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题名碲镉汞高温红外探测器组件进展
被引量：9
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作者
陈军
习中立
秦强
邓功荣
罗云
赵鹏
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机构
昆明物理研究所
华中科技大学能源与动力工程学院
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出处
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2023年第1期16-22,共7页
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文摘
高工作温度红外探测器组件是第三代红外探测器技术的重要发展方向,可用于高工作温度红外探测器的基础材料主要有锑基和碲镉汞两大类。介绍了昆明物理研究所在高工作温度红外焦平面探测器组件方面的最新研究进展,其中基于碲镉汞材料p-on-n技术研制的高工作温度中波640×512探测器组件在150 K温区性能优异,探测器的噪声等效温差(NETD)小于20 mK,配置了高效动磁式线性制冷机的高温探测器组件(IDDCA结构),质量小于270 g,探测器组件光轴方向长度小于70 mm(F4),室温环境下组件稳态功耗小于2.5 Wdc,降温时间小于80 s,声学噪声小于27 dB,探测器光轴方向自身振动力最大约1.1 N。目前正在进行环境适应性和可靠性验证,完成后就可实现商用量产。
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关键词
高工作温度器件
碲镉汞
锑砷铟
p-on-n
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Keywords
high operating temperature(HOT)detectors
HgCdTe
InAsSb
p-on-n
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分类号
TN215
[电子电信—物理电子学]
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