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高密度等离子体化学气相淀积(HDP CVD)工艺 被引量:3
1
《中国集成电路》 2007年第2期65-67,61,共4页
随着半导体技术的飞速发展,单个芯片上所能承载的晶体管数量以惊人的速度增长,与此同时,半导体制造商们出于节约成本的需要迫切地希望单个晶圆上能够容纳更多的芯片。这种趋势推动了半导体器件特征尺寸的显著减小,相应地也对芯片制... 随着半导体技术的飞速发展,单个芯片上所能承载的晶体管数量以惊人的速度增长,与此同时,半导体制造商们出于节约成本的需要迫切地希望单个晶圆上能够容纳更多的芯片。这种趋势推动了半导体器件特征尺寸的显著减小,相应地也对芯片制造工艺提出了更高的要求,其中一个具有挑战性的难题就是绝缘介质在各个薄膜层之间均匀无孔的填充,以提供充分有效的隔离保护,包括浅槽隔离(Shallow—Trench—Isolation),金属前绝缘层(Pre—Met—al—Dielectric),金属层间绝缘层(Inter—Metal—Dielec—tric)等等。本文所介绍的高密度等离子体化学气相淀积(HDPCVD)工艺自20世纪90年代中期开始被先进的芯片工厂采用以来,以其卓越的填孔能力、稳定的淀积质量、可靠的电学特性等诸多优点而迅速成为0.25微米以下先进工艺的主流。图1所示即为在超大规模集成电路中HDPCVD工艺的典型应用。 展开更多
关键词 等离子体化学 制造工艺 高密度 超大规模集成电路 Metal 半导体技术 晶体管数量 半导体器件
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高频等离子体化学气相淀积法制备TiO_2超细粒子 被引量:8
2
作者 朱宏杰 王新 +1 位作者 李春忠 胡黎明 《华东理工大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 1994年第5期591-594,共4页
利用TiCl_4+O_2体系,在高频等离子体化学气相淀积反应器中合成了纯度高、粒度细的TiO_2粒子。考察了工艺条件对TiO_2粒子物性的影响;探讨了TiO_2粒子晶型控制的方法。金红石型质量分数可通过工艺条件控制,... 利用TiCl_4+O_2体系,在高频等离子体化学气相淀积反应器中合成了纯度高、粒度细的TiO_2粒子。考察了工艺条件对TiO_2粒子物性的影响;探讨了TiO_2粒子晶型控制的方法。金红石型质量分数可通过工艺条件控制,减少TiO_2单体浓度可提高金红石型质量分数;也可通过在原料TiCl_4中添加AlCl_3等晶型转化剂,使产品转化为单一金红石型TiO_2。 展开更多
关键词 二氧化钛 化学 超细粒子
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等离子体增强化学气相淀积a-SiCOF薄膜的稳定性研究
3
作者 丁士进 张庆全 +2 位作者 王鹏飞 张卫 王季陶 《高技术通讯》 EI CAS CSCD 2001年第11期52-55,共4页
以正硅酸乙酯 (TEOS) /C4 F8/Ar为气源 ,采用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)方法制备了低介电常数a SiCOF介质薄膜 ,并借助X射线光电子能谱 (XPS)和傅立叶变换红外光谱 (FTIR)对薄膜的化学键结构、热稳定性和抗吸水性进行了研究。
关键词 等离子体增强化学 a-SiCOF薄膜 稳定性 XPS FTIR 红外光谱 掺碳 掺氟 氧化硅薄膜
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添加H_2对SiH_4/N_2/Ar等离子体淀积的氮化硅电学和光学特性的影响
4
作者 景亚霓 钟传杰 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第24期9-13,共5页
研究了加H2对SiH4/N2/Ar高密度、低离子能量的等离子体淀积的氮化硅薄膜(淀积的衬底温度为400℃)电学和光学性能的影响。实验结果表明,加入H2使氮化硅薄膜的光学带隙增加,其折射率以及在氢氟酸缓冲液中腐蚀速率减小,而XPS测试的N、Si原... 研究了加H2对SiH4/N2/Ar高密度、低离子能量的等离子体淀积的氮化硅薄膜(淀积的衬底温度为400℃)电学和光学性能的影响。实验结果表明,加入H2使氮化硅薄膜的光学带隙增加,其折射率以及在氢氟酸缓冲液中腐蚀速率减小,而XPS测试的N、Si原子比没有改变,均为1.3。FTIR测量表明,样品中Si-H键的密度低于仪器检测限,而添加H2的样品中N-H键密度稍增加。此外,由淀积的氮化硅膜构成的MIS结构的高频C-V测试(1 MHz)显示,当氢气流量从零增加到8sccm时,高频C-V的回滞幅度从(0.40±0.05)V降低到(0.10±0.01)V。基于这些实验结果和理论分析,表明了加适量H2能够促进弱的Si-Si键以及Si和N的悬挂键向Si-N键转化。 展开更多
