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一种高性能CMOS带隙电路的设计 被引量：1
1
作者 杨丰林 沈绪榜 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2002年第12期46-47,共2页
文章提出一种CMOS带隙参考源(BGR)电路设计,它可以在很宽的电压范围内有效的工作.能够在犤2.8V,10V犦范围内实现稳定工作。抗干扰能力强,结构相对简单,由CMOS运放、二极管以及电阻组成,用常规的0.6umCMOS工艺制作。在模拟环境下仿真结... 文章提出一种CMOS带隙参考源(BGR)电路设计,它可以在很宽的电压范围内有效的工作.能够在犤2.8V,10V犦范围内实现稳定工作。抗干扰能力强,结构相对简单,由CMOS运放、二极管以及电阻组成,用常规的0.6umCMOS工艺制作。在模拟环境下仿真结果表明其最小工作电压为2.75V,完全能够满足锁相环设计的要求。 展开更多
关键词 高性能cmos带隙电路 设计 模拟集成电路 带隙电路 锁相环
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一种高性能CMOS能隙基准电压源电路设计 被引量：8
2
作者 孟波 邹雪城 孟超 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2003年第8期161-162,166,共3页
文章介绍了一种0.35滋m工艺制作的能隙基准电压源电路。该电路具有高电压抑制比、低温度系数、抗失配的特点。该电路能被广泛的应用到一些精密集成电路中。
关键词 模拟集成电路 数模混合集成电路 O.35μm工艺 高性能cmos能隙基准电压源电路 电路设计
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一种高性能CMOS能隙电压参考源的设计 被引量：5
3
作者 薛庆华 周玉梅 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2003年第10期38-40,共3页
本文介绍了能隙电压源温度曲率校正的概念与原理,设计了一个CMOS工艺的高温校正的电流模式的能隙电压源.本电路采用温度补偿,从而使设计得到了简化.采用2μ mp阱CMOS工艺模型模拟分析可以发现该参考源在温度0℃～100℃范围内能够有较好... 本文介绍了能隙电压源温度曲率校正的概念与原理,设计了一个CMOS工艺的高温校正的电流模式的能隙电压源.本电路采用温度补偿,从而使设计得到了简化.采用2μ mp阱CMOS工艺模型模拟分析可以发现该参考源在温度0℃～100℃范围内能够有较好的温度特性. 展开更多
关键词 数字电路 模拟电路 温度补偿 cmos工艺 电流模式 能隙电压参考源 设计
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带有软启动电路的高精密CMOS带隙基准源 被引量：3
4
作者 张强 田泽 +2 位作者 王进军 刘宁 王谨 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2007年第6期84-87,90,共5页
提出了一种新颖的带有软启动的高精密CMOS带隙基准电压源。采用UMC的0.6μm2P2M标准CMOS工艺进行设计和仿真,HSPICE模拟表明该电路具有较高的精度和稳定性,带隙基准的输出电压为1.293V,在1.5V～4V的电源电压范围内基准随输入电压的最大... 提出了一种新颖的带有软启动的高精密CMOS带隙基准电压源。采用UMC的0.6μm2P2M标准CMOS工艺进行设计和仿真,HSPICE模拟表明该电路具有较高的精度和稳定性,带隙基准的输出电压为1.293V,在1.5V～4V的电源电压范围内基准随输入电压的最大偏移为0.27mV,基准的最大静态电流约为19μA;在-40℃～120℃的温度范围内,基准随温度的变化约为4.41mV,产生的偏置电流基本上不受电源电压的影响,而与温度成线性关系;在电源电压为3V时,基准的总电流约为14.25μA,功耗约为42.74μW;并且基准具有较高的PSRR和较低的噪声(小于500nV/HZ1/2),基准的输出启动时间约为25μs。 展开更多
关键词 cmos 带隙基准 软启动电路 温度补偿 电源抑制比
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两种新型CMOS带隙基准电路 被引量：10
5
作者 程军 陈贵灿 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2003年第7期67-70,共4页
