期刊导航
期刊开放获取
上海教育软件发展有限公..
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
2
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
GaAs(114)A表面投影能带和表面态分析
被引量：
1
1
作者
宋友林
王玉仓
+1 位作者
姚乾凯
贾瑜
《郑州大学学报（理学版）》
CAS
2002年第1期21-24,共4页
基于 Ga As( 1 1 4 ) A表面的几何结构 ,采用散射理论的格林函数方法 ,首次从理论上计算了 Ga As( 1 1 4 ) A表面的电子结构 ,得到了该表面的投影能带结构 ,并从键合结构上分析了各表面态的轨道特征和色散特性 .结果表明 ,在基本带隙中...
基于 Ga As( 1 1 4 ) A表面的几何结构 ,采用散射理论的格林函数方法 ,首次从理论上计算了 Ga As( 1 1 4 ) A表面的电子结构 ,得到了该表面的投影能带结构 ,并从键合结构上分析了各表面态的轨道特征和色散特性 .结果表明 ,在基本带隙中有 4个表面态 ,异极带隙中有 2个表面态 。
展开更多
关键词
散射理论
高密勒指数表面
电子结构
表面
态
半导体
几何结构
砷化镓
GAAS
投影能带
在线阅读
下载PDF
职称材料
As钝化Si(211)表面上Cd、Te原子行为的第一性原理研究
2
作者
黄燕
周孝好
+3 位作者
孙立忠
段鹤
陈效双
陆卫
《激光与红外》
CAS
CSCD
北大核心
2005年第11期864-866,共3页
文章采用基于密度泛函理论的CASTEP计算软件模拟了单个及多个As原子在Si(211)重构表面上的吸附、置换行为,通过系统地计算各种可能的吸附、置换构型,并进一步分析能量、键长等性质,对As在Si(211)表面的钝化机理进行了初步探讨。同时,对T...
文章采用基于密度泛函理论的CASTEP计算软件模拟了单个及多个As原子在Si(211)重构表面上的吸附、置换行为,通过系统地计算各种可能的吸附、置换构型,并进一步分析能量、键长等性质,对As在Si(211)表面的钝化机理进行了初步探讨。同时,对Te、Cd在As钝化前后Si(211)表面上的吸附行为也进行了研究。计算结果表明,单个Cd或Te原子都可以稳定地吸附在清洁表面,但在As钝化表面,难以在钝化区域吸附生长。
展开更多
关键词
碲镉汞
高密勒指数表面
钝化
吸附
置换
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
GaAs(114)A表面投影能带和表面态分析
被引量：
1
1
作者
宋友林
王玉仓
姚乾凯
贾瑜
机构
河南教育学院物理系
南阳第四师范学校物理教研室
郑州大学物理工程学院
出处
《郑州大学学报（理学版）》
CAS
2002年第1期21-24,共4页
基金
河南省自然科学基金 ( 0 1110 5 0 40 0 )
河南省青年骨干教师基金项目
文摘
基于 Ga As( 1 1 4 ) A表面的几何结构 ,采用散射理论的格林函数方法 ,首次从理论上计算了 Ga As( 1 1 4 ) A表面的电子结构 ,得到了该表面的投影能带结构 ,并从键合结构上分析了各表面态的轨道特征和色散特性 .结果表明 ,在基本带隙中有 4个表面态 ,异极带隙中有 2个表面态 。
关键词
散射理论
高密勒指数表面
电子结构
表面
态
半导体
几何结构
砷化镓
GAAS
投影能带
Keywords
scattering theory
high Miller-index surface
electronic structure
surface states
分类号
O472.1 [理学—半导体物理]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
As钝化Si(211)表面上Cd、Te原子行为的第一性原理研究
2
作者
黄燕
周孝好
孙立忠
段鹤
陈效双
陆卫
机构
中国科学院上海技术物理研究所红外物理实验室
出处
《激光与红外》
CAS
CSCD
北大核心
2005年第11期864-866,共3页
基金
中国科学院"百人计划"基金(No.200112)
国家自然科学基金重点项目(No.10234040)
+4 种基金
国家自然科学基金项目(No.60476040
60221502)
上海市科学技术委员会重点基金(No.02DJ14066)
上海市信息化专项资金项目(No.2003F012)
国家重点基础研究发展规划项目(No.2001CB610407)资助
文摘
文章采用基于密度泛函理论的CASTEP计算软件模拟了单个及多个As原子在Si(211)重构表面上的吸附、置换行为,通过系统地计算各种可能的吸附、置换构型,并进一步分析能量、键长等性质,对As在Si(211)表面的钝化机理进行了初步探讨。同时,对Te、Cd在As钝化前后Si(211)表面上的吸附行为也进行了研究。计算结果表明,单个Cd或Te原子都可以稳定地吸附在清洁表面,但在As钝化表面,难以在钝化区域吸附生长。
关键词
碲镉汞
高密勒指数表面
钝化
吸附
置换
Keywords
MCT
high-Miller-index surface
passivation
adsorption
replacement
分类号
O484.1 [理学—固体物理]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
GaAs(114)A表面投影能带和表面态分析
宋友林
王玉仓
姚乾凯
贾瑜
《郑州大学学报（理学版）》
CAS
2002
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
As钝化Si(211)表面上Cd、Te原子行为的第一性原理研究
黄燕
周孝好
孙立忠
段鹤
陈效双
陆卫
《激光与红外》
CAS
CSCD
北大核心
2005
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
