器,采用10 W氮化镓高电子迁移率晶体管器件,对设计思想进行了验证。所实现的功率放大器在0.45 GHz~2.55 GHz带宽范围内的相对带宽为140%。带内实现了39.3 dBm~42.4 dBm的输出功率、61.2%~76.7%的漏极效率和9.3 dB~12.4 dB的增益。 展开更多
关键词 扩展连续B/J类 宽带高效率 功率放大器 多倍频程 氮化镓
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两个可调节传输零点的双频高效率功率放大器设计
9
作者 魏正华 叶小兰 《空天预警研究学报》 CSCD 2024年第5期353-357,共5页
为了解决矿井下多频无线终端中双频功率放大器极易干扰其他终端的难题,提出具有两个可调节传输零点的双频高效率功率放大器设计方法.该双频阻抗变换电路由解析的计算方式获得全部设计参数,同时可通过调节两个自由变量将全部的传输线特... 为了解决矿井下多频无线终端中双频功率放大器极易干扰其他终端的难题,提出具有两个可调节传输零点的双频高效率功率放大器设计方法.该双频阻抗变换电路由解析的计算方式获得全部设计参数,同时可通过调节两个自由变量将全部的传输线特性阻抗参数调整到合适范围,另外还将二次谐波控制电路和两个传输零点产生电路融合到双频基波阻抗变换电路中.仿真结果表明,在0.7 GHz和2.6 GHz的最大功率附加效率为81.0%和71.5%;当输入功率分别为25.5 dBm和29.5 dBm时,在0.9 GHz和2.1 GHz两个频率相应的输出功率分别为-0.9dBm和-22.9dBm,从而验证了本文设计方法的有效性. 展开更多
关键词 双频阻抗变换电路 传输零点 高效率功率放大器
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采用寄生补偿的高效率逆F类GaN HEMT功率放大器 被引量：10
10
作者 尤览 丁瑶 +1 位作者 杨光 刘发林 《微波学报》 CSCD 北大核心 2011年第5期50-54,共5页
为了提高无线通信系统的工作效率,提出了一种基于逆F类结构的新型高效率功率放大器。结合功率晶体管的寄生参数,设计了一种添加了寄生补偿电路的输出端谐波控制网络,对2到5次谐波阻抗进行了处理。针对电路中寄生反馈元件的存在,在输入端... 为了提高无线通信系统的工作效率,提出了一种基于逆F类结构的新型高效率功率放大器。结合功率晶体管的寄生参数,设计了一种添加了寄生补偿电路的输出端谐波控制网络,对2到5次谐波阻抗进行了处理。针对电路中寄生反馈元件的存在,在输入端对2次和3次谐波阻抗也分别进行了开路和短路处理。该功率放大器选用GaN工艺的HEMT器件作为功率晶体管,当工作在940MHz频率时,经测试所获得的最大漏极效率为87.4%,最大功率附加效率为78.6%,饱和输出功率为39.8dBm。 展开更多
关键词 逆F类 高效率 寄生补偿 功率放大器
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Ka波段高效率GaAs功率放大器MMIC 被引量：3
11
作者 杜鹏搏 张务永 +5 位作者 孙希国 崔玉兴 高学邦 付兴昌 吴洪江 蔡树军 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第2期97-100,共4页
采用GaAs PHEMT工艺,研究了PHEMT器件材料结构和大信号建模,分析了如何提高电路效率,并利用ADS软件对电路进行了原理图与版图优化设计,成功研制了高效率Ka波段GaAs功率放大器MMIC。电路采用三级级联放大,各级选取合适的总栅宽,使用Wilki... 采用GaAs PHEMT工艺,研究了PHEMT器件材料结构和大信号建模,分析了如何提高电路效率,并利用ADS软件对电路进行了原理图与版图优化设计,成功研制了高效率Ka波段GaAs功率放大器MMIC。电路采用三级级联放大,各级选取合适的总栅宽,使用Wilkinson功率分配/合成网络,采用阻性网络消除奇模振荡,输入输出均匹配至50Ω。在36～40 GHz频带内测试,测试结果表明:饱和输出功率大于2 W,功率增益大于17 dB,功率附加效率大于20%,频带内最高效率高达25%,芯片尺寸3.7 mm×3.2 mm。 展开更多
关键词 砷化镓 KA波段 单片微波集成电路 功率放大器 高效率
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1.25GHz高效率F类射频功率放大器 被引量：5
12
作者 李玉龙 宋树祥 +1 位作者 岑明灿 蒋品群 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2015年第10期143-146,共4页