文章介绍了两种CMOS带隙基准电路。它们在传统带隙基准电路的基础上,采用了低压共源共栅电流镜提供偏置电流,降低了功耗,减小了沟道长度调制效应带来的误差并使电路可以工作在较低的电源电压下;采用运放的输出作为共源共栅电流镜的偏置... 文章介绍了两种CMOS带隙基准电路。它们在传统带隙基准电路的基础上,采用了低压共源共栅电流镜提供偏置电流,降低了功耗,减小了沟道长度调制效应带来的误差并使电路可以工作在较低的电源电压下;采用运放的输出作为共源共栅电流镜的偏置电压,使基准电压不受电源电压变化的影响。其中一种电路,还通过两个串联二极管的原理提高ΔVBE,从而减小了运放失调的影响。仿真结果表明,在工艺偏差、电源电压变化±10%以及温度在-20至125℃范围内变化的情况下,两种CMOS带隙基准的输出电压分别是1.228±0.003V和1.215±0.003V,温度系数仅为33.7ppm/℃和34.1ppm/℃;在电源电压分别大于2V和2.8V时,电源电压的变化对这两种基准的输出电压几乎没有影响;在3.3v电源电压下两个电路的功耗分别小于0.1mW和0.34mW。 展开更多
关键词 cmos带隙基准电路 电源电压 专用集成电路 串联二极管
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精密CMOS带隙基准及过温保护电路设计 被引量：3
6
作者 张强 陈贵灿 +2 位作者 田泽 王进军 李攀 《电子工程师》 2007年第9期21-24,59,共5页
设计了一款带有软启动电路的精密CMOS带隙基准源,并且利用PN结正向导通电压具有负温度系数和基准源提供的偏置电流具有正温度系数的原理实现了过温保护功能。采用UMC公司0.6μm 2P2M标准CMOS工艺进行设计和仿真,HSPICE模拟表明带隙基准... 设计了一款带有软启动电路的精密CMOS带隙基准源,并且利用PN结正向导通电压具有负温度系数和基准源提供的偏置电流具有正温度系数的原理实现了过温保护功能。采用UMC公司0.6μm 2P2M标准CMOS工艺进行设计和仿真,HSPICE模拟表明带隙基准的输出电压为1.293 V,且具有较高的精度和稳定性。在1.5V^4.0V的电源电压范围内基准随输入电压的最大偏移为0.27 mV;在-40℃~120℃的温度范围内,基准随温度的变化约为4.41 mV;基准的输出启动时间约为25μs;当工作温度超过160℃时过温保护电路将输出使能信号关断整个系统。 展开更多
关键词 带隙基准 温度补偿 软启动电路 过温保护电路
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一款超低噪声快速启动的CMOS带隙基准电路设计 被引量：2
7
作者 刘鸿雁 来新泉 《电子工程师》 2006年第2期5-8,共4页
设计了一款主要应用于集成稳压器的精密CMOS带隙基准电路。在降低高频噪声、增强输出对电源纹波抑制能力的同时引入快速启动电路,改善了RC滤波电路限制基准启动速度的问题。采用HYNIX 0.5ΜM CMOS HSPICE模型进行仿真后表明,此款带隙基... 设计了一款主要应用于集成稳压器的精密CMOS带隙基准电路。在降低高频噪声、增强输出对电源纹波抑制能力的同时引入快速启动电路,改善了RC滤波电路限制基准启动速度的问题。采用HYNIX 0.5ΜM CMOS HSPICE模型进行仿真后表明,此款带隙基准电路在较宽的频带范围内,噪声只有8.5ΜV(RMS),电源抑制比(PSRR)为100 DB左右,启动时间在100ΜS以内。 展开更多
关键词 带隙基准电路 cmos 低噪声 高电源纹波抑制比 快速启动
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一种高电源抑制比低噪声快速启动的CMOS带隙基准电路设计
8
作者 来新泉 刘鸿雁 魏荣峰 《中国集成电路》 2005年第9期41-45,共5页
针对集成稳压器、射频电路等对精密电压基准的需求,本文设计了一款新型CMOS带隙基准电路。在降低高频噪声,增强输出对电源纹波抑制能力的同时引入快速启动电路,改善了RC滤波电路限制基准启动速度的问题。采用Hynix0.5μmCMOSHspice模型... 针对集成稳压器、射频电路等对精密电压基准的需求,本文设计了一款新型CMOS带隙基准电路。在降低高频噪声,增强输出对电源纹波抑制能力的同时引入快速启动电路,改善了RC滤波电路限制基准启动速度的问题。采用Hynix0.5μmCMOSHspice模型进行仿真后表明,此款带隙基准电路在较宽的频带范围内,噪声只有8.5μVrms,电源抑制比(PSRR)为100dB左右,启动时间在100μs以内。 展开更多
关键词 电源抑制比 带隙基准 cmos 电路设计 低噪声 快速启动 SPICE模型 精密电压基准 基准电路
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一款基于BiCMOS工艺的高PSRR带隙基准电路
9
作者 王松林 贾云斌 +1 位作者 来新泉 王红义 《电子质量》 2005年第1期32-34,共3页
　电压基准电路是目前广泛应用于直流电源变换器和数模/模数转换器件设计的一种电路单元。本文从基本工作原理出发,结合实际应用与理论推导,给出一款基于BiCMOS工艺的精确、高PSRR的带隙基准电路的设计。
关键词 BIcmos工艺 基准电路 模数转换器 电路单元 带隙 变换器 器件设计 电压基准 工作原理 直流电源
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一种CMOS带隙基准的软启动电路设计
10
作者 刘鸿雁 刘维京 《电子质量》 2012年第6期31-33,共3页
