低气压高密度等离子体刻蚀轮廓的数值研究 被引量：2

1

作者 杨银堂 王平 +4 位作者 柴常春 付俊兴 徐新艳 杨桂杰 刘宁 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2003年第3期359-365,共7页

低气压、高密度等离子体刻蚀轮廓的数值研究对于研究高密度等离子体刻蚀工艺具有重要意义。文中提出了一个二维低气压、高密度等离子体刻蚀轮廓的理论模型 ,并利用“线”算法进行了数值模拟。与以往不同之处在于 ,模型中引入了掩模对入... 低气压、高密度等离子体刻蚀轮廓的数值研究对于研究高密度等离子体刻蚀工艺具有重要意义。文中提出了一个二维低气压、高密度等离子体刻蚀轮廓的理论模型 ,并利用“线”算法进行了数值模拟。与以往不同之处在于 ,模型中引入了掩模对入射粒子流的遮蔽效应和中性粒子在不同刻蚀表面的粘附系数的影响 ,使得模拟结果的准确性大大提高。论文最终还给出了要获得各向异性刻蚀的 e VS/k Ti 和 Γn0 /Γi0 展开更多

关键词 高密度等离子体刻蚀工艺 低气压 刻蚀轮廓 数值模拟 离子流通量 物理模型 刻蚀速率

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基于IEP的高密度等离子体刻蚀过程终点检测技术 被引量：1

2

作者 王巍 兰中文 +1 位作者 吴志刚 姬洪 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2006年第z2期105-108,共4页

高密度等离子体刻蚀是当今超大规模集成电路制造过程中的关键步骤。随着集成电路中器件尺寸的缩小及器件集成密度的提高,对刻蚀过程终点的准确判断是目前所面临的一个严峻考验,传统的 OES 终点检测技术已经远远不能满足深亚微米刻蚀工... 高密度等离子体刻蚀是当今超大规模集成电路制造过程中的关键步骤。随着集成电路中器件尺寸的缩小及器件集成密度的提高,对刻蚀过程终点的准确判断是目前所面临的一个严峻考验,传统的 OES 终点检测技术已经远远不能满足深亚微米刻蚀工艺需求.讨论 IEP 终点检测技术的原理,针对多晶硅栅的等离子体刻蚀工艺,讨论了 IEP 终点检测技术在深亚微米刻蚀工艺中的应用,IEP 预报式终点检测技术已经运用在新近研发的 HDP 刻蚀机的试验工艺上,最后对 IEP 终点检测技术未来的发展趋势进行了展望. 展开更多

关键词 IEP 高密度等离子体 刻蚀工艺 终点检测

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高密度等离子体化学气相淀积(HDP CVD)工艺 被引量：3

3

《中国集成电路》 2007年第2期65-67,61,共4页

随着半导体技术的飞速发展，单个芯片上所能承载的晶体管数量以惊人的速度增长，与此同时，半导体制造商们出于节约成本的需要迫切地希望单个晶圆上能够容纳更多的芯片。这种趋势推动了半导体器件特征尺寸的显著减小，相应地也对芯片制... 随着半导体技术的飞速发展，单个芯片上所能承载的晶体管数量以惊人的速度增长，与此同时，半导体制造商们出于节约成本的需要迫切地希望单个晶圆上能够容纳更多的芯片。这种趋势推动了半导体器件特征尺寸的显著减小，相应地也对芯片制造工艺提出了更高的要求，其中一个具有挑战性的难题就是绝缘介质在各个薄膜层之间均匀无孔的填充，以提供充分有效的隔离保护，包括浅槽隔离（Shallow—Trench—Isolation），金属前绝缘层（Pre—Met—al—Dielectric），金属层间绝缘层（Inter—Metal—Dielec—tric）等等。本文所介绍的高密度等离子体化学气相淀积（HDPCVD）工艺自20世纪90年代中期开始被先进的芯片工厂采用以来，以其卓越的填孔能力、稳定的淀积质量、可靠的电学特性等诸多优点而迅速成为0．25微米以下先进工艺的主流。图1所示即为在超大规模集成电路中HDPCVD工艺的典型应用。 展开更多

