期刊文献+
共找到907篇文章
< 1 2 46 >
每页显示 20 50 100
“应用创新,打造新生态”——2024中国集成电路设计创新大会暨第四届IC应用展在无锡成功召开
1
作者 张晟浩 《中国集成电路》 2024年第11期12-15,共4页
2024年9月25-27日,由中国集成电路设计创新联盟、无锡国家高新技术产业开发区管理委员会、国家“芯火”双创基地(平台)、芯脉通会展共同主办的“2024中国集成电路设计创新大会暨第四届IC应用展(ICDIA-IC Show)”在无锡太湖国际博览中心... 2024年9月25-27日,由中国集成电路设计创新联盟、无锡国家高新技术产业开发区管理委员会、国家“芯火”双创基地(平台)、芯脉通会展共同主办的“2024中国集成电路设计创新大会暨第四届IC应用展(ICDIA-IC Show)”在无锡太湖国际博览中心成功召开。 展开更多
关键词 创新联盟 集成电路设计 创新大会 应用创新 无锡太湖 ic 国家高新技术产业开发区
在线阅读 下载PDF
集成电路(IC)人才成才规律研究 被引量:6
2
作者 钱省三 吕文元 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2003年第12期5-8,11,共5页
在当前全国IC产业蓬勃发展之际,IC人才需求及培养已成为业界人士共同关注的话题,本文通过对IC人才特点与成才之路的研究,认识到IC产业人才成长的若干规律,并由此探索了相关的成才之路。
关键词 集成电路 人才成才规律 人才培养 中国 ic产业
在线阅读 下载PDF
抗辐射高压集成电路技术现状与发展 被引量:1
3
作者 周锌 陈浪涛 +3 位作者 乔明 罗萍 李肇基 张波 《微电子学与计算机》 2022年第10期1-16,共16页
高压集成电路是电能转换和控制的核心芯片.在星链计划为代表的新一代航天技术推动下,航天装备朝着小型轻量化、动力电气化快速发展,对抗辐射高压集成电路提出极大需求.相比大规模数字电路,高压集成电路面临高场与辐射协同效应,对性能影... 高压集成电路是电能转换和控制的核心芯片.在星链计划为代表的新一代航天技术推动下,航天装备朝着小型轻量化、动力电气化快速发展,对抗辐射高压集成电路提出极大需求.相比大规模数字电路,高压集成电路面临高场与辐射协同效应,对性能影响严重且机理复杂.本文总结了高压集成电路辐射效应研究现状,围绕总剂量与单粒子效应,对高压集成器件与模拟集成电路的辐射影响、机理以及加固技术展开了介绍与总结. 展开更多
关键词 高压集成电路 高压集成器件 总剂量效应 单粒子效应 抗辐射加固
在线阅读 下载PDF
高压BCD集成电路中高压功率器件的设计研究 被引量:7
4
作者 韩雁 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2002年第3期305-308,共4页
高压功率集成电路的设计与制造因其具有的高技术难度而极具挑战性。所谓高压功率集成电路 (HV-PIC) ,是指将需承受高电压 (需达数百伏 )的特定功率晶体管和其它低压的控制电路部分兼容 ,制作在同一块 IC芯片上。文中以器件模拟软件 Med... 高压功率集成电路的设计与制造因其具有的高技术难度而极具挑战性。所谓高压功率集成电路 (HV-PIC) ,是指将需承受高电压 (需达数百伏 )的特定功率晶体管和其它低压的控制电路部分兼容 ,制作在同一块 IC芯片上。文中以器件模拟软件 Medici为工具 ,用计算机仿真的方法 ,研究了高压 BCD电路中高压功率器件的设计问题 ,其中包括器件结构、掺杂浓度、结深等主要参数及其它一些技术因素对器件耐压的影响 ,并给出了相应物理意义上的分析。根据这一设计 ,在国内进行了一块高压功率 BCD集成电路的试制 ,经测试 ,耐压超过 660伏 ,输出功率 40 W,且电路的其它器件参数达到设计值 ,IC电路整体功能正常 。 展开更多
关键词 高压功率器件 高压功率集成电路 计算机辅助分析 双极-CMOS-DMOS工艺 横向双扩散MOS器件
