一种高性能CMOS能隙基准电压源电路设计 被引量：8

1

作者 孟波 邹雪城 孟超 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2003年第8期161-162,166,共3页

文章介绍了一种0.35滋m工艺制作的能隙基准电压源电路。该电路具有高电压抑制比、低温度系数、抗失配的特点。该电路能被广泛的应用到一些精密集成电路中。

关键词 模拟集成电路 数模混合集成电路 O.35μm工艺 高性能cmos能隙基准电压源电路 电路设计

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一种高性能CMOS能隙电压参考源的设计 被引量：5

2

作者 薛庆华 周玉梅 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2003年第10期38-40,共3页

本文介绍了能隙电压源温度曲率校正的概念与原理,设计了一个CMOS工艺的高温校正的电流模式的能隙电压源.本电路采用温度补偿,从而使设计得到了简化.采用2μ mp阱CMOS工艺模型模拟分析可以发现该参考源在温度0℃～100℃范围内能够有较好... 本文介绍了能隙电压源温度曲率校正的概念与原理,设计了一个CMOS工艺的高温校正的电流模式的能隙电压源.本电路采用温度补偿,从而使设计得到了简化.采用2μ mp阱CMOS工艺模型模拟分析可以发现该参考源在温度0℃～100℃范围内能够有较好的温度特性. 展开更多

关键词 数字电路 模拟电路 温度补偿 cmos工艺 电流模式 能隙电压参考源 设计

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一种高电源抑制比低噪声快速启动的CMOS带隙基准电路设计

3

作者 来新泉 刘鸿雁 魏荣峰 《中国集成电路》 2005年第9期41-45,共5页

针对集成稳压器、射频电路等对精密电压基准的需求,本文设计了一款新型CMOS带隙基准电路。在降低高频噪声,增强输出对电源纹波抑制能力的同时引入快速启动电路,改善了RC滤波电路限制基准启动速度的问题。采用Hynix0.5μmCMOSHspice模型... 针对集成稳压器、射频电路等对精密电压基准的需求,本文设计了一款新型CMOS带隙基准电路。在降低高频噪声,增强输出对电源纹波抑制能力的同时引入快速启动电路,改善了RC滤波电路限制基准启动速度的问题。采用Hynix0.5μmCMOSHspice模型进行仿真后表明,此款带隙基准电路在较宽的频带范围内,噪声只有8.5μVrms,电源抑制比(PSRR)为100dB左右,启动时间在100μs以内。 展开更多

关键词 电源抑制比 带隙基准 cmos 电路设计 低噪声 快速启动 SPICE模型 精密电压基准 基准电路

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BiCMOS带隙基准电压源的设计及应用 被引量：1

4

作者 王宇奇 何进 +4 位作者 张贵博 童志强 王豪 常胜 黄启俊 《电子技术应用》 北大核心 2016年第11期33-36,共4页

基于0.18μm SiGe BiCMOS工艺,设计了应用于一款"10-Gbps跨阻放大器(TIA)"芯片的带隙基准电压源。该带隙基准电压源工作在3.0 V^3.6 V的电源电压下,输出基准参考电压为1.2 V,温度系数为10.0 ppm/℃,低频时电源抑制比为-69 d B... 基于0.18μm SiGe BiCMOS工艺,设计了应用于一款"10-Gbps跨阻放大器(TIA)"芯片的带隙基准电压源。该带隙基准电压源工作在3.0 V^3.6 V的电源电压下,输出基准参考电压为1.2 V,温度系数为10.0 ppm/℃,低频时电源抑制比为-69 d B,具有良好的性能。应用该带隙基准电压源完成了TIA芯片中偏置电路模块的设计,该偏置电路除了提供偏置电流外,还具备带宽调节功能,可实现对TIA输出电压信号带宽进行7.9 GHz、8.9 GHz、9.8 GHz和10.1 GHz四档调节,提高了TIA芯片的应用性。目前,带隙基准电压源与偏置电路随TIA芯片正在进行MPW(多项目晶圆)流片。 展开更多

