一种小型化高性能薄膜体声波双工器设计方法

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作者 张智欣 陈长娥 +5 位作者 韩茜茜 史向龙 魏家贵 苏波 范佰杰 林树超 《压电与声光》 CAS 北大核心 2024年第5期655-659,共5页

针对射频前端对双工器小型化的使用需求,采用拓扑结构设计、匹配设计、版图设计和封装设计等设计方法,研制出一款小型化高性能薄膜体声波(FBAR)双工器,其接收端频率为1805~1880 MHz,发射端频率为1710~1785 MHz,通带内整体插入损耗≤3.0 ... 针对射频前端对双工器小型化的使用需求,采用拓扑结构设计、匹配设计、版图设计和封装设计等设计方法,研制出一款小型化高性能薄膜体声波(FBAR)双工器,其接收端频率为1805~1880 MHz,发射端频率为1710~1785 MHz,通带内整体插入损耗≤3.0 dB,通道频段的相互抑制≥50 dB,隔离度≥50 dB,尺寸为2.0 mm×1.6 mm×0.9 mm。该双工器具有小体积、低插损、高阻带、高隔离等特性,符合应用系统对双工器的使用需求。 展开更多

关键词 高性能薄膜体声波(fbar) 双工器 小型化 高隔离 低插损

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薄膜体声波谐振器(FBAR)谐振特性的模拟分析 被引量：2

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作者 汤亮 郝震宏 乔东海 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第05B期1911-1916,1919,共7页

主要利用Mason等效电路模型对加入介质声损耗的薄膜体声波谐振器输入阻抗公式进行了推导,并利用该结果对薄膜体声波谐振器的谐振特性进行了模拟分析,分别就不同压电层材料和厚度以及不同电极材料和厚度对薄膜体声波谐振器谐振特性的影... 主要利用Mason等效电路模型对加入介质声损耗的薄膜体声波谐振器输入阻抗公式进行了推导,并利用该结果对薄膜体声波谐振器的谐振特性进行了模拟分析,分别就不同压电层材料和厚度以及不同电极材料和厚度对薄膜体声波谐振器谐振特性的影响进行了详细分析.结果表明,薄膜体声波谐振器谐振频率主要由压电材料和厚度决定但电极的影响也是很大的.在制作高频FBAR器件(5GHz以上)时,采用氮化铝作压电材料比用氧化锌作压电材料更合适. 展开更多

关键词 薄膜体声波谐振器(fbar) Mason等效电路模型 微波振荡器 双工器 射频微机电系统

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杂模抑制薄膜体声波谐振器的仿真分析 被引量：1

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作者 罗恩雄 张必壮 +2 位作者 吴坤 马晋毅 李思忍 《压电与声光》 CAS 北大核心 2024年第2期159-163,共5页

该文研究了电极边界阶梯结构对薄膜体声波谐振器(FBAR)杂波的影响。采用有限元仿真法讨论了阶梯结构宽度尺寸对杂波的抑制效果,结合振型分析该结构能抑制声波能量的泄露,提高器件品质因数。为了进一步验证仿真结果,实验制备了FBAR器件... 该文研究了电极边界阶梯结构对薄膜体声波谐振器(FBAR)杂波的影响。采用有限元仿真法讨论了阶梯结构宽度尺寸对杂波的抑制效果,结合振型分析该结构能抑制声波能量的泄露,提高器件品质因数。为了进一步验证仿真结果,实验制备了FBAR器件。测试结果表明,当该阶梯结构凸起宽度为3μm,凹陷宽度为1.5μm时,谐振器杂波被有效抑制,反谐振频率处的品质因数约增大100。 展开更多

关键词 薄膜体声波谐振器(fbar) 阶梯结构 杂模抑制 有限元

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L波段薄膜体声波谐振器纵波谐振频率计算 被引量：5

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作者 何移 高杨 +2 位作者 周斌 何婉婧 李君儒 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2014年第3期331-334,共4页