关键词 等离子体化学气相淀积 制造工艺 高密度 超大规模集成电路 Metal 半导体技术 晶体管数量 半导体器件

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太阳能电池生产线中新型等离子体刻蚀机刻蚀工艺探讨

4

作者 陈特超 马度.巴布 +1 位作者 李健志 毛朝斌 《电子工业专用设备》 2011年第6期5-6,48,共3页

介绍了一种新型等离子体刻蚀机的使用条件,通过对各种参数变化的组合实验,得到了最佳工艺数据。利用该刻蚀机生产的电池片刻蚀效果好,刻蚀后经检测,电池片漏电流小,并联电阻大,提高了电池片的综合性能指标。

关键词 等离子体 刻蚀 工艺 实验

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聚合物薄膜的大气压微等离子体射流无掩膜刻蚀工艺 被引量：1

5

作者 吕栎 王涛 +4 位作者 汪加豪 王圣泉 时礼平 李蒙 涂德浴 《安徽工业大学学报（自然科学版）》 CAS 2022年第1期37-42,共6页

为优化束斑直径在微米级的大气压微等离子体射流刻蚀工艺,自制搭建一种结构简单、操作方便的大气压微等离子体射流装置,以典型聚合物parylene-C薄膜为对象,研究大气压微等离子体射流处理parylene-C薄膜的刻蚀工艺,分析O2流量、工作电压... 为优化束斑直径在微米级的大气压微等离子体射流刻蚀工艺,自制搭建一种结构简单、操作方便的大气压微等离子体射流装置,以典型聚合物parylene-C薄膜为对象,研究大气压微等离子体射流处理parylene-C薄膜的刻蚀工艺,分析O2流量、工作电压、工作间距和刻蚀时间等工艺参数对刻蚀线宽和刻蚀深度的影响。结果表明:增大O_(2)流量、工作电压、工作间距及刻蚀时间均能增大刻蚀线宽和刻蚀深度;持续增大上述工艺参数,刻蚀线宽和刻蚀深度增加不明显,甚至减小;工作电压和工作间距对parylene-C薄膜刻蚀效果的影响较大,在刻蚀过程中起关键作用,通过调整这两个参数可实现聚合物刻蚀过程的可控调节。 展开更多

关键词 微等离子体 聚合物薄膜 工艺参数 刻蚀工艺

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PZT铁电薄膜材料的ECR等离子体刻蚀研究 被引量：3

6

作者 娄利飞 肖斌 +2 位作者 汪家友 杨银堂 李跃进 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期555-558,598,共5页

以SF6和SF6+Ar为刻蚀气体,采用电子回旋共振等离子体刻蚀工艺成功地对溶胶-凝胶工艺制备的锆钛酸铅铁电薄膜进行了有效的刻蚀去除.研究了不同气体总流量、混合比、微波功率等因素对刻蚀速率的影响,指出当气体混合比约为20%时,刻蚀速率... 以SF6和SF6+Ar为刻蚀气体,采用电子回旋共振等离子体刻蚀工艺成功地对溶胶-凝胶工艺制备的锆钛酸铅铁电薄膜进行了有效的刻蚀去除.研究了不同气体总流量、混合比、微波功率等因素对刻蚀速率的影响,指出当气体混合比约为20%时,刻蚀速率达到最大值.锆钛酸铅铁电薄膜表面组份XPS能谱分析曲线表明,在SF6和SF6+Ar气体中,被刻蚀后样品的Pb含量大大减少,TiO2的刻蚀是限制锆钛酸铅铁电薄膜刻蚀速率的主要因素. 展开更多

关键词 电子回旋共振 等离子体刻蚀 锆钛酸铅 凝胶-溶胶工艺

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等离子体表面处理在织物前处理工艺上的应用 被引量：8

7

作者 殷保璞 王慧娟 +1 位作者 赵世敏 江训瑞 《纺织学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1992年第3期26-28,48-3,共5页

本文通过一系列实验获得的数据,论述了棉布、坯绸的前处理工艺运用等离子体处理技术所取得的效果及等离子体对织物表面的刻蚀机理,同时阐述了等离子体刻蚀条件对处理效果的影响。

关键词 等离子体刻蚀 前处理工艺 等离子体处理 织物表面 处理效果 离子刻蚀 毛细管效应 扫描电镜照片 抗静电性 聚合度

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太阳能电池生产线中的新型等离子体刻蚀机的研制 被引量：2

