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大动态范围外延电阻淬灭型硅光电倍增器
被引量：
8
1
作者
刘红敏
龙金燕
+4 位作者
代雷
张鑫淦
梁琨
杨茹
韩德俊
《光学精密工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020年第3期535-541,共7页
外延电阻淬灭型硅光电倍增器(EQR SiPM)的特点是利用硅衬底外延层来制作器件淬灭电阻。为了进一步提高大动态范围EQR SiPM的光子探测效率,并且解决填充因子较低和增益较小等问题,在前期研究工作的基础上研制出微单元尺寸分别为15μm和7...
外延电阻淬灭型硅光电倍增器(EQR SiPM)的特点是利用硅衬底外延层来制作器件淬灭电阻。为了进一步提高大动态范围EQR SiPM的光子探测效率,并且解决填充因子较低和增益较小等问题,在前期研究工作的基础上研制出微单元尺寸分别为15μm和7μm的EQR SiPM,有源区面积均是1 mm×1 mm。通过改变EQR SiPM的微单元尺寸优化填充因子,有效提高了探测效率与增益;其微单元密度分别是4400个/mm 2和23200个/mm 2,依然保持着较大的动态范围。室温条件下(20℃),工作在5 V过偏压的EQR SiPM至少可分辨13个光电子;15μm和7μm EQR SiPM的增益分别为5.1×105和1.1×105,在400 nm波长下的峰值光探测效率分别达到40%和34%。
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关键词
硅光电倍增器
外延淬灭电阻
单光子
高探测效率
高
增益
大动态范围
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职称材料
题名
大动态范围外延电阻淬灭型硅光电倍增器
被引量：
8
1
作者
刘红敏
龙金燕
代雷
张鑫淦
梁琨
杨茹
韩德俊
机构
北京师范大学核科学与技术学院新器件实验室
集成光电子学国家重点实验室
出处
《光学精密工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020年第3期535-541,共7页
基金
国家自然科学基金资助项目(No.11875089,No.61534005)
集成光电子学国家重点实验室开放课题(No.IOSKL2019KF14)。
文摘
外延电阻淬灭型硅光电倍增器(EQR SiPM)的特点是利用硅衬底外延层来制作器件淬灭电阻。为了进一步提高大动态范围EQR SiPM的光子探测效率,并且解决填充因子较低和增益较小等问题,在前期研究工作的基础上研制出微单元尺寸分别为15μm和7μm的EQR SiPM,有源区面积均是1 mm×1 mm。通过改变EQR SiPM的微单元尺寸优化填充因子,有效提高了探测效率与增益;其微单元密度分别是4400个/mm 2和23200个/mm 2,依然保持着较大的动态范围。室温条件下(20℃),工作在5 V过偏压的EQR SiPM至少可分辨13个光电子;15μm和7μm EQR SiPM的增益分别为5.1×105和1.1×105,在400 nm波长下的峰值光探测效率分别达到40%和34%。
关键词
硅光电倍增器
外延淬灭电阻
单光子
高探测效率
高
增益
大动态范围
Keywords
Silicon Photomultiplier(SiPM)
Epitaxial Quenching Resistance(EQR)
single photon detection
high detection efficiency
high gain
large dynamic range
分类号
TN152 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
大动态范围外延电阻淬灭型硅光电倍增器
刘红敏
龙金燕
代雷
张鑫淦
梁琨
杨茹
韩德俊
《光学精密工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020
8
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