薄膜体声波谐振器(FBAR)电极层和压电层的厚度、材料是影响谐振频率的主要因素,确定各层的厚度和材料可得到期望的谐振频率。通过推导FBAR纵向运动应力方程,得到各层厚度、材料、频率参数与角频率相关的公式;采用MATLAB对FBAR各层应力... 薄膜体声波谐振器(FBAR)电极层和压电层的厚度、材料是影响谐振频率的主要因素,确定各层的厚度和材料可得到期望的谐振频率。通过推导FBAR纵向运动应力方程,得到各层厚度、材料、频率参数与角频率相关的公式;采用MATLAB对FBAR各层应力和位移的边界、连续性条件方程组的行列式进行牛顿迭代,得到各层的频率参数。将确定的各层厚度、材料参数值及由牛顿迭代得到的频率参数值代入公式,可以得出谐振频率为1.453 8GHz。采用ADS对具有与公式计算相同厚度、材料的FBAR进行纵向振动Mason模型等效电路仿真,得到仿真模型的谐振频率为1.463GHz。仿真验证结果表明,谐振频率公式计算值和模型仿真值较近,可采用频率公式计算L波段FBAR纵波谐振频率。 展开更多

关键词 薄膜体声波谐振器(fbar) 谐振频率 牛顿迭代 MATLAB Mason模型 ADS仿真

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C波段宽带薄膜体声波滤波器设计及验证 被引量：2

5

作者 蒋世义 蒋平英 +4 位作者 马晋毅 陈彦光 徐阳 刘娅 徐溢 《压电与声光》 CAS 北大核心 2023年第4期535-539,共5页

介绍了一种适用于三维堆叠的凸点式晶圆级封装的小型化C波段宽带薄膜体声波滤波器的设计方法,并进行了工艺验证。通过对压电层薄膜进行钪掺杂、材料参数提取、结构模型优化实现了相对带宽大于5%的薄膜体声波滤波器设计。通过表面硅基微... 介绍了一种适用于三维堆叠的凸点式晶圆级封装的小型化C波段宽带薄膜体声波滤波器的设计方法,并进行了工艺验证。通过对压电层薄膜进行钪掺杂、材料参数提取、结构模型优化实现了相对带宽大于5%的薄膜体声波滤波器设计。通过表面硅基微机电系统(MEMS)工艺制备与凸点式晶圆级封装实现滤波器制备。研制出标称频率5800 MHz、插入损耗小于2.8 dB、阻带抑制大于40 dBc、体积仅1.0 mm×1.0 mm×0.35 mm的C波段宽带薄膜体声波滤波器。 展开更多

关键词 薄膜体声波谐振器(fbar) 宽带 高抑制度

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用于C波段的薄膜体声波谐振器滤波器 被引量：4

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作者 李丽 赵益良 李宏军 《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第12期951-955,共5页

研制了一种工作于C波段的薄膜体声波谐振器(FBAR)滤波器。首先利用FBAR的一维Mason等效电路模型对谐振器进行设计,然后采用实际制作的谐振器模型构成阶梯型结构FBAR滤波器,利用ADS软件对FBAR滤波器进行电路原理图以及版图设计优化。仿... 研制了一种工作于C波段的薄膜体声波谐振器(FBAR)滤波器。首先利用FBAR的一维Mason等效电路模型对谐振器进行设计,然后采用实际制作的谐振器模型构成阶梯型结构FBAR滤波器,利用ADS软件对FBAR滤波器进行电路原理图以及版图设计优化。仿真结果表明,滤波器的中心频率为5.5 GHz,中心插损为1.79 dB,1 dB带宽为115 MHz,5.3 GHz处抑制为40.29 dBc,5.7 GHz处抑制为64.32 dBc。采用空气隙结构实现了C波段FBAR滤波器芯片,并采用陶瓷外壳进行气密封装。测试结果显示,滤波器的中心插损为2.19 dB,1 dB带宽为111 MHz,5.3 GHz处抑制为26.88 dBc,5.7 GHz处抑制为60.96 dBc。对测试结果与仿真结果的差异进行了分析。 展开更多

