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一种无桥高增益单级LED驱动电路及其混合控制策略 被引量:2
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作者 刘光清 林维明 陈欣玮 《电机与控制学报》 EI CSCD 北大核心 2024年第1期105-119,共15页
中小功率的LED驱动电源中,传统两级LED驱动电源存在体积大、成本高以及传统Boost PFC电路在低压输入时导通损耗大等问题。为此提出一种由无桥二次型Boost PFC电路和DC-DC LLC电路集成的无桥高增益单级LED驱动电路,实现了高电压增益、功... 中小功率的LED驱动电源中,传统两级LED驱动电源存在体积大、成本高以及传统Boost PFC电路在低压输入时导通损耗大等问题。为此提出一种由无桥二次型Boost PFC电路和DC-DC LLC电路集成的无桥高增益单级LED驱动电路,实现了高电压增益、功率开关器件软开关、一套控制电路和高电路转换效率。针对单级电路在电网输入电压变化引起直流母线电压变动范围大等问题,设计一种适用于所提电路的APWM-PFM混合控制策略,并对混合控制原理和控制过程进行详细分析。最后设计一台200 W的实验样机,在输入电压80~120 Vrms范围内,占空比最大为0.5,最大电压增益为6.7,直流母线电压基于网侧特性和LLC电路特性设计在700 V以内,样机的功率因数值均高于0.990,THD均低于15%。在满载条件下,110 Vrms输入时,样机效率为93.20%,相比于传统无桥PFC,电压增益提高了2.21倍,实现了高电压增益和软开关,有效提升了在低压输入条件下的电路转换效率。仿真和实验结果验证了所提出电路和控制方法的有效性。 展开更多
关键词 LED驱动电路 功率因数校正 高增益boost与llc电路集成 混合控制策略 软开关
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磁集成开关电容高增益级联Boost变换器 被引量:1
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作者 荣德生 陈靓 +1 位作者 任杰 朱晓林 《电源学报》 CSCD 北大核心 2022年第3期71-79,共9页
为进一步改善基本级联Boost变换器的电压增益等关键性能,提出了一种磁集成开关电容高增益级联Boost变换器。该变换器利用拆分开关电容的两个倍压单元,使之与级联变换器的前级储能结构重新组合,同时将磁集成技术应用其中,一方面实现高电... 为进一步改善基本级联Boost变换器的电压增益等关键性能,提出了一种磁集成开关电容高增益级联Boost变换器。该变换器利用拆分开关电容的两个倍压单元,使之与级联变换器的前级储能结构重新组合,同时将磁集成技术应用其中,一方面实现高电压增益,同时减小开关管的电压应力与电感电流纹波。分析变换器的各个工作模态,推导出性能参数,给出了磁集成设计方案,最后通过仿真和实验样机实验,验证了理论分析的正确性。 展开更多
关键词 级联boost变换器 增益 集成 电压应力
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磁集成开关电感高增益级联Boost变换器 被引量:1
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作者 荣德生 任杰 +2 位作者 宁博 段志田 高妍 《电源学报》 CSCD 北大核心 2021年第3期1-7,共7页
提出一种改进型具有开关电感单元的磁集成高增益级联Boost变换器,该级联变换器采用开关电感单元代替传统级联Boost变换器的储能电感并将电感进行耦合集成。改进后的变换器较传统Boost变换器的电压增益提高(1+D)^(2)/(1-D)倍,较传统级联B... 提出一种改进型具有开关电感单元的磁集成高增益级联Boost变换器,该级联变换器采用开关电感单元代替传统级联Boost变换器的储能电感并将电感进行耦合集成。改进后的变换器较传统Boost变换器的电压增益提高(1+D)^(2)/(1-D)倍,较传统级联Boost变换器的电压增益提高(1+D)^(2)倍,且电感电流纹波减小到其15%以下。通过分析变换器工作原理、推导出电压增益及等效电感的表达式,设计出耦合电感的集成方案,并利用仿真和实验验证了集成方案的正确性,可充分表明改进型级联Boost变换器具有更佳的工作性能。 展开更多
关键词 boost变换器 开关电感 耦合集成 增益
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新型级联型磁集成开关电感高增益Boost变换器 被引量:5
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作者 姚宏旭 海航 +1 位作者 高妍 吴琨 《电源学报》 CSCD 北大核心 2021年第6期111-120,共10页
为了提高传统级联Boost变换器的电压增益、减小支路电感电流纹波,减弱开关管电压应力、减小变换器的体积,将磁集成技术、开关电感和储能电容应用到级联Boost变换器中,提出了新型级联型磁集成开关电感高增益Boost变换器。通过引用两个开... 为了提高传统级联Boost变换器的电压增益、减小支路电感电流纹波,减弱开关管电压应力、减小变换器的体积,将磁集成技术、开关电感和储能电容应用到级联Boost变换器中,提出了新型级联型磁集成开关电感高增益Boost变换器。通过引用两个开关电感和储能电容,可以使所提出的变换器的电压增益提高为传统级联Boost变换器的4倍。利用磁集成技术合理设计出耦合电感系数,不仅可以有效减小变换器电感支路的电流纹波与开关器件的电压应力,同时还提高了系统暂态响应速度,减小了变换器的体积,从而提高了变换器的电气性能。仿真和实验结果验证了理论分析的正确性。 展开更多
关键词 开关电感 增益 集成 boost变换器
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光伏微逆变器前级磁集成高增益直流变换器研究 被引量:9
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作者 王磊 郭瑞 杨玉岗 《电源学报》 CSCD 2016年第3期108-117,共10页