关键词 BI cmos 带隙基准电压源 偏置电路 带宽调节

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带使能控制的低功耗BiCMOS带隙基准电压源的设计

5

作者 冯秋霞 刘军 +1 位作者 蒋国平 孙俊岳 《电子科技》 2007年第12期54-59,共6页

基于0.6μm BiCMOS工艺设计了一种高稳定性、低功耗以及带有使能控制的带隙基准电压源,利用HSPICE仿真工具对电路进行了仿真。在3.6V的电源电压和27℃室温下,输出的基准电压约为1.248V,其温度系数为15×10-6/℃;当电源电压在2.7V～5... 基于0.6μm BiCMOS工艺设计了一种高稳定性、低功耗以及带有使能控制的带隙基准电压源,利用HSPICE仿真工具对电路进行了仿真。在3.6V的电源电压和27℃室温下,输出的基准电压约为1.248V,其温度系数为15×10-6/℃;当电源电压在2.7V～5.5V变化时,基准电压仅变化10 mV;同时电路亦输出逻辑使能信号;在全条件下,整个电路的最大功耗约为65.45μW。因具有低功耗和使能控制等特性,所以他可广泛应用在各种开关电源等芯片内部。 展开更多

关键词 带隙基准电压源电路 BIcmos 使能控制 低功耗

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两种新型CMOS带隙基准电路 被引量：10

6

作者 程军 陈贵灿 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2003年第7期67-70,共4页

文章介绍了两种CMOS带隙基准电路。它们在传统带隙基准电路的基础上,采用了低压共源共栅电流镜提供偏置电流,降低了功耗,减小了沟道长度调制效应带来的误差并使电路可以工作在较低的电源电压下;采用运放的输出作为共源共栅电流镜的偏置... 文章介绍了两种CMOS带隙基准电路。它们在传统带隙基准电路的基础上,采用了低压共源共栅电流镜提供偏置电流,降低了功耗,减小了沟道长度调制效应带来的误差并使电路可以工作在较低的电源电压下;采用运放的输出作为共源共栅电流镜的偏置电压,使基准电压不受电源电压变化的影响。其中一种电路,还通过两个串联二极管的原理提高ΔVBE,从而减小了运放失调的影响。仿真结果表明,在工艺偏差、电源电压变化±10%以及温度在-20至125℃范围内变化的情况下,两种CMOS带隙基准的输出电压分别是1.228±0.003V和1.215±0.003V,温度系数仅为33.7ppm/℃和34.1ppm/℃;在电源电压分别大于2V和2.8V时,电源电压的变化对这两种基准的输出电压几乎没有影响;在3.3v电源电压下两个电路的功耗分别小于0.1mW和0.34mW。 展开更多

关键词 cmos带隙基准电路 电源电压 专用集成电路 串联二极管

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一种低电压高精度CMOS基准电流源设计新技术 被引量：1

7

作者 胡学骏 赵慧民 《电视技术》 北大核心 2005年第2期36-38,共3页

介绍一种新的在0.25μm混合模拟工艺电路中使用没有任何外围元件的基准电流源设计电路。该电路基于一个带隙电压基准源(BandgapReference,BGR)和一个类似β乘法器的CMOS电路。其中β乘法器中的电阻用NMOS晶体管代替以获得具有负温度系... 介绍一种新的在0.25μm混合模拟工艺电路中使用没有任何外围元件的基准电流源设计电路。该电路基于一个带隙电压基准源(BandgapReference,BGR)和一个类似β乘法器的CMOS电路。其中β乘法器中的电阻用NMOS晶体管代替以获得具有负温度系数的基准电流源;同时,BGR电压的正温度系数抵消了β乘法器中负温度系数。使用Bsim3v3模型实验的仿真结果说明-20℃到+100℃温度范围内基准电流源最大波动幅度小于1%,1.4～3V电压范围内片上所有电阻具有±30%的容差。 展开更多

关键词 基准电流源 带隙电压基准源 温度系数 cmos电路 β乘法器

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一种基于新的偏置电路的低电压带隙基准电压源设计 被引量：5