关键词 薄膜体声波谐振器(fbar) 滤波器 C波段 一维Mason模型 空气隙 芯片

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低温漂薄膜体声波谐振器研究 被引量：1

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作者 蒋世义 蒋平英 +4 位作者 刘娅 甄静怡 徐阳 彭霄 唐中剑 《压电与声光》 CAS 北大核心 2022年第2期171-174,共4页

该文介绍了一种基于空腔结构的温度补偿型薄膜体声波谐振器(TC-FBAR)。通过在压电层上方生长SiO_(2)温度补偿层,实现谐振器的低温漂。未采用温度补偿的薄膜体声波谐振器,其频率温度系数约为-25×10^(-6)/℃。通过适当的膜层结构设计... 该文介绍了一种基于空腔结构的温度补偿型薄膜体声波谐振器(TC-FBAR)。通过在压电层上方生长SiO_(2)温度补偿层,实现谐振器的低温漂。未采用温度补偿的薄膜体声波谐振器,其频率温度系数约为-25×10^(-6)/℃。通过适当的膜层结构设计,可使其频率温度系数在±3×10^(-6)/℃。结果表明,由于温度补偿层的增加,导致器件总体压电效应降低,使谐振器的有效机电耦合系数降低。低温漂谐振器的实现,为窄带低温漂滤波器的研制提供了有效的设计和工艺技术支撑。 展开更多

关键词 薄膜体声波谐振器(fbar) 频率温度系数 低温漂 温度补偿

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薄膜体声波滤波器的发展现状 被引量：8

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作者 徐学良 陆玉姣 +3 位作者 杨柳 杜波 蒋欣 马晋毅 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2017年第2期163-166,共4页

薄膜体声波谐振(FBAR)滤波器具有体积小,性能高,一致性及可制造性好等优势,相关产品已被广泛应用于移动通信市场。通过对FBAR技术的基本原理和器件结构,讨论了FBAR技术的现状及发展趋势,表明其未来向宽带化,高功率化,高温度稳定性及小... 薄膜体声波谐振(FBAR)滤波器具有体积小,性能高,一致性及可制造性好等优势,相关产品已被广泛应用于移动通信市场。通过对FBAR技术的基本原理和器件结构,讨论了FBAR技术的现状及发展趋势,表明其未来向宽带化,高功率化,高温度稳定性及小型化等方向发展。 展开更多

关键词 薄膜体声波谐振(fbar)滤波器 发展趋势 宽带化 高功率化 高温度稳定性 小型化

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C波段WLP薄膜体声波滤波器的研制 被引量：5

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作者 刘娅 孙科 +3 位作者 马晋毅 谢征珍 蒋平英 杜雪松 《压电与声光》 CAS 北大核心 2022年第2期260-263,共4页

该文研制了一种晶圆级封装(WLP)的C波段薄膜体声波谐振器(FBAR)滤波器。采用一维Mason等效电路模型对谐振器进行设计,并使用HFSS对电磁封装模型进行优化,再在ADS中对滤波器进行仿真优化设计,得到阶梯型结构的FBAR滤波器。采用空腔型结... 该文研制了一种晶圆级封装(WLP)的C波段薄膜体声波谐振器(FBAR)滤波器。采用一维Mason等效电路模型对谐振器进行设计,并使用HFSS对电磁封装模型进行优化,再在ADS中对滤波器进行仿真优化设计,得到阶梯型结构的FBAR滤波器。采用空腔型结构并制备出FBAR滤波器芯片,同时利用覆膜工艺对FBAR裸芯片进行覆膜和电镀等WLP工艺,得到WLP的FBAR器件。测试结果表明,滤波器的中心频率为6.09 GHz,中心插损为2.92 dB,通带插损为3.4 dB,带宽为112 MHz,带外抑制大于40 dB。 展开更多

关键词 薄膜体声波谐振器(fbar) Mason模型 晶圆极封装(WLP) 覆膜 插入损耗

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基于裸芯片覆膜的薄膜体声波滤波器 被引量：3

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作者 刘娅 马晋毅 +7 位作者 孙科 张必壮 罗方活 徐阳 蒋平英 谭发曾 许东辉 田本朗 《压电与声光》 CAS 北大核心 2021年第3期299-302,共4页

