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AST液相掺杂对低电阻率、高抗电强度BaTiO_3半导瓷显微结构及电性能影响
被引量：
4
1
作者
姜胜林
周东祥
+1 位作者
龚树萍
汪小红
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第5期532-533,共2页
通过改变低电阻率BaTiO3半导体陶瓷中液相添加剂AST的含量 ,采用XRD和SEM显微分析方法研究了AST含量对低电阻率、高抗电强度BaTiO3半导体陶瓷显微结构的影响。研究结果指出 :BaTiO3半导体陶瓷中AST的引入量对晶界厚度的控制存在两个临界...
通过改变低电阻率BaTiO3半导体陶瓷中液相添加剂AST的含量 ,采用XRD和SEM显微分析方法研究了AST含量对低电阻率、高抗电强度BaTiO3半导体陶瓷显微结构的影响。研究结果指出 :BaTiO3半导体陶瓷中AST的引入量对晶界厚度的控制存在两个临界点 ,晶界厚度对低电阻率、高抗电强度BaTiO3半导体陶瓷的显微结构和电性能产生重要影响。
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关键词
显微结构
电
性能
AST液相
低
电
阻率
高抗电强度
BaTiO3半导体瓷
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职称材料
题名
AST液相掺杂对低电阻率、高抗电强度BaTiO_3半导瓷显微结构及电性能影响
被引量：
4
1
作者
姜胜林
周东祥
龚树萍
汪小红
机构
华中科技大学电子科学与技术系
出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第5期532-533,共2页
基金
8 63计划资助项目 (71 5 0 0 6 0 0 80 )
湖北省自然科学基金资助项目 (2 0 0 1ABB0 1 9)
文摘
通过改变低电阻率BaTiO3半导体陶瓷中液相添加剂AST的含量 ,采用XRD和SEM显微分析方法研究了AST含量对低电阻率、高抗电强度BaTiO3半导体陶瓷显微结构的影响。研究结果指出 :BaTiO3半导体陶瓷中AST的引入量对晶界厚度的控制存在两个临界点 ,晶界厚度对低电阻率、高抗电强度BaTiO3半导体陶瓷的显微结构和电性能产生重要影响。
关键词
显微结构
电
性能
AST液相
低
电
阻率
高抗电强度
BaTiO3半导体瓷
Keywords
AST liquid phase
lower resistivity
high resisting electrical strength BaTiO 3 semiconducting ceramics
microstructure and electrical properties
分类号
TN304.82 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
AST液相掺杂对低电阻率、高抗电强度BaTiO_3半导瓷显微结构及电性能影响
姜胜林
周东祥
龚树萍
汪小红
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002
4
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职称材料
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