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Ⅰ类高氘DKDP晶片性能研究
1
作者
李鹏飞
胡子钰
郑国宗
《人工晶体学报》
CAS
北大核心
2022年第12期2009-2013,2030,共6页
受到晶体尺寸以及非线性光学性能的影响,目前可供选择的非线性晶体非常有限。DKDP晶体作为传统大尺寸光电材料,在光参量啁啾脉冲放大(OPCPA)装置中得到了应用。高氘化的DKDP晶体有更好的光学性能,然而生长出高氘化DKDP晶体对生长环境等...
受到晶体尺寸以及非线性光学性能的影响,目前可供选择的非线性晶体非常有限。DKDP晶体作为传统大尺寸光电材料,在光参量啁啾脉冲放大(OPCPA)装置中得到了应用。高氘化的DKDP晶体有更好的光学性能,然而生长出高氘化DKDP晶体对生长环境等有更加严格的要求。本文通过改良的原料合成罐以及生长槽,采用点籽晶快速生长法成功生长出高氘DKDP晶体。按照Ⅰ类(θ=37.23°,φ=45°)切割方式制备样品,并对其氘含量、透过率、光学均匀性以及晶体激光损伤阈值进行测试。实验结果表明,晶体的平均氘含量达到98.49%,在可见-近红外波段下具有较宽的透过波段和较高的透过性能。R-on-1的测试结果显示,在3 ns、527 nm条件下,DKDP晶体的激光损伤阈值达到了19.92 J/cm^(2)。晶体光学均匀性均方根达到了1.833×10^(-9),表明晶体具有良好的光学均匀性。
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关键词
dkdp
非线性
晶体
OPCPA
高
氘
点籽晶快速生长法
光学性能
Ⅰ类
在线阅读
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职称材料
KDP\DKDP倍频晶体吸收系数的斜入射测量
被引量：
1
2
作者
高波
杨斌
+3 位作者
李强
姜昌录
黎高平
柴立群
《光学精密工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016年第12期3041-3047,共7页
考虑惯性约束聚变系统中的磷酸二氢钾/磷酸二氘钾(KDP\DKDP)的吸收系数直接影响系统的转换效率及最终输出能量,本文研究了KDP\DKDP倍频晶体吸收系数的测量方法。提出了新的基于朗伯定律的倍频晶体吸收系数斜入射测量法。建立了斜入射状...
考虑惯性约束聚变系统中的磷酸二氢钾/磷酸二氘钾(KDP\DKDP)的吸收系数直接影响系统的转换效率及最终输出能量,本文研究了KDP\DKDP倍频晶体吸收系数的测量方法。提出了新的基于朗伯定律的倍频晶体吸收系数斜入射测量法。建立了斜入射状态下入射光偏振态与晶体o光和e光的关系模型,推导了小角度入射下晶体e光折射率的迭代计算方法。采用该方法计算了晶体的e光折射率,通过测量得到的数据间接计算出了KDP\DKDP倍频晶体吸收系数。详细分析了该方法在测量过程中的各项误差来源,得出该方法测量误差优于0.000 2cm^(-1)。最后,对一块40mm×40mm×60mm的开关晶体元件进行测试并与分光光度法比对以验证提出方法的可行性,结果显示两种测量方法的偏差小于0.000 2cm^(-1),表明该方法可用于惯性约束聚变系统中倍频晶体吸收系数的测量。
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关键词
磷酸二氢钾
/
磷酸
二
氘
钾(KDP/
dkdp
)倍频
晶体
吸收系数测量
斜入射
比尔朗伯原理
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职称材料
激光预处理技术及其应用
被引量：
15
3
作者
赵元安
胡国行
+4 位作者
刘晓凤
李大伟
朱美萍
易葵
邵建达
《光学精密工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016年第12期2938-2947,共10页
回顾了国内在激光预处理技术研究方面取得的进展。综述了基于激光预处理技术提升基频介质膜、磷酸二氢钾/高掺氘磷酸二氢钾(KDP/DKDP)晶体等光学元件抗激光损伤性能的机理、效果和关键技术。针对高功率激光驱动器中关键光学元件激光负...