该文设计了一种应用于CMOS带隙基准的软启动电路,使电压基准能够快速、稳定地启动,并在其达到1V左右时自动关闭,对基准电路不产生影响,从而实现了软启动功能。采用Hynix0.5μmCMOS工艺和Hspice软件进行仿真后表明,设计的电路满足设计指... 该文设计了一种应用于CMOS带隙基准的软启动电路,使电压基准能够快速、稳定地启动,并在其达到1V左右时自动关闭,对基准电路不产生影响,从而实现了软启动功能。采用Hynix0.5μmCMOS工艺和Hspice软件进行仿真后表明,设计的电路满足设计指标要求,具有优良的性能。 展开更多
关键词 cmos带隙基准 启动电路 峰值电流镜
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0.5μmCMOS带隙基准电路设计 被引量：2
11
作者 张明英 朱刘松 邢立冬 《国外电子元器件》 2008年第12期79-81,共3页
依据带隙基准原理,采用华润上华(CSMC)0.5μm互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺,设计了一种用于总线低电压差分信号(Bus Low Voltage Differential Signal,简称BLVDS)的总线收发器带隙基准电路。该电路有较低的温度系数和较高的电源抑制比... 依据带隙基准原理,采用华润上华(CSMC)0.5μm互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺,设计了一种用于总线低电压差分信号(Bus Low Voltage Differential Signal,简称BLVDS)的总线收发器带隙基准电路。该电路有较低的温度系数和较高的电源抑制比。Hspice仿真结果表明,在电源电压VDD=3.3 V,温度T=25℃时,输出基准电压Vref=1.25 V。在温度范围为-45℃～+85℃时,输出电压的温度系数为20 pm/℃,电源电压的抑制比δ(PSRR)=-58.3 dB。 展开更多
关键词 模拟电路 电源 温度/带隙基准 抑制比 cmos工艺
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基于带隙基准的改进型像元共享CTIA红外读出电路设计
12
作者 王坤 关晓宁 +5 位作者 康智博 张凡 张焱超 邓旭光 周峰 芦鹏飞 《激光技术》 CAS CSCD 北大核心 2024年第6期816-821,共6页
为了提高红外读出电路动态范围、增强红外成像质量,加入暗电流抑制模块电路,设计了一种四像元分时共享的电容反馈跨阻放大器(CTIA)和带隙基准源相互配合的高性能红外读出电路。通过带隙基准源产生两个基准电压586 mV和293 mV,其中293 m... 为了提高红外读出电路动态范围、增强红外成像质量,加入暗电流抑制模块电路,设计了一种四像元分时共享的电容反馈跨阻放大器(CTIA)和带隙基准源相互配合的高性能红外读出电路。通过带隙基准源产生两个基准电压586 mV和293 mV,其中293 mV基准电压值的温漂系数达到1.49×10-6/℃,可对分流管的栅极和源极提供稳定的电压偏置,实现对暗电流的精准撇除。结果表明,该电路可实现电流信号从10 pA~10 nA宽动态范围的积分电压读出,读出数据通过线性拟合,拟合优度R 2达到0.9992,说明电路性能良好。此研究未来可应用到线列和面阵的红外探测器中。 展开更多
关键词 探测器 读出电路 暗电流抑制 像元共享 带隙基准
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低功耗CMOS带隙基准电压源设计 被引量：5
13
作者 黄灿英 陈艳 +1 位作者 朱淑云 吴敏 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2016年第3期245-248,共4页
从带隙基准原理出发,通过对传统的带隙基准电路中的反馈环路进行了改进,设计了一种带启动电路的带隙基准电压源。带隙基准电压源电路具有结构简单、功耗低、电压抑制比高以及温度系数低等特点。采用TSMC 0.13μm工艺对电路进行流片,管... 从带隙基准原理出发,通过对传统的带隙基准电路中的反馈环路进行了改进,设计了一种带启动电路的带隙基准电压源。带隙基准电压源电路具有结构简单、功耗低、电压抑制比高以及温度系数低等特点。采用TSMC 0.13μm工艺对电路进行流片,管芯面积为100μm×94μm。测试结果显示,电源电压1V时,在-30~120℃范围内温度系数为6.6×10-6/℃,功耗仅1.8μW;电源电压从0.76V变化到2V,输出电压偏差仅1.52mV,电源抑制比达58dB。 展开更多
关键词 带隙基准 低功耗 高电源抑制比 温度系数 互补金属氧化物半导体 启动电路
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一种CMOS带隙基准电路的设计
14
作者 王华 《钦州学院学报》 2007年第6期59-61,共3页
带隙基准源广泛应用于许多模拟集成电路中,其性能对这些系统具有重要影响.一种基于CMOS0.18u工艺的带隙基准电路,Hspice仿真表明其工作电压可以低至2.2V,输出基准电压为1.232V,具有良好的温度特性,可以应用于电源芯片或数模混合芯片中.