关键词 等离子增强化学 氮化硅 添加 光学带隙 高频电容-电压特性
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激光诱导等离子体淀积薄膜过程的研究
5
作者 张贵银 荆一东 《四川工业学院学报》 2001年第4期66-67,共2页
用激波理论推出了激光诱导等离子体化学气相淀积过程中两个重要参量薄膜面积、膜淀积速率的表达式。分析了激光强度、气体压强、基片温度对淀积过程的影响 。
关键词 激光诱导等离子体化学 薄膜面 速率 薄膜 制备
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化学气相淀积反应器中超细粒子的形态控制 Ⅰ.TiO_2超细粒子的制备 被引量:7
6
作者 胡黎明 李春忠 +1 位作者 姚光辉 陈敏恒 《华东化工学院学报》 CSCD 1992年第4期428-433,共6页
利用Ti(OC)4H_9)4高温气相裂解反应合成了TiO_2超细粒子粉末,确立了无定形、锐钛、金红石三种形式的TiO_2粒子合成工艺条件。对淀积物进行了XRD、BET、TEM和激光光散射分析,系统地研究了反应温度、反应物初始浓度和停留时间对产物形态... 利用Ti(OC)4H_9)4高温气相裂解反应合成了TiO_2超细粒子粉末,确立了无定形、锐钛、金红石三种形式的TiO_2粒子合成工艺条件。对淀积物进行了XRD、BET、TEM和激光光散射分析,系统地研究了反应温度、反应物初始浓度和停留时间对产物形态、晶体组成的影响。 展开更多
关键词 二氧化钛 化学 超细粉
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化学气相淀积反应器内TiCl_4氧化反应动力学 被引量:5
7
作者 王松 胡黎明 +1 位作者 郑柏存 古宏晨 《华东化工学院学报》 CSCD 1992年第4期440-444,共5页
采用原位红外测试技术,在线观测了化学气相淀积反应器内TiCl<sub>4</sub>的均相氧化反应。捕获了两种重要活性中间体TiCl<sub>3</sub>和TiOCl<sub>2</sub>,从而导出该反应的机理模型。并采用尾气... 采用原位红外测试技术,在线观测了化学气相淀积反应器内TiCl<sub>4</sub>的均相氧化反应。捕获了两种重要活性中间体TiCl<sub>3</sub>和TiOCl<sub>2</sub>,从而导出该反应的机理模型。并采用尾气红外定量分析方法得到了TiCl<sub>4</sub>氧化反应的动力学方程及反应活化能。反应活化能:66.8 kJ/mol,指前因子:2.45×10<sup>2</sup>/s。 展开更多
关键词 四氟化钛 二氧化钛 化学
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TiCl_4-O_2-H_2O体系化学气相淀积TiO_2超细粒子 被引量:7
8
作者 姚光辉 李春忠 胡黎明 《华东化工学院学报》 CSCD 1992年第4期449-454,T001,共7页
研究了反应参数对TiO_2超细粒子化学成分、平均粒径、粒径分布、粒子形貌和结构等的影响规律。结果表明:粒径随着TiCl_4分压的降低、氧气分压和反应温度的升高而减小;随着水分压的变化,粒径存在一最小值。合成的TiO_2粒子呈锐钛型,经95... 研究了反应参数对TiO_2超细粒子化学成分、平均粒径、粒径分布、粒子形貌和结构等的影响规律。结果表明:粒径随着TiCl_4分压的降低、氧气分压和反应温度的升高而减小;随着水分压的变化,粒径存在一最小值。合成的TiO_2粒子呈锐钛型,经950℃热处理后转变为金红石。 展开更多
关键词 化学 二氧化钛 金红石
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氯参与的化学气相淀积金刚石的热力学分析 被引量:1
9
作者 刘志杰 张卫 +4 位作者 张剑云 万永中 王季陶 曹传宝 朱鹤孙 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1999年第1期111-114,共4页
用非平衡热力学耦合模型研究了金刚石在CHCl体系中的生长,计算所得CHCl体系的金刚石生长的相图与大量实验结果符合良好.