8

作者 张朵云 罗岚 +1 位作者 唐守龙 吴建辉 《电子器件》 EI CAS 2006年第1期169-171,222,共4页

通过设计带隙基准电压源中共源共栅电流镜的偏置电路以实现低电源电压工作。该偏置电路原理是利用一个始终工作在线性区的MOS管来使共源共栅电流镜的两个级联管均工作在饱和区边缘提高输出电压摆幅,从而降低电源电压。电路基于Chartered... 通过设计带隙基准电压源中共源共栅电流镜的偏置电路以实现低电源电压工作。该偏置电路原理是利用一个始终工作在线性区的MOS管来使共源共栅电流镜的两个级联管均工作在饱和区边缘提高输出电压摆幅,从而降低电源电压。电路基于Chartered0.25μmN阱CMOS工艺实现,Hspice仿真结果与分析计算结果相符。基于这种偏置电路所设计的带隙基准电压源最低工作电压仅为2V,温度系数为12×10-5/℃,电源抑制在频率为1～10kHz时为-98dB,1MHz～1GHz时为-40dB。 展开更多

关键词 带隙基准电压源 共源共栅 偏置电路 输出电压摆幅 低电源电压

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高电源抑制比的CMOS亚阈值多输出电压基准 被引量：2

9

作者 李泳佳 夏晓娟 《电子设计工程》 2009年第12期8-11,共4页

基于工作在亚阈值区的MOS器件，运用CMOS电流模基准对CATA和PTAT电流求和的思想．提出一种具有低温漂系数、高电源抑制比（PSRR）的CMOS电压基准源，该电路可同时提供多个输出基准电压，且输出电压可调。该基准源基于CSMC0．5μm标准CMO... 基于工作在亚阈值区的MOS器件，运用CMOS电流模基准对CATA和PTAT电流求和的思想．提出一种具有低温漂系数、高电源抑制比（PSRR）的CMOS电压基准源，该电路可同时提供多个输出基准电压，且输出电压可调。该基准源基于CSMC0．5μm标准CMOS工艺，充分利用预调节电路并改进电流模基准核心电路。使整个电路的电源抑制比在低频时达到122dB，温度系数（TC）在0-100℃的温度范围内约7ppm／℃。 展开更多

关键词 cmos电压基准源 电源抑制比(PSRR) 亚阈值区 电压预调节电路 多输出

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新型自启动带隙基准电压源设计 被引量：3

10

作者 徐勇 赵斐 +2 位作者 徐永斌 关宇 关振红 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2009年第4期566-568,588,共4页

提出了一种具有新颖自启动电路的带隙基准电压源设计,相比传统自启动方案,电路规模没有增长的同时电路功耗更低,芯片消耗电流约14μA,性能更加可靠。200片芯片批量统计测试结果表明,电压源输出1.25V±10mV,标准偏差σ仅为0.004V,-55... 提出了一种具有新颖自启动电路的带隙基准电压源设计,相比传统自启动方案,电路规模没有增长的同时电路功耗更低,芯片消耗电流约14μA,性能更加可靠。200片芯片批量统计测试结果表明,电压源输出1.25V±10mV,标准偏差σ仅为0.004V,-55～125°C温度范围内温度系数约15×10-6/°C。芯片测试良率进一步获得提高。 展开更多

关键词 低功耗 带隙基准电压源 启动电路

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带有曲率补偿的高精度带隙基准电压源设计 被引量：8

11

作者 王永顺 井冰洁 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第1期14-18,共5页

设计了一种带有曲率补偿的高精度带隙基准电压源电路，通过在特定支路上产生二阶正温度系数的电流补偿‰．的二阶负温度系数项来实现曲率补偿，从而得到更低温度系数的基准电压。同时设计了一种高效的启动电路，在电路上电时保证电路正... 设计了一种带有曲率补偿的高精度带隙基准电压源电路，通过在特定支路上产生二阶正温度系数的电流补偿‰．的二阶负温度系数项来实现曲率补偿，从而得到更低温度系数的基准电压。同时设计了一种高效的启动电路，在电路上电时保证电路正常启动，电路正常工作后启动电路停止工作。该设计基于CSMC0．5μmCMOS工艺，在3．3V电源电压下，输出基准电压800mV，采用Cadence公司Spectre软件进行仿真和实验测试，结果表明，温度为-50～150℃．基准电压的温度系数为2．4×10^-6／℃，电源电压为2．5～4．5V，电压调整率为0．08％／V。该基准电压源已成功应用在DC／DC转换器中，并取得了良好的应用效果。 展开更多