关键词 带隙基准源 运放 电路
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一种宽输入范围高PSR带隙基准电路设计
15
作者 李思源 李亚军 +1 位作者 张有涛 钱峰 《电子技术应用》 2024年第4期38-43,共6页
从DC-DC芯片电路的实际设计需求出发,设计了一款输入电压范围在2.5~15 V的带隙基准电路。通过预调节电路的设计,带隙基准核输出的基准电压转化为一个稳定的电流源,形成的负反馈结构给带隙基准核自身提供供电电压,提高了电源电压范围上限... 从DC-DC芯片电路的实际设计需求出发,设计了一款输入电压范围在2.5~15 V的带隙基准电路。通过预调节电路的设计,带隙基准核输出的基准电压转化为一个稳定的电流源,形成的负反馈结构给带隙基准核自身提供供电电压,提高了电源电压范围上限;通过电压选择电路,在电源电压低于5 V时使带隙基准核直接由电源电压供电,拓宽了电源电压范围的下限。同时,预调节电路和带隙基准核中共源共栅结构为电路带来了良好的电源抑制特性。设计基于0.25μm BCD工艺,完成了原理图、版图设计以及仿真,结果表明设计在-55℃~125℃的温度范围内,可以输出稳定的0.8 V电压,温度系数为7.78 ppm/℃;低频条件下PSR达到159 dB,线性调整率为0.0012%。 展开更多
关键词 带隙基准 PSR 预调节电路 电压选择电路
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BiCMOS带隙基准电压源的设计及应用 被引量：1
16
作者 王宇奇 何进 +4 位作者 张贵博 童志强 王豪 常胜 黄启俊 《电子技术应用》 北大核心 2016年第11期33-36,共4页
基于0.18μm SiGe BiCMOS工艺,设计了应用于一款"10-Gbps跨阻放大器(TIA)"芯片的带隙基准电压源。该带隙基准电压源工作在3.0 V^3.6 V的电源电压下,输出基准参考电压为1.2 V,温度系数为10.0 ppm/℃,低频时电源抑制比为-69 d B... 基于0.18μm SiGe BiCMOS工艺,设计了应用于一款"10-Gbps跨阻放大器(TIA)"芯片的带隙基准电压源。该带隙基准电压源工作在3.0 V^3.6 V的电源电压下,输出基准参考电压为1.2 V,温度系数为10.0 ppm/℃,低频时电源抑制比为-69 d B,具有良好的性能。应用该带隙基准电压源完成了TIA芯片中偏置电路模块的设计,该偏置电路除了提供偏置电流外,还具备带宽调节功能,可实现对TIA输出电压信号带宽进行7.9 GHz、8.9 GHz、9.8 GHz和10.1 GHz四档调节,提高了TIA芯片的应用性。目前,带隙基准电压源与偏置电路随TIA芯片正在进行MPW(多项目晶圆)流片。 展开更多
关键词 BI cmos 带隙基准电压源 偏置电路 带宽调节
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带使能控制的低功耗BiCMOS带隙基准电压源的设计
17
作者 冯秋霞 刘军 +1 位作者 蒋国平 孙俊岳 《电子科技》 2007年第12期54-59,共6页
基于0.6μm BiCMOS工艺设计了一种高稳定性、低功耗以及带有使能控制的带隙基准电压源,利用HSPICE仿真工具对电路进行了仿真。在3.6V的电源电压和27℃室温下,输出的基准电压约为1.248V,其温度系数为15×10-6/℃;当电源电压在2.7V～5... 基于0.6μm BiCMOS工艺设计了一种高稳定性、低功耗以及带有使能控制的带隙基准电压源,利用HSPICE仿真工具对电路进行了仿真。在3.6V的电源电压和27℃室温下,输出的基准电压约为1.248V,其温度系数为15×10-6/℃;当电源电压在2.7V～5.5V变化时,基准电压仅变化10 mV;同时电路亦输出逻辑使能信号;在全条件下,整个电路的最大功耗约为65.45μW。因具有低功耗和使能控制等特性,所以他可广泛应用在各种开关电源等芯片内部。 展开更多
