激光产生的高温高密度等离子体诊断技术——我院在这一领域工作的进展 被引量：8

1

作者 胡仁宇 郑志坚 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 1990年第1期1-15,共15页

本文强调了诊断技术在激光产生的高温高密度等离子体物理研究中的作用,简介了我院在该领域中诊断技术方面做过的工作和今后的设想。

关键词 等离子体诊断 激光 高温高密度等离子体 X光转换效率 时空特性 诊断系统 诊断技术

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低气压高密度等离子体刻蚀轮廓的数值研究 被引量：2

2

作者 杨银堂 王平 +4 位作者 柴常春 付俊兴 徐新艳 杨桂杰 刘宁 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2003年第3期359-365,共7页

低气压、高密度等离子体刻蚀轮廓的数值研究对于研究高密度等离子体刻蚀工艺具有重要意义。文中提出了一个二维低气压、高密度等离子体刻蚀轮廓的理论模型 ,并利用“线”算法进行了数值模拟。与以往不同之处在于 ,模型中引入了掩模对入... 低气压、高密度等离子体刻蚀轮廓的数值研究对于研究高密度等离子体刻蚀工艺具有重要意义。文中提出了一个二维低气压、高密度等离子体刻蚀轮廓的理论模型 ,并利用“线”算法进行了数值模拟。与以往不同之处在于 ,模型中引入了掩模对入射粒子流的遮蔽效应和中性粒子在不同刻蚀表面的粘附系数的影响 ,使得模拟结果的准确性大大提高。论文最终还给出了要获得各向异性刻蚀的 e VS/k Ti 和 Γn0 /Γi0 展开更多

关键词 高密度等离子体刻蚀工艺 低气压 刻蚀轮廓 数值模拟 离子流通量 物理模型 刻蚀速率

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基于IEP的高密度等离子体刻蚀过程终点检测技术 被引量：1

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作者 王巍 兰中文 +1 位作者 吴志刚 姬洪 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2006年第z2期105-108,共4页

高密度等离子体刻蚀是当今超大规模集成电路制造过程中的关键步骤。随着集成电路中器件尺寸的缩小及器件集成密度的提高,对刻蚀过程终点的准确判断是目前所面临的一个严峻考验,传统的 OES 终点检测技术已经远远不能满足深亚微米刻蚀工... 高密度等离子体刻蚀是当今超大规模集成电路制造过程中的关键步骤。随着集成电路中器件尺寸的缩小及器件集成密度的提高,对刻蚀过程终点的准确判断是目前所面临的一个严峻考验,传统的 OES 终点检测技术已经远远不能满足深亚微米刻蚀工艺需求.讨论 IEP 终点检测技术的原理,针对多晶硅栅的等离子体刻蚀工艺,讨论了 IEP 终点检测技术在深亚微米刻蚀工艺中的应用,IEP 预报式终点检测技术已经运用在新近研发的 HDP 刻蚀机的试验工艺上,最后对 IEP 终点检测技术未来的发展趋势进行了展望. 展开更多

关键词 IEP 高密度等离子体 刻蚀工艺 终点检测

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高密度等离子体钝化层中电弧放电问题的改善

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作者 田守卫 孙洪福 胡海天 《集成电路应用》 2020年第6期19-21,共3页

分析表明,晶圆的电弧放电现象在高密度等离子体钝化层制程中时常发生,随着半导体关键尺寸的减小,电弧放电的概率明显增加,尤其表现在0.13μm及以下晶圆制造过程中。而晶圆一旦发生电弧放电,会严重影响晶圆的良率及可靠性,所以控制及降... 分析表明,晶圆的电弧放电现象在高密度等离子体钝化层制程中时常发生,随着半导体关键尺寸的减小,电弧放电的概率明显增加,尤其表现在0.13μm及以下晶圆制造过程中。而晶圆一旦发生电弧放电,会严重影响晶圆的良率及可靠性,所以控制及降低电弧放电的概率可以减少产品的报废。根据电弧放电发生的机理,分析了在高密度等离子体钝化层制程中容易导致电弧放电的因素,从而通过增加衬底层SiO2的厚度,调整沉积钝化层的溅射率,优化整个沉积过程中的沉积溅射比率,可有效降低晶圆电弧放电发生的概率,对0.13μm及以下晶圆的改善尤为显著。 展开更多

关键词 集成电路制造 晶圆 高密度等离子体 电弧放电 钝化层 溅射率

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高密高温等离子体中类氢炭静电屏蔽势的求解

5

作者 李向东 徐至展 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2004年第B04期254-256,共3页