8

作者 陈特超 谢利华 《电子工业专用设备》 2010年第8期41-44,共4页

介绍了用于太阳能电池片生产工艺中的新型等离子体刻蚀机及设备的工作原理、构造、简单的工艺试验结果。与现在生产线上普遍使用的老式等离子体刻蚀机相比,它大大提高了生产产能,减少了设备维护工作量。该设备操作简单,是一种实用、高... 介绍了用于太阳能电池片生产工艺中的新型等离子体刻蚀机及设备的工作原理、构造、简单的工艺试验结果。与现在生产线上普遍使用的老式等离子体刻蚀机相比,它大大提高了生产产能,减少了设备维护工作量。该设备操作简单,是一种实用、高效的生产型工艺设备。 展开更多

关键词 等离子体 反应离子 刻蚀原理 工艺实验

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新型氨气等离子体有机材料刻蚀工艺研究

9

作者 王兆祥 秦阿宾 +1 位作者 刘志强 苏兴才 《集成电路应用》 2014年第2期28-32,共5页

本文系统研究了氨气等离子体进行有机材料(BARC)的刻蚀,研究了工艺参数:压力,静电吸盘温度对刻蚀的影响。使用氨气可以得到高的刻蚀速率,通过刻蚀参数的控制,可以在保持光刻胶顶部形貌的条件下得到直的侧壁形貌。发射光谱的研究显示,NH... 本文系统研究了氨气等离子体进行有机材料(BARC)的刻蚀,研究了工艺参数:压力,静电吸盘温度对刻蚀的影响。使用氨气可以得到高的刻蚀速率,通过刻蚀参数的控制,可以在保持光刻胶顶部形貌的条件下得到直的侧壁形貌。发射光谱的研究显示,NH3等离子体中的活性组分为H*和NH*.H*是刻蚀的主要活性物种,NH自由基会产生CN聚合物保护刻蚀目标的侧壁。 展开更多

关键词 半导体工艺 刻蚀 氨气等离子体 底部抗发射层

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8英寸100纳米高密度等离子刻蚀机(NMC508A)

10

《中国集成电路》 2007年第8期27-27,29,共2页

NMC508A等离子体硅刻蚀系统是适用于8英寸集成电路生产线，面向逻辑和存储等多种电路制造的先进电感耦合等离子体多反应室刻蚀系统。该系统采用了多项专利技术，具有CD（关键尺寸）控制均匀性高、刻蚀低损伤、高产能、低消耗及多腔室多... NMC508A等离子体硅刻蚀系统是适用于8英寸集成电路生产线，面向逻辑和存储等多种电路制造的先进电感耦合等离子体多反应室刻蚀系统。该系统采用了多项专利技术，具有CD（关键尺寸）控制均匀性高、刻蚀低损伤、高产能、低消耗及多腔室多种工艺集成等特点。 展开更多

关键词 等离子刻蚀机 电感耦合等离子体 高密度 纳米 集成电路 专利技术 关键尺寸 生产线

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微波等离子体刻蚀技术研究

11

作者 张振宇 胡顺欣 +2 位作者 苏延芬 邓建国 刘英坤 《电子工业专用设备》 2009年第4期13-18,共6页

以Corial 200M型干法刻蚀机的三种刻蚀模式为基础,分析了微波等离子体刻蚀技术的优缺点,并讨论了下电极结构对干法刻蚀形貌、一致性和重复性的影响。利用微波等离子体刻蚀技术与反应离子刻蚀技术相结合,实现了SiO2各向同性刻蚀,成功应... 以Corial 200M型干法刻蚀机的三种刻蚀模式为基础,分析了微波等离子体刻蚀技术的优缺点,并讨论了下电极结构对干法刻蚀形貌、一致性和重复性的影响。利用微波等离子体刻蚀技术与反应离子刻蚀技术相结合,实现了SiO2各向同性刻蚀,成功应用于质量控制和失效分析等环节。 展开更多