该文研制了一种空腔型的薄膜体声波谐振器(FBAR)滤波器裸芯片。利用FBAR一维Mason等效电路模型对谐振器进行设计,然后采用实际制作的谐振器模型形成阶梯型结构FBAR滤波器,利用ADS软件对FBAR滤波器裸芯片进行优化设计。仿真结果表明,FBA... 该文研制了一种空腔型的薄膜体声波谐振器(FBAR)滤波器裸芯片。利用FBAR一维Mason等效电路模型对谐振器进行设计,然后采用实际制作的谐振器模型形成阶梯型结构FBAR滤波器,利用ADS软件对FBAR滤波器裸芯片进行优化设计。仿真结果表明,FBAR滤波器裸芯片尺寸为1 mm×1 mm×0.4 mm,滤波器的中心频率为3 GHz,中心插损为1.3 dB。采用空腔型结构并制备出FBAR滤波器裸芯片,同时采用覆膜工艺对FBAR裸芯片表面进行覆膜保护,避免裸芯片在使用或运输等过程中被损坏。测试结果显示,覆膜前滤波器裸芯片的中心频率为2.993 GHz,中心插损为1.69 dB;覆膜后滤波器的中心频率为2.997 GHz,中心插损为1.51 dB。对覆膜的影响和覆膜前后的差异进行了分析。 展开更多

关键词 薄膜体声波谐振器(fbar) Mason模型 裸芯片 覆膜 插入损耗

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薄膜体声波谐振器Mason模型参数的提取方法 被引量：4

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作者 张必壮 唐小龙 +4 位作者 蒋平英 李华莉 廖书丹 刘娅 刘繁 《压电与声光》 CAS 北大核心 2022年第2期215-219,共5页

为了正确分析和设计薄膜体声波谐振器(FBAR)器件,需要对谐振器Mason模型中的仿真参数(如机电耦合系数、介电常数及粘滞系数等)进行准确提取。通过简谐近似,在Mason模型中引入了厚度方向位移的横向分量,提高了参数提取的准确性。使用谐... 为了正确分析和设计薄膜体声波谐振器(FBAR)器件,需要对谐振器Mason模型中的仿真参数(如机电耦合系数、介电常数及粘滞系数等)进行准确提取。通过简谐近似,在Mason模型中引入了厚度方向位移的横向分量,提高了参数提取的准确性。使用谐振器开路和短路图形的散射参数,提取了探针及测试焊盘的等效电路参数,对谐振器进行去嵌。根据拟合得到的模型参数,仿真了中心频率为5.43 GHz的滤波器。结果表明,采用该方法提取的模型参数仿真结果和滤波器探针测试曲线的通带形状吻合较好。 展开更多

关键词 薄膜体声波谐振器(fbar) Mason模型 参数提取 开路和短路去嵌

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薄膜体声波滤波器结构和设计 被引量：1

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作者 李彦睿 石玉 +1 位作者 杨杰 钟慧 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2011年第3期347-349,共3页

随着无线通信设备的小型化发展,薄膜体声波谐振器（FBAR）已成为国内外研究热点。该文综述了FBAR滤波器的拓扑结构、工作原理和仿真模型,并选择梯形滤波器方案,通过ADS射频仿真软件建立起MBVD一维等效电路模型模拟其传输特性。按照全球... 随着无线通信设备的小型化发展,薄膜体声波谐振器（FBAR）已成为国内外研究热点。该文综述了FBAR滤波器的拓扑结构、工作原理和仿真模型,并选择梯形滤波器方案,通过ADS射频仿真软件建立起MBVD一维等效电路模型模拟其传输特性。按照全球定位系统（GPS）滤波器设计要求,设计了频带为1 530~1 590 MHz的窄带滤波器。仿真表明,增加串、并联谐振器阶数可有效提高带外抑制,而减少其面积比在进一步增加带外抑制的同时,减少了插损和器件整体面积。设计所得滤波器带宽60 MHz,带外抑制50 dB,插损3 dB。 展开更多

