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题名基于新一代半导体GaN的高效率功率放大器的研制
被引量：4
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作者
郭栋
李梁
窦智童
李超
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机构
中国空间技术研究院
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出处
《现代电子技术》
2014年第15期83-85,共3页
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文摘
近年来在无线通信、雷达等领域,对发射的功耗要求越来越苛刻,而产品可放置的空间越来越小,这就要求功率放大器要有更高的效率以及更高的工作结温,新一代宽禁带半导体材料GaN能够满足该要求。基于CREE公司的GaN功放管CGH40045研制了一款S频段的功率放大器,主要进行了功率匹配、散热考虑、杂散抑制的设计。最终的测试结果显示,在300 MHz的带宽内功率增益≥50 dB,饱和输出功率≥46 dBm,工作效率≥50%,比之前采用的工作效率为30%的GaAs功率放大器有了显著的提高。可见在今后的通信系统中,基于新一代半导体材料GaN的功率放大器有着非常好的应用前景。
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关键词
GAN
功率匹配
高效率功率放大器
通信系统
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Keywords
GaN
power matching
high efficiency power-amplifier
communication system
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分类号
TN722.75
[电子电信—电路与系统]
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题名高效率E类射频功率放大器
被引量：4
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作者
郝允群
庄奕琪
李小明
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机构
西安电子科技大学微电子所
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2004年第2期74-76,79,共4页
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文摘
研究了E类RF放大器的电路结构、工作原理、存在问题以及解决的方法──差分和交叉耦合反馈结构,最后给出了E类放大器的实例。由于具有低成本、高集成度、多功用等优点,MOS工艺在射频功率放大方面有很大的发展潜力。在本文中,用0.6μmCMOS工艺实现了E类放大器的设计。
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关键词
高效率E类射频功率放大器
功率放大器
E类RF放大器
电路结构
工作原理
交叉耦合
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Keywords
Class-E RF amplifier
differential configuration
cross coupled feedback
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分类号
TN722.75
[电子电信—电路与系统]
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