关键词 高密度等离子体 微波 干法刻蚀 失效分析

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你的未来计划中有等离子体吗?PCB制造正经历巨大变革

12

作者 李海 《印制电路信息》 1999年第3期32-38,共7页

目前,增加IC封装及PCB的线路密度的压力是惊人的,发展趋势也比以往更为迅猛。现在密度增加的需求(图一中陡升的黑线)大大超过传统PCB密度增加的幅度(图一中缓慢上升的线条)。这种增长需求已被许多PCB使用者所预见:NEMI及SIA。当然,PCB... 目前,增加IC封装及PCB的线路密度的压力是惊人的,发展趋势也比以往更为迅猛。现在密度增加的需求(图一中陡升的黑线)大大超过传统PCB密度增加的幅度(图一中缓慢上升的线条)。这种增长需求已被许多PCB使用者所预见:NEMI及SIA。当然,PCB制造者也应采用全新的技术适应市场需求。线路密度增加意味着减小PCB线宽和孔径。密度增加的源动力是阵列式封装,如球栅阵列(BGA)和芯片级封装(CSP)。PCB制造者目前也向这类封装(BGA或MCM)提供小型PCB。如果在这种小型PCB上线路密度可大大提高, 展开更多

关键词 等离子体工艺 金属化工艺 设备 等离子体处理 高密度 化学蚀刻 制造者 附着力 电极 物体表面

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Si材刻蚀速率的工艺研究 被引量：3

13

作者 蔡长龙 马睿 +2 位作者 周顺 刘欢 刘卫国 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第10期862-865,共4页

在采用混合集成方法制造红外热成像阵列器件中,Si的快速刻蚀去除是一个至关重要的问题,它的刻蚀去除质量直接影响红外热成像器件的性能。介绍了等离子体刻蚀的原理、实验过程和实验方法,通过大量工艺实验和测试详细研究和分析了不同刻... 在采用混合集成方法制造红外热成像阵列器件中,Si的快速刻蚀去除是一个至关重要的问题,它的刻蚀去除质量直接影响红外热成像器件的性能。介绍了等离子体刻蚀的原理、实验过程和实验方法,通过大量工艺实验和测试详细研究和分析了不同刻蚀气体、射频功率和气体流量等工艺参数对Si刻蚀结果的影响,包括刻蚀速率、刻蚀轮廓垂直度和刻蚀表面粗糙度等。通过研究,获得了Si材刻蚀效果与各种工艺参数之间的变化关系,得到了快速刻蚀Si材的较好的工艺参数。 展开更多

关键词 硅 等离子体刻蚀 刻蚀速率 工艺参数

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半导体工艺中的新型刻蚀技术——ICP 被引量：12

14

作者 王晨飞 《红外》 CAS 2005年第1期17-22,共6页

本文详细介绍了电导耦合等离子体(ICP——Inductive Coupled Plasma)刻蚀技术的基本原理及相关工艺设备机构，根据近年来国内外 ICP 技术的发展现状和发展趋势，对其在光电子器件、半导体氧化物、Ⅲ-Ⅴ族化合物等方面的应用作了一些简... 本文详细介绍了电导耦合等离子体(ICP——Inductive Coupled Plasma)刻蚀技术的基本原理及相关工艺设备机构，根据近年来国内外 ICP 技术的发展现状和发展趋势，对其在光电子器件、半导体氧化物、Ⅲ-Ⅴ族化合物等方面的应用作了一些简要介绍。 展开更多