在离子球模型下 ,本文通过对Poisson方程和Dirac Fock方程的自恰求解 ,计算得到了不同电子密度下类氢炭周围的Coulomb静电屏蔽势。该静电屏蔽是对于理解高密度等离子体中的原子结构。

关键词 高温 高密度等离子体 类氢炭

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大面积平面表面波等离子体的研究 被引量：8

6

作者 欧琼荣 梁荣庆 《真空与低温》 2002年第1期28-33,45,共7页

低温等离子体技术已被广泛应用于各高科技领域 ,并且应用范围仍然在迅速拓展 ,这对等离子体本身提出了更高的要求 ,平面大面积、高密度均匀等离子体源是目前最迫切的需求之一。作者主要介绍表面波激发等离子体的原理 ,并在自行研制的一... 低温等离子体技术已被广泛应用于各高科技领域 ,并且应用范围仍然在迅速拓展 ,这对等离子体本身提出了更高的要求 ,平面大面积、高密度均匀等离子体源是目前最迫切的需求之一。作者主要介绍表面波激发等离子体的原理 ,并在自行研制的一套平面大面积表面波等离子体源上 ,利用静电双探针测量了其Ar气放电的角向、径向和轴向的电子密度和温度。发现角向电子密度和温度均匀性与耦合天线及气压密切相关而与入射功率无关 ;径向电子密度和温度均匀性则与入射微波功率及气压密切相关而与耦合天线无关。因此 ,通过优化耦合天线来获得径向参数的均匀性及微波耦合效率 ,并增大微波功率、选择适当的气压 。 展开更多

关键词 表面波 等离子体源 高密度等离子体 设计 耦合天线 角向电子密度 温度均匀性

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短脉冲激光等离子体相互作用的离子发射谱研究

7

作者 孙岚 徐至展 张燕珍 《量子电子学报》 CAS CSCD 1992年第1期3-4,共2页

短脉冲强激光系统的建立,为激光与等离子体相互作用的研究提供了非常新颖和有利的实验条件。短脉冲强激光辐照固体靶,能瞬间在固体表面形成非常薄(小尺度)的高密度等离子体。由于短脉冲激光上升沿较陡,所产生的激光等离子体便具有一些... 短脉冲强激光系统的建立,为激光与等离子体相互作用的研究提供了非常新颖和有利的实验条件。短脉冲强激光辐照固体靶,能瞬间在固体表面形成非常薄(小尺度)的高密度等离子体。由于短脉冲激光上升沿较陡,所产生的激光等离子体便具有一些新的特征,其产生机理,二次谐波发射,X射线发射,以及离子发射都与长脉冲激光等离子体有所差别。 展开更多

关键词 激光等离子体 离子发射 短脉冲激光 激光与等离子体相互作用 二次谐波发射 高密度等离子体 长脉冲 强激光系统 中国科学院 激光辐照

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微波等离子体刻蚀技术研究

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作者 张振宇 胡顺欣 +2 位作者 苏延芬 邓建国 刘英坤 《电子工业专用设备》 2009年第4期13-18,共6页

以Corial 200M型干法刻蚀机的三种刻蚀模式为基础,分析了微波等离子体刻蚀技术的优缺点,并讨论了下电极结构对干法刻蚀形貌、一致性和重复性的影响。利用微波等离子体刻蚀技术与反应离子刻蚀技术相结合,实现了SiO2各向同性刻蚀,成功应... 以Corial 200M型干法刻蚀机的三种刻蚀模式为基础,分析了微波等离子体刻蚀技术的优缺点,并讨论了下电极结构对干法刻蚀形貌、一致性和重复性的影响。利用微波等离子体刻蚀技术与反应离子刻蚀技术相结合,实现了SiO2各向同性刻蚀,成功应用于质量控制和失效分析等环节。 展开更多