关键词 薄膜体声波谐振器(fbar)滤波器 MBVD模型 全球定位系统(GPS) 仿真

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高阻带抑制FBAR滤波器

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作者 唐小龙 陈艳兵 +3 位作者 金中 吴高米 张必壮 蒋平英 《压电与声光》 北大核心 2025年第1期24-27,共4页

采用一维Mason模型,研究了薄膜体声波谐振器(FBAR)压电层/电极膜厚比对有效机电耦合系数的影响。随着压电层膜厚占比的增加,谐振器有效机电耦合系数逐渐增大,通过膜厚优化和流片实现了高频FBAR谐振器的研制。在采用梯形电路结构的基础上... 采用一维Mason模型,研究了薄膜体声波谐振器(FBAR)压电层/电极膜厚比对有效机电耦合系数的影响。随着压电层膜厚占比的增加,谐振器有效机电耦合系数逐渐增大,通过膜厚优化和流片实现了高频FBAR谐振器的研制。在采用梯形电路结构的基础上,研究了滤波器级数、串并联谐振器静态电容比、并联谐振器串联电感对滤波器阻带抑制的影响,通过工艺流片,制备了一款中心频率为4.4 GHz、通带最低损耗为2.3 dB、-1 dB带宽为112 MHz、通带两侧带外抑制优于50 dBc的FBAR滤波器芯片,为高频高抑制FBAR滤波器的研制提供了参考。 展开更多

关键词 薄膜体声波谐振器(fbar) 滤波器 高阻带抑制 Mason模型 高频

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X波段FBAR用AlN薄膜制备研究 被引量：3

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作者 彭华东 徐阳 +4 位作者 张永川 杜波 司美菊 蒋欣 赵明 《压电与声光》 CAS 北大核心 2019年第2期170-172,共3页

采用中频磁控溅射法,在硅基上制备了X波段薄膜体声波谐振器(FBAR)滤波器用AlN压电薄膜。对AlN薄膜进行了分析表征,结果表明,AlN压电薄膜具有良好的(002)面择优取向,摇摆曲线半峰宽为2.21°,膜厚均匀性优于0.5%,薄膜应力为-5.02 MPa... 采用中频磁控溅射法,在硅基上制备了X波段薄膜体声波谐振器(FBAR)滤波器用AlN压电薄膜。对AlN薄膜进行了分析表征,结果表明,AlN压电薄膜具有良好的(002)面择优取向,摇摆曲线半峰宽为2.21°,膜厚均匀性优于0.5%,薄膜应力为-5.02 MPa,应力可在张应力和压应力间进行调节。将该AlN薄膜制备工艺应用于FBAR器件的制作,研制出X波段FBAR器件,谐振频率为9.09 GHz,插入损耗为-0.38 dB。 展开更多

关键词 AlN 压电薄膜 中频磁控溅射 薄膜应力 薄膜体声波谐振器(fbar)

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体声波滤波器的设计与微加工方法 被引量：3

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作者 高杨 蔡洵 贺学锋 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2017年第2期157-162,共6页

提出了一种易于使用的薄膜体声波(FBAR)滤波器的4步设计方法,以一种FDD-LTE Band7的Rx滤波器为例展示了该方法的应用流程。第一步,根据FBAR滤波器的中心频率和带宽指标,确定FBAR薄膜叠层中各层薄膜的厚度。第二步,得到滤波器的电路结构... 提出了一种易于使用的薄膜体声波(FBAR)滤波器的4步设计方法,以一种FDD-LTE Band7的Rx滤波器为例展示了该方法的应用流程。第一步,根据FBAR滤波器的中心频率和带宽指标,确定FBAR薄膜叠层中各层薄膜的厚度。第二步,得到滤波器的电路结构。第三步,得到每个FBAR单元的谐振区面积;为此,将串联FBAR单元的谐振区面积、并联FBAR单元与串联FBAR单元的谐振区面积比值作为两组优化参数;将给定滤波器的插入损耗和带外抑制指标作为优化目标,利用ADS软件中的梯度优化算法,得到其优化值。第四步,旨在使滤波器的带内纹波最小化。设计中采用一种新的FBAR电极厚度调整方法,故意使串联FBAR的串联谐振频率与并联FBAR的并联谐振频率频率值不等,但相差很小,实现了该目标。由于案例设计结果中,SiO2支撑层的厚度仅300nm,需要在背面通孔刻蚀的微加工工艺中工序保留良好,因此,提出了一种基于绝缘衬底上的Si(SOI)圆片中埋氧层(BOX)缓冲的两步通孔刻蚀工艺方案,该方法利用了BOX的刻蚀自停止特性。研究结果表明,Rx滤波器插入损耗为0.6dB,在Tx频段的带外抑制为40.4dB,带内纹波为0.4dB。由此验证了该设计方法的可行性。 展开更多