关键词 金刚石 化学 热力学
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化学气相淀积在无机新材料制备中的应用 被引量:13
10
作者 郭新 袁润章 《材料科学与工程》 CSCD 1994年第1期58-61,65,共5页
本文讨论了化学气相淀积在超细粉,纳米复合材料及梯度功能材料制备中的应用,并结合实例分析了化学气相淀积的工艺特性及所制备材料的性能、显微组织特点。
关键词 化学 制备 无机材料
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弛豫锗硅减压化学气相淀积的CFD模型及仿真 被引量:1
11
作者 戴显英 郑若川 +5 位作者 郭静静 张鹤鸣 郝跃 邵晨峰 吉瑶 杨程 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第5期186-191,共6页
基于SiGe材料化学气相淀积(CVD)生长原理,针对减压化学气相淀积(RPCVD)系统,建立了弛豫锗硅RPCVD的计算流体动力学仿真模型及相应的流体模型,采用Fluent软件对流量、压强、基座转速等工艺参数对反应室中气体密度场和速度场的影响进行了... 基于SiGe材料化学气相淀积(CVD)生长原理,针对减压化学气相淀积(RPCVD)系统,建立了弛豫锗硅RPCVD的计算流体动力学仿真模型及相应的流体模型,采用Fluent软件对流量、压强、基座转速等工艺参数对反应室中气体密度场和速度场的影响进行了模拟仿真及分析.模拟结果表明,流量为50L/min、压强为2 666.44Pa、基座转速为35r/min时,基座上方流场的均匀性最佳.采用仿真优化的工艺条件进行了弛豫SiGe的RPCVD实验,其SiGe薄膜厚度分布实验结果与弛豫SiGe前驱体SiH2Cl2的Fluent浓度分布模拟结果一致,验证了该模型的正确性。 展开更多
关键词 弛豫锗硅 减压化学 计算流体动力学模型 密度分布
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化学气相淀积反应器中超细粒子的形态控制 Ⅲ.TiO_2超细粒子晶体组成 被引量:2
12
作者 胡黎明 古宏晨 +1 位作者 李春忠 陈敏恒 《华东化工学院学报》 CSCD 1992年第4期444-449,共6页
在超细粒子粒度及粒度分布控制模型的基础上,对快相变速率和慢相变速率两种晶型转变情形,建立了化学气相淀积合成超细粒子过程中,表征超细粒子晶体组成及含量的物理模型和数学模型。利用该模型探讨了物系参数和操作参数对超细粒子晶体... 在超细粒子粒度及粒度分布控制模型的基础上,对快相变速率和慢相变速率两种晶型转变情形,建立了化学气相淀积合成超细粒子过程中,表征超细粒子晶体组成及含量的物理模型和数学模型。利用该模型探讨了物系参数和操作参数对超细粒子晶体组成的影响,理论预测和实验结果相一致。 展开更多
关键词 化学 二氧化钛 钛酸丁酯
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SnO_2薄膜的化学气相淀积 Ⅰ.SnO_2薄膜的制备过程动力学 被引量:3
13
作者 姚光辉 韩杰 袁渭康 《华东化工学院学报》 CSCD 1990年第3期245-249,共5页
利用化学气相淀积方法,在载玻片上淀积二氧化锡薄膜,研究了过程的动力学特征,考察了不同操作参数对淀积速率的影响。建立了淀积速率与反应气体分压的关系式,并初步提出了淀积过程的反应原理。
关键词 二氧化锡 薄膜 化学
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卤素原子在化学气相淀积金刚石薄膜过程中的作用 被引量:1