回顾了国内在激光预处理技术研究方面取得的进展。综述了基于激光预处理技术提升基频介质膜、磷酸二氢钾/高掺氘磷酸二氢钾(KDP/DKDP)晶体等光学元件抗激光损伤性能的机理、效果和关键技术。针对高功率激光驱动器中关键光学元件激光负载能力的提高,建立了大口径光学元件激光预处理平台,实现了基频介质膜元件的激光预处理工程化作业。比较了纳秒和亚纳秒脉冲宽度激光对DKDP晶体损伤性能的影响。基于亚纳秒激光预处理后,纳秒激光辐照至14.4J/cm2(5ns)尚未出现"本征"损伤的实验结果,提出了用于DKDP晶体的亚纳秒激光预处理方案,并指出亚纳秒激光预处理技术将成为高功率激光三倍频晶体抗激光损伤性能达标的关键技术。
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关键词
激光预处理
激光与物质相互作用
高
功率激光
激光损伤阈值
介质膜
磷酸二氢钾
(KDP)
晶体
高
掺
氘
磷酸二氢钾
(
dkdp
)
晶体
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职称材料
题名
Ⅰ类高氘DKDP晶片性能研究
1
作者
李鹏飞
胡子钰
郑国宗
机构
福州大学化学学院
中国科学院福建物质结构研究所
出处
《人工晶体学报》
CAS
北大核心
2022年第12期2009-2013,2030,共6页
文摘
受到晶体尺寸以及非线性光学性能的影响,目前可供选择的非线性晶体非常有限。DKDP晶体作为传统大尺寸光电材料,在光参量啁啾脉冲放大(OPCPA)装置中得到了应用。高氘化的DKDP晶体有更好的光学性能,然而生长出高氘化DKDP晶体对生长环境等有更加严格的要求。本文通过改良的原料合成罐以及生长槽,采用点籽晶快速生长法成功生长出高氘DKDP晶体。按照Ⅰ类(θ=37.23°,φ=45°)切割方式制备样品,并对其氘含量、透过率、光学均匀性以及晶体激光损伤阈值进行测试。实验结果表明,晶体的平均氘含量达到98.49%,在可见-近红外波段下具有较宽的透过波段和较高的透过性能。R-on-1的测试结果显示,在3 ns、527 nm条件下,DKDP晶体的激光损伤阈值达到了19.92 J/cm^(2)。晶体光学均匀性均方根达到了1.833×10^(-9),表明晶体具有良好的光学均匀性。
关键词
dkdp
非线性
晶体
OPCPA
高
氘
点籽晶快速生长法
光学性能
Ⅰ类
Keywords
dkdp
nonlinear crystal
OPCPA
highly deuterium
rapid growth of point seed crystal
optical property
typeⅠ
分类号
O782 [理学—晶体学]
TB34 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
KDP\DKDP倍频晶体吸收系数的斜入射测量
被引量：
1
2
作者
高波
杨斌
李强
姜昌录
黎高平
柴立群
机构
中国工程物理研究院激光聚变研究中心
西安应用光学研究所
出处
《光学精密工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016年第12期3041-3047,共7页
基金
中国工程物理研究院科研资金资助项目(GFZX02080101.1)
文摘
考虑惯性约束聚变系统中的磷酸二氢钾/磷酸二氘钾(KDP\DKDP)的吸收系数直接影响系统的转换效率及最终输出能量,本文研究了KDP\DKDP倍频晶体吸收系数的测量方法。提出了新的基于朗伯定律的倍频晶体吸收系数斜入射测量法。建立了斜入射状态下入射光偏振态与晶体o光和e光的关系模型,推导了小角度入射下晶体e光折射率的迭代计算方法。采用该方法计算了晶体的e光折射率,通过测量得到的数据间接计算出了KDP\DKDP倍频晶体吸收系数。详细分析了该方法在测量过程中的各项误差来源,得出该方法测量误差优于0.000 2cm^(-1)。最后,对一块40mm×40mm×60mm的开关晶体元件进行测试并与分光光度法比对以验证提出方法的可行性,结果显示两种测量方法的偏差小于0.000 2cm^(-1),表明该方法可用于惯性约束聚变系统中倍频晶体吸收系数的测量。
关键词
磷酸二氢钾
/
磷酸
二
氘
钾(KDP/
dkdp
)倍频
晶体
吸收系数测量
斜入射
比尔朗伯原理
Keywords
KDP/
dkdp
frequency doubling crystal
absorption coefficient measure ment
oblique in-cidence
LAMBERT-- BEER law
分类号
O437 [机械工程—光学工程]
O734.1 [理学—晶体学]
在线阅读
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职称材料
题名
激光预处理技术及其应用
被引量：
15
3
作者
赵元安
胡国行
刘晓凤
李大伟
朱美萍
易葵
邵建达
机构
中国科学院上海光学精密机械研究所强激光材料重点实验室
出处
《光学精密工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016年第12期2938-2947,共10页
基金
国家自然科学基金资助项目(No.61308021
No.61405219)
文摘
回顾了国内在激光预处理技术研究方面取得的进展。综述了基于激光预处理技术提升基频介质膜、磷酸二氢钾/高掺氘磷酸二氢钾(KDP/DKDP)晶体等光学元件抗激光损伤性能的机理、效果和关键技术。针对高功率激光驱动器中关键光学元件激光负载能力的提高,建立了大口径光学元件激光预处理平台,实现了基频介质膜元件的激光预处理工程化作业。比较了纳秒和亚纳秒脉冲宽度激光对DKDP晶体损伤性能的影响。基于亚纳秒激光预处理后,纳秒激光辐照至14.4J/cm2(5ns)尚未出现"本征"损伤的实验结果,提出了用于DKDP晶体的亚纳秒激光预处理方案,并指出亚纳秒激光预处理技术将成为高功率激光三倍频晶体抗激光损伤性能达标的关键技术。
关键词
激光预处理
激光与物质相互作用
高
功率激光
激光损伤阈值
介质膜
磷酸二氢钾
(KDP)
晶体
高
掺
氘
磷酸二氢钾
(
dkdp
)
晶体
Keywords
laser conditioning
high power laser system
laser induced damage threshold
dielectric coating
po- tassium dihydrogen phosphate（KDP） crystal
doped deuterium KDP（
dkdp
） crystal
分类号
TN249 [电子电信—物理电子学]
TN244 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Ⅰ类高氘DKDP晶片性能研究
李鹏飞
胡子钰
郑国宗
《人工晶体学报》
CAS
北大核心
2022
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
KDP\DKDP倍频晶体吸收系数的斜入射测量
高波
杨斌
李强
姜昌录
黎高平
柴立群
《光学精密工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
激光预处理技术及其应用
赵元安
胡国行
刘晓凤
李大伟
朱美萍
易葵
邵建达
《光学精密工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016
15
在线阅读
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职称材料
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