关键词 高密度等离子体 微波 干法刻蚀 失效分析

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耐酸性布拉氏酵母的筛选及高密度培养条件优化 被引量：2

9

作者 李飞龙 陈晓华 +3 位作者 郑鑫 谢永振 谭之磊 贾士儒 《中国酿造》 CAS 北大核心 2016年第7期15-19,共5页

布拉氏酵母菌(Saccharomyces boulardii)是临床上作为益生菌药物治疗肠道疾病使用的唯一一株酵母菌,作为微生态制剂,要保证其生物效果,必须能够在胃肠道中保持一定的活菌数,研究发现影响布拉氏酵母菌在胃肠道中存活的最主要因素是低p H... 布拉氏酵母菌(Saccharomyces boulardii)是临床上作为益生菌药物治疗肠道疾病使用的唯一一株酵母菌,作为微生态制剂,要保证其生物效果,必须能够在胃肠道中保持一定的活菌数,研究发现影响布拉氏酵母菌在胃肠道中存活的最主要因素是低p H,为提高布拉氏酵母菌在低p H条件下的存活率,该研究采用常压室温等离子体(ARTP)诱变技术对S.boulardii进行诱变,最终筛选出3株对低p H值耐受性较好的突变株。对突变株耐低p H稳定性的研究结果表明,在传代20次后,突变株YB-3具有较好的遗传稳定性,其存活率为51.79%。在5 L发酵罐中,对突变株YB-3高密度培养条件进行优化,最终所得布拉氏酵母菌体干质量为58.79 g/L,比原始菌株提高了55.52%。 展开更多

关键词 布拉氏酵母菌 室温常压等离子体诱变:高密度培养 耐酸性

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HDP介质淀积引起的等离子充电损伤机制研究 被引量：1

10

作者 王鹏 卜皎 +5 位作者 刘玉伟 曹刚 石艳玲 刘春玲 李菲 孙玲玲 《电子器件》 CAS 2009年第3期526-528,共3页

高密度等离子体化学气相淀积(HDP CVD),具有卓越的填孔能力和可靠的电学特性等诸多优点,因此它被广泛应用于超大规模集成电路制造工艺中。本文研究了金属层间介质(IMD)的HDP CVD过程对栅氧化膜的等离子充电损伤。研究表明在HDP淀积结束... 高密度等离子体化学气相淀积(HDP CVD),具有卓越的填孔能力和可靠的电学特性等诸多优点,因此它被广泛应用于超大规模集成电路制造工艺中。本文研究了金属层间介质(IMD)的HDP CVD过程对栅氧化膜的等离子充电损伤。研究表明在HDP淀积结束时的光电导效应使得IMD层(包括FSG和USG)在较短的时间内处于导电状态,较大电流由IMD层流经栅氧化膜,在栅氧化膜中产生缺陷,从而降低了栅氧化膜可靠性。通过对HDP CVD结束后反应腔内气体组分的调节,IMD层的光电导现象得到了一定程度的抑制,等离子充电损伤得到了改善。 展开更多

关键词 等离子体充电损伤 高密度等离子体化学气相淀积(HDP CVD) 栅氧化膜 光电导

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半导体芯片中等离子损伤的解决方案 被引量：1

11

作者 周乾 程秀兰 《电子与封装》 2012年第10期41-45,共5页

在研发一套基于0.18μm工艺的全新半导体芯片时,由于芯片工艺的要求我们将标准0.18μm工艺流程中的接触孔蚀刻阻挡层由原来的UVSIN+SION改为SIN,但却引进了PID(等离子体损伤)的问题。当芯片的关键尺寸减小到0.18μm时,栅氧化层变得更薄... 在研发一套基于0.18μm工艺的全新半导体芯片时,由于芯片工艺的要求我们将标准0.18μm工艺流程中的接触孔蚀刻阻挡层由原来的UVSIN+SION改为SIN,但却引进了PID(等离子体损伤)的问题。当芯片的关键尺寸减小到0.18μm时,栅氧化层变得更薄,对等离子体的损伤也变得更加敏感。所以如何改善PID也成为这款芯片能否成功量产的重要攻坚对象。这一失效来源于接触孔阻挡层的改变,于是将改善PID的重点放在接触孔蚀刻阻挡层之后即后段工艺上。后段的通孔蚀刻及钝化层的高密度等离子体淀积会产生较严重的等离子体损伤,因此如何改善这两步工艺以减少等离子体损伤便成为重中之重。文中通过实验验证了关闭通孔过蚀刻中的磁场以及减小钝化层的高密度等离子体淀积中的溅射刻蚀功率可以有效改善芯片的等离子体损伤。通过这两处的工艺优化,使得PID处于可控范围内,保证了量产的芯片质量。 展开更多

关键词 半导体技术 等离子体损伤 通孔蚀刻 高密度等离子体淀积

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AIV AIX离子XUV光谱的进一步分析

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作者 王永昌 袁萍 +2 位作者 袁相津 范品忠 张正泉 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 1990年第S1期180-180,共1页