关键词 带隙基准电压源电路 BIcmos 使能控制 低功耗
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一种带输出缓冲的低温度系数带隙基准电路 被引量：6
18
作者 陈磊 李萌 +2 位作者 张润曦 赖宗声 俞建国 《电子器件》 CAS 2008年第3期820-823,共4页
基于TSMC0.18μm标准CMOS标准工艺，提出了一种低温度系数，宽温度范围的带隙基准电压电路，该电路具有高电源抑制比，启动快及宽电源电压工作区域的优点，由于具备输出缓冲，可提供较低的输出阻抗及较高的电流负载能力。电路在-40℃到... 基于TSMC0.18μm标准CMOS标准工艺，提出了一种低温度系数，宽温度范围的带隙基准电压电路，该电路具有高电源抑制比，启动快及宽电源电压工作区域的优点，由于具备输出缓冲，可提供较低的输出阻抗及较高的电流负载能力。电路在-40℃到＋110℃的温度变化范围内，基准电压为2.3020V±0.0015V，温度系数仅为7.25×10^-6/℃（-40℃到＋110℃时），PSRR为64dB（11kHz处），电源电压变化范围为1.6-4.3V，输出噪声为5.018μV/√Hz（1kHz处）。 展开更多
关键词 带隙基准 低温度系数 PTAT电路 电源抑制比 压控振荡器
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一种低失调高PSRR的带隙基准电路 被引量：12
19
作者 李娅妮 孙亚东 王旭 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第5期92-96,共5页
针对带隙基准的精度会影响集成电路的性能问题,提出了一种新的带隙基准电路结构.通过采用负反馈补偿网络来增强电源抑制比,降低失调电压,从而提高了电路的稳定性和精度.基于SMIC 0.18μm 1.8V CMOS工艺,利用Cadence spectre仿真,结果表... 针对带隙基准的精度会影响集成电路的性能问题,提出了一种新的带隙基准电路结构.通过采用负反馈补偿网络来增强电源抑制比,降低失调电压,从而提高了电路的稳定性和精度.基于SMIC 0.18μm 1.8V CMOS工艺,利用Cadence spectre仿真,结果表明:在-30℃~100℃温度范围内,温漂系数为34.6×10^(-6)/℃;低频下电源抑制比为-63.5dB;功耗仅1.5μW.该电路适用于低压低功耗能量获取系统. 展开更多
关键词 带隙基准电路 电源抑制比 低失调 低功耗
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带有快速启动的高精密低噪声CMOS带隙基准 被引量：2
20
作者 张强 陈贵灿 +2 位作者 田泽 王进军 李攀 《现代电子技术》 2007年第20期150-153,共4页
提出了一种新颖的带有快速启动的高精密、低噪声CMOS带隙基准电压源。RC滤波电路的引入降低了基准在高频处的噪声、增加了输出基准的电源抑制比,快速启动电路的引入改善了RC滤波电路限制基准启动速度的问题,并且为了使基准在电源上电的... 提出了一种新颖的带有快速启动的高精密、低噪声CMOS带隙基准电压源。RC滤波电路的引入降低了基准在高频处的噪声、增加了输出基准的电源抑制比,快速启动电路的引入改善了RC滤波电路限制基准启动速度的问题,并且为了使基准在电源上电的过程中能够正常的工作而增加了软启动电路。采用UMC 0.6μm 2P2M标准CMOS工艺进行设计和仿真,HSpice模拟表明基准具有较高的精度和较低的噪声,电源抑制比PSRR约为-80 dB。此外,由于快速启动电路的存在使得基准的建立时间从20 ms降至70μs。 展开更多
关键词 cmos 带隙基准 低噪声 电源抑制比 软启动电路 快速启动电路
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