14
作者 刘志杰 张卫 +1 位作者 万永中 王季陶 《高技术通讯》 EI CAS CSCD 1998年第6期43-46,共4页
根据非平衡热力学耦合模型计算得到了碳氢氟和碳氢氯体系低压金刚石生长的非平衡定态相图,计算结果与大量实验事实符合良好,可以为实验研究提供理论指导。还详细讨论了卤素原子在金刚石薄膜淀积过程中的作用。
关键词 卤素 化学 金刚石 薄膜 非平衡热力学
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AlCl_3-NH_3-N_2体系化学气相淀积AIN超细粒子 Ⅱ.AIN的粒度及分布模型 被引量:1
15
作者 李春忠 姚光辉 +2 位作者 胡黎明 袁渭康 陈敏恒 《华东化工学院学报》 CSCD 1992年第4期461-467,共7页
考虑轴向温度分布和浓度分布,建立了热化学气相淀积反应器中描述粒子粒度及分布的一维反应-凝并模型。研究了AlCl_3-NH_3-N_2体系物系参数和操作参数对AlN超细粒子粒度及分布的影响。温度通过改变反应速率、气体粘度和平均分子自由程等... 考虑轴向温度分布和浓度分布,建立了热化学气相淀积反应器中描述粒子粒度及分布的一维反应-凝并模型。研究了AlCl_3-NH_3-N_2体系物系参数和操作参数对AlN超细粒子粒度及分布的影响。温度通过改变反应速率、气体粘度和平均分子自由程等影响AlN粒子的合成,并存在最佳温度分布;随停留时间的增加,AlN粒子粒度增大,几何标准方差GSD减小;反应物浓度升高时,AlN粒子粒度增大,但GSD变化不大。模型化研究结果和实验结果相一致。 展开更多
关键词 化学 氮化铝 超细粉 粒子
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Al-Cl-N-H体系化学气相淀积AIN粉末的热力学研究 被引量:1
16
作者 李春忠 胡黎明 +2 位作者 姚光辉 袁渭康 陈敏恒 《华东化工学院学报》 CSCD 1992年第4期530-535,共6页
给出了Al-Cl-N-H体系的一组关联反应,探讨了化学气相淀积过程的关联反应热力学特性。根据Gibbs自由焓最小的原则,研究了Al-Cl-N-H体系的平衡组成。Al-Cl-N-H体系合成AlN超细粒子粉末的最佳温度为600~1200℃,AlN平衡得率和体系的初始组... 给出了Al-Cl-N-H体系的一组关联反应,探讨了化学气相淀积过程的关联反应热力学特性。根据Gibbs自由焓最小的原则,研究了Al-Cl-N-H体系的平衡组成。Al-Cl-N-H体系合成AlN超细粒子粉末的最佳温度为600~1200℃,AlN平衡得率和体系的初始组成有关,AlCl_2和AlCl的平衡得率随温度的升高而增大。 展开更多
关键词 氮化铝 化学
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化学气相淀积在集成电路制造后段工艺中的应用 被引量:1
17
作者 易万兵 涂瑞能 +3 位作者 张炳一 吴谨 毛杜立 邹世昌 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第11期35-38,共4页
介绍了CVD技术的原理和分类。对不同种类的CVD薄膜进行了比较和分析,并主要讨论了 CVD绝缘介质薄膜在后段工艺中的应用。
关键词 化学 集成电路制造 后段工艺
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低压化学气相淀积低应力氮化硅工艺研究 被引量:4
18
作者 王敬轩 商庆杰 杨志 《电子与封装》 2021年第8期94-98,共5页