关键词 带隙基准电压源 曲率补偿 低温度系数 启动电路 互补型金属氧化物半导体 (cmos)

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一种利用比较器实现可靠启动的带隙基准电压源 被引量：1

12

作者 郭家荣 冉峰 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2013年第5期117-120,共4页

提出一种在启动电路中使用比较器配置的带隙基准电压源,解决了带隙基准电压源由于使用双极型晶体管而存在的潜在启动失败问题.该带隙基准电压源通过启动电路的比较器来正确判断启动和关闭点以保证电路启动到理想的工作点,并在电路启动... 提出一种在启动电路中使用比较器配置的带隙基准电压源,解决了带隙基准电压源由于使用双极型晶体管而存在的潜在启动失败问题.该带隙基准电压源通过启动电路的比较器来正确判断启动和关闭点以保证电路启动到理想的工作点,并在电路启动后正常关闭启动电路以缩减功耗消耗,同时避免了其它启动电路存在的问题:引起电路抖动或者求助一些系统中很少使用的上电复位信号等.该带隙电压基准电路提供0.9V的带隙基准电压时,可以工作的电压范围和温度范围分别是1.2V～3.6V和-40～110℃,而且该输出电压在给定的电压和温度范围内仅有5%的变化. 展开更多

关键词 带隙基准电压源 比较器 低压 启动电路

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一种快速稳定启动电路的带隙基准电压源的设计

13

作者 许联胜 《科技创新与应用》 2016年第13期22-23,共2页

文章设计了一种拥有快速稳定启动电路的带隙基准电压源,该设计在目前最成熟的启动电路设计基础上优化,不仅能在启动时间上具有很大优势,而且很稳定,能保证电路的启动过程平稳完成,适合目前芯片集成(SOC)系统的量产。本设计采用的工艺是0... 文章设计了一种拥有快速稳定启动电路的带隙基准电压源,该设计在目前最成熟的启动电路设计基础上优化,不仅能在启动时间上具有很大优势,而且很稳定,能保证电路的启动过程平稳完成,适合目前芯片集成(SOC)系统的量产。本设计采用的工艺是0.18um SMIC工艺。经过仿真和测试验证,启动时间稳定在300ns左右,带隙基准电压输出为1.204V。 展开更多

关键词 带隙基准电压源 启动电路 芯片集成系统

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一种-100dB电源抑制比的非带隙基准电压源 被引量：2

14

作者 黄国城 尹韬 +3 位作者 朱渊明 许晓冬 张亚朝 杨海钢 《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2016年第8期2122-2128,共7页

该文提出一种非带隙基准电路，通过一个带超级源极跟随器的预调制电路提供一个稳定的电压，为基准核心电路供电。超级源极跟随器通过降低基准核心电路电源端的对地阻抗，有效提高了基准电路的电源抑制能力。该基准电路采用0．35umCMOS... 该文提出一种非带隙基准电路，通过一个带超级源极跟随器的预调制电路提供一个稳定的电压，为基准核心电路供电。超级源极跟随器通过降低基准核心电路电源端的对地阻抗，有效提高了基准电路的电源抑制能力。该基准电路采用0．35umCMOS工艺设计并流片，测试结果表明，该电路的工作电源电压为1．8μV，静态电流约为13μA。低频处电源抑制比（PSRR）约等于-100dB，在小于1kHz频率范围内PSRR均优于-93dB。并且其片上面积仅为0．013mm2。 展开更多

关键词 cmos基准电路 非带隙基准电路 预调制电路 超级源极跟随器 电源抑制比

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一种新型的无电阻实现的带隙电压基准源 被引量：2

15

作者 赵玉姣 岳素格 边强 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2008年第8期180-183,187,共5页