将千兆瓦大功率钕玻璃激光器装置发出的激光束聚焦于固体平面铝靶上,产生一高温、高密度等离子体,用1米掠入射式凹面光栅摄谱仪记录了等离子体在50—110A波长范围内的发射光谱,用HXR自洽场方法和非线性最小二乘法拟合方法相结合,对铝的... 将千兆瓦大功率钕玻璃激光器装置发出的激光束聚焦于固体平面铝靶上,产生一高温、高密度等离子体,用1米掠入射式凹面光栅摄谱仪记录了等离子体在50—110A波长范围内的发射光谱,用HXR自洽场方法和非线性最小二乘法拟合方法相结合,对铝的高离化态离子谱线和相应的能级进行了分析和计算。共辨认和归类属于AlV—AlX离子的新谱线60多条。 展开更多

关键词 AIV AIX 光栅摄谱仪 高密度等离子体 自洽场 激光束聚焦 钕玻璃激光器 拟合方法 掠入射 离化 波长范围

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第三届基于超短超强激光的理论和实验研讨会暨第一届全国高能量密度物理会议

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《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第11期1644-1644,共1页

关键词 中国工程物理研究院 国家重点实验室 超短超强激光 高能量密度 高温高密度等离子体 科学技术委员会 物理研究所 科学技术协会

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高纵横选择比低损伤多晶硅栅的工艺实现 被引量：2

14

作者 苏延芬 苏丽娟 +1 位作者 胡顺欣 邓建国 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第7期536-539,共4页

分析了采用微波高密度等离子体刻蚀(HDP)系统刻蚀实现高纵横向刻蚀选择比、低等离子体损伤、精细线条尺寸的MOSFET多晶硅栅的可行性。研究了刻蚀用气体中CH4和SF6等离子体分别在多晶硅栅刻蚀当中的作用及其分别对刻蚀速率、多晶硅栅侧... 分析了采用微波高密度等离子体刻蚀(HDP)系统刻蚀实现高纵横向刻蚀选择比、低等离子体损伤、精细线条尺寸的MOSFET多晶硅栅的可行性。研究了刻蚀用气体中CH4和SF6等离子体分别在多晶硅栅刻蚀当中的作用及其分别对刻蚀速率、多晶硅栅侧壁形貌的影响原理。提出了实现MOSFET多晶硅栅高速低损伤刻蚀及聚合物清洗相结合的两步刻蚀工艺技术。借助终点检测技术(EPD),通过优化各气体体积流量及合理选择两步刻蚀时间较好实现了较高的纵横向选择比、低刻蚀损伤及精细线条的MOSFET多晶硅栅刻蚀。 展开更多

关键词 微波高密度等离子体(HDP) 纵横向刻蚀选择比 等离子体损伤 聚合物清洗 终点检测(EPD)

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DPF-300脉冲X射线源同步触发系统研制 被引量：1

15

作者 梁天学 关颖 +5 位作者 蒯斌 丛培天 林东生 韩福斌 杨善潮 张众 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期151-154,共4页

DPF-300脉冲X射线源的同步触发系统采用三级触发：第一级由初级脉冲产生器触发氢闸流管；第二级由氢闸流管输出脉冲触发多路触发开关；第三级由多路触发开关和触发箱组成，触发主放电场畸变开关。该触发系统中多路触发开关产生负极性脉... DPF-300脉冲X射线源的同步触发系统采用三级触发：第一级由初级脉冲产生器触发氢闸流管；第二级由氢闸流管输出脉冲触发多路触发开关；第三级由多路触发开关和触发箱组成，触发主放电场畸变开关。该触发系统中多路触发开关产生负极性脉冲信号，通过耦合电容，到达开关的触发脉冲上升沿，约为40ns，脉冲半高宽约60ns，上升陡度大于0．67kV／ns。能够同时触发40个同轴型场畸变开关，电压工作范围20～40kV，不同发次触发箱输出的触发脉冲信号时间分散性小于4ns，同一发次不同开关的放电时间分散性小于20ns。在工作电压20kV，主放电开关充0．115MPa氮气时。整机负载电流达到约1MA。 展开更多

关键词 同步触发系统 脉冲X射线源 触发开关 高密度等离子体聚焦

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低漏电、高击穿电容的HDPCVD工艺研究

16

作者 刘海琪 王泉慧 +2 位作者 栗锐 任春江 陈堂胜 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2013年第3期280-283,共4页