传统F类射频功放由于功放管寄生参数影响造成LC输出匹配电路二阶阻抗不为零而导致效率下降,对此采用补偿功放管寄生参数和优化调节二次谐波阻抗的方法,设计了一款结构可调而稳定的输出回路单元,获得了较高的效率和带宽.经过ADS仿真验证... 传统F类射频功放由于功放管寄生参数影响造成LC输出匹配电路二阶阻抗不为零而导致效率下降,对此采用补偿功放管寄生参数和优化调节二次谐波阻抗的方法,设计了一款结构可调而稳定的输出回路单元,获得了较高的效率和带宽.经过ADS仿真验证后得知,功率放大器工作在1.25GHz时,该功率附加效率达到74.3%以上,输出功率为47.6dBm,带宽为240 MHz. 展开更多
关键词 射频功率放大器 F类 高效率 ADS 寄生参数
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L波段高效率F类功率放大器的研究与设计 被引量：5
13
作者 倪春 吴先良 《合肥工业大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2010年第8期1249-1252,共4页
F类射频功率放大器是一种新型高效率的放大器,理论效率可以达到100%,在移动通信领域有着广阔的发展前景。文章介绍了F类功率放大器的电路结构、工作原理,并对效率进行了分析;在L波段对电路进行了设计和试验,实测结果和仿真结果基本吻合... F类射频功率放大器是一种新型高效率的放大器,理论效率可以达到100%,在移动通信领域有着广阔的发展前景。文章介绍了F类功率放大器的电路结构、工作原理,并对效率进行了分析;在L波段对电路进行了设计和试验,实测结果和仿真结果基本吻合,验证了研究结果的一致性。 展开更多
关键词 F类功率放大器 高效率 L波段
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高效率Doherty功率放大器的研究与设计 被引量：2
14
作者 张麟兮 鲁新建 广阔天 《电声技术》 2011年第3期22-25,共4页
针对目前第三代通信系统中OFDM信号的高峰均比特性,研究了高效率的Doherty功放结构。用ADS对Doherty功放和传统的AB类平衡放大器进行了仿真对比,然后对两者实物进行了测试,结果表明当Doherty功放在功率回退6dB的情况下仍能维持37%的功... 针对目前第三代通信系统中OFDM信号的高峰均比特性,研究了高效率的Doherty功放结构。用ADS对Doherty功放和传统的AB类平衡放大器进行了仿真对比,然后对两者实物进行了测试,结果表明当Doherty功放在功率回退6dB的情况下仍能维持37%的功率附加效率,此时三阶交调系数能达到-42dBc,适用于第三代无线通信。 展开更多
关键词 DOHERTY功率放大器 高效率 峰均比 功率附加效率
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一种新型C频段高效率移相GaN功率放大器 被引量：1
15
作者 梁勤金 董四华 +1 位作者 郑强林 余川 《电讯技术》 北大核心 2013年第5期623-627,共5页
研制了一种性能优良的全固态C频段高效率移相氮化镓(GaN)功率放大器模块。介绍了该功放模块设计方案及工作原理,并给出了该功放模块技术参数实验测试结果。该模块输出功率30W,带宽10MHz,带有6位移相功能,具有C频段高频率、固态、小型化... 研制了一种性能优良的全固态C频段高效率移相氮化镓(GaN)功率放大器模块。介绍了该功放模块设计方案及工作原理,并给出了该功放模块技术参数实验测试结果。该模块输出功率30W,带宽10MHz,带有6位移相功能,具有C频段高频率、固态、小型化、高效率、高功率密度、高击穿电压特性,是一种目前国内外尚无类似集成设计的最新高性能氮化镓(GaN)功率放大器模块。因其功放模块输出末级采用了美国Cree公司第三代宽禁带GaN功放管优化设计,实现了固态C频段高效率功率输出。 展开更多
关键词 固态功率放大器 C频段GaN功率放大器 高效率 宽禁带GaN器件
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基于新型输出结构的宽带高效率功率放大器 被引量：2
16
作者 刘国华 王维荣 +2 位作者 张志维 李素东 程知群 《微波学报》 CSCD 北大核心 2021年第1期60-63,共4页
提出一种具有新型匹配网络的宽带高效率功率放大器,以及利用开路扇形微带线构成的紧凑型输出匹配网络,并给出了阻抗推导过程。该输出匹配网络在一定带宽条件下能满足晶体管的高效率所对应的阻抗设计空间要求。为了进一步拓展带宽,采用... 提出一种具有新型匹配网络的宽带高效率功率放大器,以及利用开路扇形微带线构成的紧凑型输出匹配网络,并给出了阻抗推导过程。该输出匹配网络在一定带宽条件下能满足晶体管的高效率所对应的阻抗设计空间要求。为了进一步拓展带宽,采用阶跃式阻抗匹配方法设计输入匹配网络。通过理论分析与仿真,最后设计并制作了一款频段为1~3.1 GHz的宽带高效率J类功率放大器。测试结果表明,在该频段内漏极效率为61.4%~70.2%,输出功率为39.3~41.7 dBm,增益为9.3~11.7 dB。 展开更多