关键词 刻蚀技术 半导体工艺 光电子器件 ICP 半导体氧化物 耦合 等离子体 国内外 发展现状 发展趋势

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在长浮动导体层上的小接触刻蚀过程中的新工艺过程损坏

15

《电子产品可靠性与环境试验》 2004年第3期76-76,共1页

关键词 长浮动导体 接触刻蚀 工艺损坏 等离子体工艺

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等离子消除系统

16

《集成电路应用》 2008年第10期45-45,共1页

Sirius 6000系统专为应对介质和多晶硅刻蚀工艺后的“温室”气体排放的挑战而设计。系统在严格控制的化学环境中采用高能效的微波等离子体，

关键词 6000系统 微波等离子体 气体排放 刻蚀工艺 化学环境 多晶硅

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双层侧壁保护的Si深槽刻蚀技术 被引量：5

17

作者 邓建国 刘英坤 +1 位作者 段雪 苏丽娟 《微纳电子技术》 CAS 2008年第8期480-483,共4页

提出了一种先进的ICP Si深槽刻蚀工艺。在"Bosch"工艺的基础上加以改进,以SF6/O2作为刻蚀气体,C4F8作为侧壁钝化气体,通过在刻蚀过程中引入少量的O2,使得在刻蚀Si深槽过程中侧壁形成由氧离子辐照产生的SiO2薄膜和CFx聚合物淀... 提出了一种先进的ICP Si深槽刻蚀工艺。在"Bosch"工艺的基础上加以改进,以SF6/O2作为刻蚀气体,C4F8作为侧壁钝化气体,通过在刻蚀过程中引入少量的O2,使得在刻蚀Si深槽过程中侧壁形成由氧离子辐照产生的SiO2薄膜和CFx聚合物淀积产生的双层保护层,强烈保护Si槽侧壁不被刻蚀,保证了良好的各向异性刻蚀。同时,通过优化刻蚀和钝化的时间周期,进一步提高了刻蚀后Si槽的陡直度和平滑的侧壁效果。采用这种工艺技术可制作出满足台面晶体管、高性能梳状沟槽基区晶体管需要的无损伤、平滑陡直的Si槽侧壁形貌。 展开更多

关键词 感应耦合等离子体 “Bosch”工艺 硅 双层侧壁保护 各向异性刻蚀

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高纵横选择比低损伤多晶硅栅的工艺实现 被引量：2

18

作者 苏延芬 苏丽娟 +1 位作者 胡顺欣 邓建国 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第7期536-539,共4页

分析了采用微波高密度等离子体刻蚀(HDP)系统刻蚀实现高纵横向刻蚀选择比、低等离子体损伤、精细线条尺寸的MOSFET多晶硅栅的可行性。研究了刻蚀用气体中CH4和SF6等离子体分别在多晶硅栅刻蚀当中的作用及其分别对刻蚀速率、多晶硅栅侧... 分析了采用微波高密度等离子体刻蚀(HDP)系统刻蚀实现高纵横向刻蚀选择比、低等离子体损伤、精细线条尺寸的MOSFET多晶硅栅的可行性。研究了刻蚀用气体中CH4和SF6等离子体分别在多晶硅栅刻蚀当中的作用及其分别对刻蚀速率、多晶硅栅侧壁形貌的影响原理。提出了实现MOSFET多晶硅栅高速低损伤刻蚀及聚合物清洗相结合的两步刻蚀工艺技术。借助终点检测技术(EPD),通过优化各气体体积流量及合理选择两步刻蚀时间较好实现了较高的纵横向选择比、低刻蚀损伤及精细线条的MOSFET多晶硅栅刻蚀。 展开更多

关键词 微波高密度等离子体(HDP) 纵横向刻蚀选择比 等离子体损伤 聚合物清洗 终点检测(EPD)

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ICP工艺原理与故障分析 被引量：6

19

作者 曹健 郝晓亮 王秀海 《电子工业专用设备》 2020年第1期50-54,共5页

介绍了ICP工艺的特点、工艺原理,以及设备的基本结构。根据多年的设备维护经验,分析了ICP设备的常见故障及其起因,提出了处理措施;分析总结了影响ICP工艺质量的主要因素。

关键词 等离子体刻蚀 感应耦合等离子(ICP) 故障分析 工艺维护

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ICP硅深刻蚀槽壁垂直度的研究 被引量：6

20

作者 刘方方 展明浩 +2 位作者 许高斌 黄斌 管朋 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2015年第3期185-190,共6页

电感耦合等离子体(ICP)刻蚀技术是体硅深加工的一项关键技术。介绍了ICP刻蚀技术的相关概念与方法,在对Si(100)进行大量深刻蚀实验的基础上,深入分析刻蚀∕钝化周期、极板功率、SF6/C4F8气体流量和腔室压力等主要工艺参数对刻蚀侧壁垂... 电感耦合等离子体(ICP)刻蚀技术是体硅深加工的一项关键技术。介绍了ICP刻蚀技术的相关概念与方法,在对Si(100)进行大量深刻蚀实验的基础上,深入分析刻蚀∕钝化周期、极板功率、SF6/C4F8气体流量和腔室压力等主要工艺参数对刻蚀侧壁垂直度的影响。通过对ICP刻蚀的刻蚀∕钝化周期和极板功率参数进行正交实验,给出了通用槽宽分别为2,5和10μm时的优化工艺参数,成功实现了三个垂直度达(90±0.02)°、高深宽比≥10、侧壁光滑的深槽结构。将优化后的工艺参数用于某陀螺仪的刻蚀实验,获得了理想的刻蚀形貌。 展开更多

关键词 电感耦合等离子体(ICP)刻蚀 工艺参数 正交实验 过程优化 刻蚀垂直度

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