介绍了一种低漏电、高击穿电容的HDPCVD(ICPCVD)工艺,并对制备的电容进行了电性能分析和失效分析。通过优化确定了工艺的最佳反应条件,研制出的电容其击穿场强达到8.7MV/cm,在电压加到200V时其电容漏电小于0.5μA。通过与传统的PECVD工... 介绍了一种低漏电、高击穿电容的HDPCVD(ICPCVD)工艺,并对制备的电容进行了电性能分析和失效分析。通过优化确定了工艺的最佳反应条件,研制出的电容其击穿场强达到8.7MV/cm,在电压加到200V时其电容漏电小于0.5μA。通过与传统的PECVD工艺进行对比,充分体现了HDPCVD(ICPCVD)工艺生长介质的低温生长、低漏电、较高击穿场强、无H工艺等优点。随后的失效分析表明,电容上下电极金属对电容成品率有着很大影响。 展开更多

关键词 高密度等离子体化学气相淀积 低漏电 高击穿电场 电容

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HDP介质淀积引起的新天线效应及损伤机理 被引量：3

17

作者 黄红伟 杭弢 李明 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2015年第12期921-924,共4页

超大规模集成电路设计和制造过程中,基于栅氧化层击穿的天线效应已得到广泛研究。从一个数模转换电路的漏电失效案例分析着手,利用电性分析、物理失效分析、工艺排查结合电路设计分析等手段,研究了一种与栅氧化层无关的天线效应。结果... 超大规模集成电路设计和制造过程中,基于栅氧化层击穿的天线效应已得到广泛研究。从一个数模转换电路的漏电失效案例分析着手,利用电性分析、物理失效分析、工艺排查结合电路设计分析等手段,研究了一种与栅氧化层无关的天线效应。结果发现这种新的天线效应发生在高密度等离子体淀积介质层的工艺过程中,相邻金属互连长导线因不同的接地方式而具有不同的电势差,造成金属互连导线间的击穿和漏电。同时给出了该种天线效应的解决方案,该结果为半导体工艺设计规则制定提供了新的参考。 展开更多

关键词 天线效应 高密度等离子体(HDP) 失效分析 模拟集成电路 设计规则

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宽带RF-MEMS开关驱动电压的分析研究 被引量：7

18

作者 孙建海 崔大付 +1 位作者 苏波 王海宁 《微纳电子技术》 CAS 2004年第9期37-40,48,共5页

根据国内外发展的经验,从绝缘介质膜的制备、微桥膜内的残余应力到微桥膜的弹性系数这些影响驱动电压的关键因素出发,提出了一些新的微加工工艺和设计方法,为设计性能优良的RF-MEMS开关提供一种有效的方案,也为RF-MEMS开关设计和研制提... 根据国内外发展的经验,从绝缘介质膜的制备、微桥膜内的残余应力到微桥膜的弹性系数这些影响驱动电压的关键因素出发,提出了一些新的微加工工艺和设计方法,为设计性能优良的RF-MEMS开关提供一种有效的方案,也为RF-MEMS开关设计和研制提供了有意义的探讨。 展开更多

关键词 宽带RF-MEMS开关 驱动电压 高密度感应耦合等离子体化学汽相淀积 二氟化氙(XeF2)干法刻蚀

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我国集成电路核心装备研发与产业化取得重大突破

19

《中国科技产业》 2006年第10期49-49,共1页

国家863计划集成电路制造装备重大专项“100nm高密度等离子体刻蚀机和大角度离子注入机”于近日通过了科技部与北京市组织的项目验收。业主企业北京北方微电子公司和北京中科信公司分别与中芯国际公司签订了刻蚀机和离子注入机的批量采... 国家863计划集成电路制造装备重大专项“100nm高密度等离子体刻蚀机和大角度离子注入机”于近日通过了科技部与北京市组织的项目验收。业主企业北京北方微电子公司和北京中科信公司分别与中芯国际公司签订了刻蚀机和离子注入机的批量采购合同。这是我国国产主流集成电路核心设备产品第一次实现销售，标志着我国集成电路制造核心装备研发取得了重大突破，为“十一五”实施“国家中长期科技发展规划纲要》所确定的“集成电路制造装备与成套工艺”重大专项奠定了基础。 展开更多

关键词 集成电路制造 制造装备 研发 产业化 高密度等离子体 国家863计划 离子注入机 中芯国际公司

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中国集成电路核心装备研发取得重大突破

20

《电子产品可靠性与环境试验》 2007年第1期50-50,共1页

2006年09月28日，中国863计划集成电路制造装备重大专项“100纳米高密度等离子体刻蚀机和大角度离子注入机”在北京通过科技部与北京市组织的项目验收，这标志着中国集成电路制造核心装备的研发取得了重大突破。

关键词 集成电路制造 制造装备 中国 研发 高密度等离子体 离子注入机 863计划 项目验收

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