设计了一种新的采用0．35μm全数字工艺实现的无电阻的带隙基准电压源。该电路结构引入了差分放大器，以此来产生正比于温度的电压量，同时放大器减小了电路中由电源电压及温度变化所产生的镜像电流的误差，进一步提高了电路电源抑制比... 设计了一种新的采用0．35μm全数字工艺实现的无电阻的带隙基准电压源。该电路结构引入了差分放大器，以此来产生正比于温度的电压量，同时放大器减小了电路中由电源电压及温度变化所产生的镜像电流的误差，进一步提高了电路电源抑制比，降低了无电阻基准电压源的温度系数。Spice仿真结果表明，该电路结构具有较高的电源抑制比和低的温度系数：在电源电压从2．4V变化到5．0V时，输出电压波动小于9mV；在-25℃～125℃温度变化范围内，电压输出的最大变化量为±5．5mV。 展开更多

关键词 无电阻带隙基准源 差分放大器 全数字工艺 自偏置电路 PTAT电压

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一种无需运放的低温漂带隙基准源设计 被引量：4

16

作者 沈勇 解光军 《合肥工业大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2010年第6期955-957,共3页

文章依据带隙基准电压源的基本原理设计了一种低温漂的带隙基准源，与传统带隙基准相比，所设计的电压源未使用运放。该基准电源电路有较低的温度系数和较高的电源抑制比，此外还增加了启动电路，以保证电路工作点正常。仿真结果表明，... 文章依据带隙基准电压源的基本原理设计了一种低温漂的带隙基准源，与传统带隙基准相比，所设计的电压源未使用运放。该基准电源电路有较低的温度系数和较高的电源抑制比，此外还增加了启动电路，以保证电路工作点正常。仿真结果表明，低频时电源抑制比可达85dB，在-20℃～100℃范围内输出变化仅为0．8mV，温度系数仅为4．968×10^-6，常温下输出电压为1．296V，电源电压范围为3．9～5．5V。 展开更多

关键词 带隙 启动电路 温度系数 基准电压源

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一种宽输入范围的高精度双极带隙基准源 被引量：6

17

作者 刘伟 郭尚尚 +1 位作者 黄东 商世广 《现代电子技术》 2022年第4期113-117,共5页

为了满足基准源在高压芯片中的使用需求,文中设计了一种宽输入范围的高精度双极带隙基准源。利用威尔逊电流源和反馈型电流源设计了一种新型的电流源电路,采用衬底漏电流补偿和高温补偿技术进行温度补偿,实现了较低的温度系数。文中设... 为了满足基准源在高压芯片中的使用需求,文中设计了一种宽输入范围的高精度双极带隙基准源。利用威尔逊电流源和反馈型电流源设计了一种新型的电流源电路,采用衬底漏电流补偿和高温补偿技术进行温度补偿,实现了较低的温度系数。文中设计基于华虹0.35μm BCD工艺,在Cadence环境下进行仿真。结果表明,在温度为-55~150℃和电源电压在5~36 V范围内,实现了温度系数为10.87 ppm/℃的稳定电压输出,基准的线性调整率为10.9μV/V,低频时电源电压抑制比为96.97 dB,有效验证了所设计的基准电压源具有结构简单、精度高和稳定性好的特性,能够很好地应用于高压芯片的设计中。 展开更多

关键词 带隙基准源 电流源电路 基准电压源 温度补偿 高压芯片设计 Cadence仿真

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多节锂电池过电压保护芯片的设计 被引量：3

18

作者 刘冬生 邹雪城 +1 位作者 杨秋平 李泳生 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2006年第2期79-82,共4页

文章提出了一种基于BiCOMS工艺的多节锂电池过电压保护芯片的设计。阐述了此芯片的系统结构,对芯片的关键电路的独特设计方法及原理进行了详细分析,最终给出芯片的测试结果。此芯片具有过电压探测时间可设计、低功耗、过电压检测精度高... 文章提出了一种基于BiCOMS工艺的多节锂电池过电压保护芯片的设计。阐述了此芯片的系统结构,对芯片的关键电路的独特设计方法及原理进行了详细分析,最终给出芯片的测试结果。此芯片具有过电压探测时间可设计、低功耗、过电压检测精度高等特点,可用于2节、3节或4节电池组的二级保护。 展开更多

关键词 二级保护 过电压检测 带隙基准 磁滞 降压电路 电流源

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