关键词 微机电系统(MEMS) 滤波器 薄膜体声波谐振器(fbar) 谐振区面积 优化参数 带内纹波

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FBAR电极和压电薄膜制备工艺研究 被引量：1

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作者 高渊 宋洁晶 +3 位作者 李亮 赵洋 吕鑫 冀子武 《半导体技术》 北大核心 2023年第12期1103-1107,共5页

薄膜体声波谐振器(FBAR)制备工艺中,压电薄膜及金属电极的质量和形貌直接影响了器件的性能如品质因数、插入损耗及带宽等。研究了决定FBAR性能的关键工艺,包括Mo电极的刻蚀、AlN压电薄膜的溅射和腐蚀,从而实现高质量电极及压电薄膜结构... 薄膜体声波谐振器(FBAR)制备工艺中,压电薄膜及金属电极的质量和形貌直接影响了器件的性能如品质因数、插入损耗及带宽等。研究了决定FBAR性能的关键工艺,包括Mo电极的刻蚀、AlN压电薄膜的溅射和腐蚀,从而实现高质量电极及压电薄膜结构。同步调节光刻胶掩膜侧壁角度和刻蚀选择比,得到了平缓的底电极侧壁角度,实现了有利于AlN溅射连续性的底电极形貌,通过调节溅射工艺中N_(2)流量组分和温度等参数得到高质量的AlN薄膜,对比不同质量分数和温度的腐蚀溶液对AlN腐蚀工艺的影响,对AlN腐蚀不净及钻蚀问题进行分析,得到最佳的AlN腐蚀条件。最终工艺优化后制备出的FBAR经测试具有良好的滤波器特性,该研究对FBAR制备工艺和性能的提升具有借鉴意义。 展开更多

关键词 薄膜体声波谐振器(fbar) 溅射 刻蚀 选择比 腐蚀

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基于微流体技术的FBAR微质量传感器 被引量：1

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作者 吕启蒙 吴光敏 +2 位作者 楚合群 JOHN D Mai 陈剑鸣 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2013年第5期686-689,693,共5页

基于微机电系统(MEMS)技术的薄膜体声波谐振器(FBAR)在无线通讯领域取得了巨大的成功后,由于其具备厚度薄,体积小,与IC兼容及谐振频率和灵敏度都远高于传统的微质量传感器(如石英晶体微天平)等优势,逐渐在微生物分子检测方面崭露头角。... 基于微机电系统(MEMS)技术的薄膜体声波谐振器(FBAR)在无线通讯领域取得了巨大的成功后,由于其具备厚度薄,体积小,与IC兼容及谐振频率和灵敏度都远高于传统的微质量传感器(如石英晶体微天平)等优势,逐渐在微生物分子检测方面崭露头角。由于微生物分子大都生存于液体环境,而纵波模式下FBAR微质量传感器在液体环境中声波损耗大,其品质因数Q值只有3.53。因此,该文在分析了纵波模式下FBAR微质量传感器在气相和液相环境中的特性后,针对液相环境中传感器Q值较低问题,设计了一种具有微通道的FBAR微质量传感器,使其Q值达到30.85,增加了近9倍,从而提升了纵波模式下FBAR微质量传感器对液体中微生物分子检测的性能。 展开更多