关键词 功率放大器 宽带 高效率 扇形微带线
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3.35 GHz线性高效率Doherty功率放大器的设计 被引量：1
17
作者 甘德成 何松柏 +3 位作者 亓天 史卫民 陈金虎 刘强安 《太赫兹科学与电子信息学报》 2016年第3期401-404,共4页
设计并仿真实现了一款高线性、高效率Doherty功率放大器,该功率放大器工作频率为3.35 GHz。为了提高Doherty功率放大器的线性度,本文所设计Doherty功率放大器充分利用了载波功放和峰值功放的三阶交调分量(IM3)相互抵消的原理来提高功率... 设计并仿真实现了一款高线性、高效率Doherty功率放大器,该功率放大器工作频率为3.35 GHz。为了提高Doherty功率放大器的线性度,本文所设计Doherty功率放大器充分利用了载波功放和峰值功放的三阶交调分量(IM3)相互抵消的原理来提高功率放大器的线性度。本文设计采用两枚Cree公司生产的6 W Ga N HEMT晶体管CGH40006P进行仿真验证,仿真结果证明:在所设计频率点3.35 GHz,IM3<-30 d Bc。 展开更多
关键词 线性 高效率 DOHERTY功率放大器 三阶交调分量(IM3)
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高效率GaAs/InGaAsHFET功率放大器 被引量：1
18
作者 陈堂胜 杨立杰 +2 位作者 王泉慧 李拂晓 陈效建 《固体电子学研究与进展》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第2期231-234,共4页
研制成 Ga As/ In Ga As异质结功率 FET(HFET) ,该器件是在常规的高 -低 -高分布 Ga As MESFET的基础上 ,在有源层的尾部引入 i-In Ga As层。采用 HFET研制的两级 C波功率放大器 ,在 5 .0～ 5 .5 GHz带内 ,当Vds=5 .5 V时 ,输出功率大于... 研制成 Ga As/ In Ga As异质结功率 FET(HFET) ,该器件是在常规的高 -低 -高分布 Ga As MESFET的基础上 ,在有源层的尾部引入 i-In Ga As层。采用 HFET研制的两级 C波功率放大器 ,在 5 .0～ 5 .5 GHz带内 ,当Vds=5 .5 V时 ,输出功率大于 3 2 .3 1 d Bm(0 .1 77W/ mm ) ,功率增益大于 1 9.3 d B,功率附加效率 (PAE)大于3 8.7% ,PAE最大达到 49.4% ,该放大器在 Vds=9.0 V时 ,输出功率大于 3 6.65 d Bm(0 .48W/ mm) ,功率增益大于 2 1 .6d B,PAE典型值 3 5 % 展开更多
关键词 HFET 功率放大器 高效率 异质结 微波场效应晶体管 单片微流集成电路 砷化镓 铟镓砷
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高保真音频功率放大器设计 被引量：4
19
作者 韩伟 《电声技术》 2005年第4期30-30,33,共2页
关键词 放大器设计 音频功率放大器 高保真 功率放大级 输出功率 输入阻抗 输出阻抗 输入信号 衰减作用 输出效率 频带宽 前置 音调 噪声 失真 音效
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高效率F类功率放大器设计 被引量：1
20
作者 王程 于洪喜 《现代电子技术》 2014年第9期77-79,82,共4页
F类功率放大器是一种高效率的放大器,其理论效率可以达到100%,在无线通信领域中有着广泛的应用和广阔的发展前景。简要阐述了F类放大器的基本理论,并对其效率进行了分析。设计出了带有输入输出谐波控制的高效率F类功率放大器,仿真结果... F类功率放大器是一种高效率的放大器,其理论效率可以达到100%,在无线通信领域中有着广泛的应用和广阔的发展前景。简要阐述了F类放大器的基本理论,并对其效率进行了分析。设计出了带有输入输出谐波控制的高效率F类功率放大器,仿真结果表明在工作频率1 GHz时,输出功率为38 dBm,功率附加效率为74%;输出功率和功率附加效率都优于同条件下的B类功率放大器。 展开更多
关键词 F类功率放大器 高效率放大器 负载牵引法 无线通信
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