针对光伏微逆变器需要高增益Boost变换器的要求,为了提高传统Boost变换器电压增益,降低开关管电压应力,减小变换器损耗,提出了一种新型磁集成开关电感/开关电容单元Boost变换器,该变换器具有较高电压增益和低电压应力。并针对开关电感... 针对光伏微逆变器需要高增益Boost变换器的要求,为了提高传统Boost变换器电压增益,降低开关管电压应力,减小变换器损耗,提出了一种新型磁集成开关电感/开关电容单元Boost变换器,该变换器具有较高电压增益和低电压应力。并针对开关电感单元含有多个分立电感,导致变换器体积增大且输出电流纹波恶化的问题,利用平面磁集成技术对开关电感进行耦合设计,有效降低了变换器电感电流纹波,提高了转换效率。制作了1台原理样机,实验结果证实了理论分析的正确性。 展开更多
关键词 增益 集成开关电感 开关电容 boost变换器
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一种新型BOOST高功率因数变换器的设计
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作者 陈息坤 王学力 李丽娟 《郑州轻工业学院学报》 2001年第3期32-34,共3页
研制了采用集成芯片UC185 4的BOOST高功率因数变换器 .它是基于电流跟踪技术、通过控制电感电流使其按正弦半波规律变化来提高网侧功率因数的 .实验表明 ,该系统电路简单 ,输入电流失真度低 (实测波形失真率 <5 % ) ,功率因数高 (cos... 研制了采用集成芯片UC185 4的BOOST高功率因数变换器 .它是基于电流跟踪技术、通过控制电感电流使其按正弦半波规律变化来提高网侧功率因数的 .实验表明 ,该系统电路简单 ,输入电流失真度低 (实测波形失真率 <5 % ) ,功率因数高 (cosφ =0 .99) ,可明显改善电网运行质量 . 展开更多
关键词 集成电路 boost电路 功率因数变换器 设计 结构
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一款130~140 GHz MMIC低噪声放大器 被引量:5
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作者 王雨桐 吴洪江 刘永强 《半导体技术》 CSCD 北大核心 2017年第6期426-430,共5页
基于90 nm栅长的InP高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺,研制了一款工作于130~140 GHz的MMIC低噪声放大器(LNA)。该款放大器采用三级级联的双电源拓扑结构,第一级电路在确保较低的输入回波损耗的同时优化了放大器的噪声,后两级则采用最大增... 基于90 nm栅长的InP高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺,研制了一款工作于130~140 GHz的MMIC低噪声放大器(LNA)。该款放大器采用三级级联的双电源拓扑结构,第一级电路在确保较低的输入回波损耗的同时优化了放大器的噪声,后两级则采用最大增益的匹配方式,保证了放大器具有良好的增益平坦度和较小的输出回波损耗。在片测试结果表明,在栅、漏极偏置电压分别为-0.25 V和3 V的工作条件下,该放大器在130~140 GHz工作频带内噪声系数小于6.5 dB,增益为18 dB±1.5 dB,输入电压驻波比小于2∶1,输出电压驻波比小于3∶1。芯片面积为1.70 mm×1.10 mm。该低噪声放大器有望应用于D波段的收发系统中。 展开更多
关键词 单片微波集成电路(MMIC) 低噪声放大器(LNA) 电子迁移率晶体管(HEMT) 磷化铟 增益
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全差分结构低功耗CMOS运算放大器设计 被引量:3
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作者 肖莹慧 《沈阳工业大学学报》 EI CAS 北大核心 2017年第6期670-674,共5页
为了减小低电源电压以及短沟道效应对放大器的影响,获得低电压高增益的放大器,提出了一种基于65 nm CMOS工艺技术的全差分运算跨导放大器(OTA).采用基于增益增强技术的折叠共源共栅拓扑结构,使放大器具有轨到轨输入及大输出摆幅特性,同... 为了减小低电源电压以及短沟道效应对放大器的影响,获得低电压高增益的放大器,提出了一种基于65 nm CMOS工艺技术的全差分运算跨导放大器(OTA).采用基于增益增强技术的折叠共源共栅拓扑结构,使放大器具有轨到轨输入及大输出摆幅特性,同时兼备高速、高增益及低功耗优点.电路仿真结果表明,其直流增益为82 d B,增益带宽为477 MHz,相位裕度为59°.正常工艺角下稳定时间为10 ns,稳定精度为0.05%,而功耗仅为4.8 m W. 展开更多
关键词 CMOS集成电路 增益增强 运算跨导放大器 增益 低功耗 折叠共源共栅结构 增益带宽
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PHEMT MMIC功率放大器设计与实现
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作者 黄晓俊 邢凌燕 《现代电子技术》 2009年第7期171-173,共3页
介绍一种PHEMT MMIC功率放大器设计与实现方案。方案采用内匹配电路,盒体设计考虑到电路腔体内部电磁兼容特性的影响,因此具有增益高、集成度高、寄生特性较低、可靠性高和可操作性好等优点。将此设计方案通过仿真验证,结果表明各项指... 介绍一种PHEMT MMIC功率放大器设计与实现方案。方案采用内匹配电路,盒体设计考虑到电路腔体内部电磁兼容特性的影响,因此具有增益高、集成度高、寄生特性较低、可靠性高和可操作性好等优点。将此设计方案通过仿真验证,结果表明各项指标可以满足设计预期的期望值,同时证明了方案的可行性。 展开更多
关键词 赝配电子迁移率晶体管 微波单片集成电路 功率放大器 增益
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