关键词 薄膜体声波谐振器（fbar） 微机电系统（MEMS） 微流体 微质量传感器 品质因数

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温补型体声波滤波器设计与制备

18

作者 张智欣 陈晓阳 +2 位作者 陈长娥 闫鑫 林树超 《压电与声光》 CAS 北大核心 2022年第2期242-245,共4页

基于薄膜体声波谐振器(FBAR)技术的滤波器频率温度系数为(-30~-25)×10^(-6)/℃,其电学性能受环境温度影响较大,将降低滤波器在全温工作的性能,限制其应用环境,尤其是对滤波器通带插损与矩形系数要求高的应用场合。该文在常规FBAR... 基于薄膜体声波谐振器(FBAR)技术的滤波器频率温度系数为(-30~-25)×10^(-6)/℃,其电学性能受环境温度影响较大,将降低滤波器在全温工作的性能,限制其应用环境,尤其是对滤波器通带插损与矩形系数要求高的应用场合。该文在常规FBAR滤波器中引入正温度系数的SiO_(2)材料层,通过对滤波器的层叠位置设计及加工工艺等技术的研究,研制出S波段温补型FBAR滤波器器件,其工作频率为3.1 GHz,插入损耗为2.0 dB,带外抑制不小于30 dB,频率温度系数为-0.02×10^(-6)/℃。 展开更多

关键词 薄膜体声波谐振器(fbar) 滤波器 温补层 SiO_(2) 频率温度系数

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S波段FBAR滤波器芯片的研制 被引量：9

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作者 李丽 郑升灵 +1 位作者 李丰 李宏军 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2013年第5期617-619,623,共4页

采用完全自主的薄膜体声波谐振器(FBAR)滤波器设计、工艺技术,制备了S波段FBAR滤波器芯片。该FBAR滤波器的电路结构为梯形结构,采用一维Mason模型进行了仿真、优化。在工艺上采用空气隙型结构,突破了高c轴取向AlN压电薄膜淀积、精密空... 采用完全自主的薄膜体声波谐振器(FBAR)滤波器设计、工艺技术,制备了S波段FBAR滤波器芯片。该FBAR滤波器的电路结构为梯形结构,采用一维Mason模型进行了仿真、优化。在工艺上采用空气隙型结构,突破了高c轴取向AlN压电薄膜淀积、精密空气腔制作等关键工艺技术,制备的4节FBAR滤波器中心频率为2 340MHz,3dB带宽为25MHz,中心插损为3.8dB,矩形系数达2.24∶1,输入、输出阻抗均为50Ω,芯片体积仅为1mm×1mm×0.3mm,该性能与同频率、同带宽的介质滤波器性能进行了对比,体积可缩小几千倍,矩形系数优于介质滤波器。 展开更多

关键词 薄膜体声波谐振器（fbar）滤波器 一维Mason模型 AlN压电薄膜 空气腔

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一款2.4 GHz WiFi频段FBAR带通滤波器设计 被引量：3

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作者 唐小龙 刘娅 +7 位作者 蒋平英 张必壮 徐瑞豪 刘繁 张建清 司美菊 吕俊豪 杜雪松 《压电与声光》 CAS 北大核心 2022年第2期191-193,198,共4页

该文设计了一款2.4 GHz WiFi频段(2401~2483 MHz)薄膜体声波谐振器(FBAR)滤波器。采用一维Mason电路模型,在ADS中搭建了阶梯形滤波器电路;在HFSS中建立了封装结构和测试电路有限元电磁模型,并在ADS中完成了联合仿真设计。通过微机电系统... 该文设计了一款2.4 GHz WiFi频段(2401~2483 MHz)薄膜体声波谐振器(FBAR)滤波器。采用一维Mason电路模型,在ADS中搭建了阶梯形滤波器电路;在HFSS中建立了封装结构和测试电路有限元电磁模型,并在ADS中完成了联合仿真设计。通过微机电系统(MEMS)工艺制备与测试,滤波器在2401~2483 MHz频段的插入损耗≤2.2 dB。在2520~2900 MHz处,带外抑制≥40 dB,滤波器体积仅1.1 mm×0.9 mm×0.65 mm。 展开更多

关键词 薄膜体声波谐振器(fbar) WiFi频段 体声波(BAW) 滤波器 Mason模型

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