微机械加工(Micro-Electro Mechanical System,MEMS)工艺中常需要应用到低应力氮化硅作为结构层或钝化层材料,以降低圆片的翘曲。通过采用低压化学气相淀积工艺(Low Pressure Chemical-Vapor Deposition,LPCVD),优化工艺中反应气体流量... 微机械加工(Micro-Electro Mechanical System,MEMS)工艺中常需要应用到低应力氮化硅作为结构层或钝化层材料,以降低圆片的翘曲。通过采用低压化学气相淀积工艺(Low Pressure Chemical-Vapor Deposition,LPCVD),优化工艺中反应气体流量比,可以得到应力低于200 MPa的氮化硅薄膜。针对工艺中存在的片间应力以及薄膜厚度均匀性差的问题,采用二次离子质谱测试(Secondary Ion Mass Spectroscopy,SIMS)的方式,分析出反应气体的消耗造成的反应气体比例变化是引起该问题的主要因素。通过优化工艺参数,得到了片间应力在100~150 MPa之间、厚度均匀性5%以内的低应力氮化硅薄膜,可实现50片/炉的工艺能力,可批量应用于MEMS工艺中。 展开更多
关键词 微机械加工 低压化学 低应力氮化硅 均匀性
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光加热低压金属有机化学气相淀积生长AlGaN
19
作者 周玉刚 李卫平 +7 位作者 沈波 陈鹏 陈志忠 臧岚 张荣 顾书林 施毅 郑有翀 《高技术通讯》 EI CAS CSCD 2000年第8期34-36,共3页
采用光加热低压金属有机化学气相淀积方法成功地制备出高质量的、组分均匀的AlGaN外延层。结果表明 ,铝和镓的并入效率基本相等 ,这有别于其他研究报道。此外 ,建立了铝相对镓的并入效率与气相预反应之间的关系模型 ,它表明 ,光加热对... 采用光加热低压金属有机化学气相淀积方法成功地制备出高质量的、组分均匀的AlGaN外延层。结果表明 ,铝和镓的并入效率基本相等 ,这有别于其他研究报道。此外 ,建立了铝相对镓的并入效率与气相预反应之间的关系模型 ,它表明 ,光加热对预反应有较大的影响。结合GaN的生长可以看出 ,光加热有利于抑制预反应 ,从而有利于提高样品质量和铝组分的均匀性。 展开更多
关键词 ALGAN GAN 金属有机化学 寄生反应 光加热
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立式冷壁反应器中化学气相淀积TiN涂层 Ⅰ.淀积参数对反应速率和涂层质量的影响
20
作者 丁平 盛明慧 +3 位作者 丛德滋 韩杰 陈良恒 袁渭康 《华东化工学院学报》 CSCD 1990年第3期255-260,共6页
在立式冷壁CVD反应器中,用TiCl_4-H_2N_2和TiCl_4-H_2N_2-Ar为反应物源,在YT15硬质合金刀片上淀积TiN涂层。研究了淀积参数对淀积薄膜质量和淀积速率的影响。得到的TiN_x涂层外观光洁,呈金黄色,x为0.8~1.6,淀积速率15~60m^(-6)/h,显... 在立式冷壁CVD反应器中,用TiCl_4-H_2N_2和TiCl_4-H_2N_2-Ar为反应物源,在YT15硬质合金刀片上淀积TiN涂层。研究了淀积参数对淀积薄膜质量和淀积速率的影响。得到的TiN_x涂层外观光洁,呈金黄色,x为0.8~1.6,淀积速率15~60m^(-6)/h,显微硬度1800~2200HV,淀积反应为扩散过程控制;表观活化能为46.5kJ/mol。实验表明,TiN在冷壁反应器中的淀积速率远大于在热壁反应器中的淀积速率。 展开更多
关键词 化学 氮化钛 涂层 反应器
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