在线阅读 下载PDF
应用于等离子显示驱动的高压集成电路工艺
5
作者 洪慧 韩雁 叶晓伟 《浙江大学学报(工学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第10期1715-1718,共4页
介绍了等离子显示板(PDP)扫描驱动集成电路(IC)的结构和工作原理,提出了一种与2.0μm标准CMOS工艺完全兼容的新型高压BCD工艺.设计了新型场氧作厚栅HV-pMOS器件和薄栅氧HV-nVDMOS器件,开发了一种新型的PDP扫描驱动集成电路.采用此工艺... 介绍了等离子显示板(PDP)扫描驱动集成电路(IC)的结构和工作原理,提出了一种与2.0μm标准CMOS工艺完全兼容的新型高压BCD工艺.设计了新型场氧作厚栅HV-pMOS器件和薄栅氧HV-nVDMOS器件,开发了一种新型的PDP扫描驱动集成电路.采用此工艺可以节省三个光刻版、两次注入(HV-N阱和PDA)和一次氧化工艺,有效地降低工艺复杂度和生产成本.最终流片和测试结果表明,HV-nVDMOS和HV-pMOS管的耐压均超过165 V,达到系统设计要求.当电源电压为90 V、负载为200 pF时,PDP扫描驱动芯片的上升沿和下降沿时间分别为165和30 ns,这充分验证了芯片具有很强的驱动电流能力. 展开更多
关键词 等离子平板显示屏 扫描驱动集成电路 场氧栅 高压驱动电路
在线阅读 下载PDF
集成电路测试教学中的产教融合模式分析
6
作者 张鹏展 张冷 +3 位作者 李玉魁 吴有龙 杨娟 王昭诚 《集成电路应用》 2024年第4期72-73,共2页
阐述集成电路测试人才培养模式的探索实施过程,包括构建人才培养方案与课程体系、建立基于产教融合的校企人力资源共建共享机制、搭建IC测试产教融合平台。介绍人才培养取得的成效。
关键词 集成电路 ic测试 校企合作 产教融合 共享机制
在线阅读 下载PDF
高压功率集成电路中LDMOS的设计研究 被引量:3
7
作者 高海 程东方 徐志平 《电子器件》 CAS 2004年第3期409-412,共4页
高压功率集成电路 ( HVPIC) ,是指将需要承受高电压 (达数百伏 )的特定功率晶体管和其它低压的控制电路部分兼容 ,制作在同一块 IC芯片上。本文以器件模拟软件 MEDICI为工具 ,用计算机仿真的方法 ,研究了一种适用于高压功率集成电路的... 高压功率集成电路 ( HVPIC) ,是指将需要承受高电压 (达数百伏 )的特定功率晶体管和其它低压的控制电路部分兼容 ,制作在同一块 IC芯片上。本文以器件模拟软件 MEDICI为工具 ,用计算机仿真的方法 ,研究了一种适用于高压功率集成电路的单晶结构的 LDMOS的设计问题 ,其中包括器件的 N阱掺杂浓度、衬底浓度、P反型层浓度和结深等主要参数对击穿电压的影响 ,重点分析了 N阱中 P型反型层与漏极 N+ 区距离 Lp 对器件耐压的影响 ,并分析了相应的物理意义。仿真结果表明 ,Lp 对器件耐压有明显的影响。通过优化设计对应于各个参数器件的击穿电压变高 ,并且受工艺参数波动影响较小 。 展开更多
关键词 高压功率集成电路 MEDicI LDMOS RESURF
在线阅读 下载PDF
IC China二次落户苏州——专访苏州市集成电路行业协会常亮秘书长
8
作者 黄友庚 《中国集成电路》 2008年第8期77-81,共5页
“第六届中国国际集成电路博览会暨高峰论坛”(IC China 2008)将于2008年9月17日~19日在苏州国际博览中心举办,这也是IC China第二次在苏州举办。IC China为什么第二次选择苏州?苏州集成电路产业状况如何?苏州市政府如何配合办... “第六届中国国际集成电路博览会暨高峰论坛”(IC China 2008)将于2008年9月17日~19日在苏州国际博览中心举办,这也是IC China第二次在苏州举办。IC China为什么第二次选择苏州?苏州集成电路产业状况如何?苏州市政府如何配合办好本届IC China?本刊记者就这些问题日前采访了苏州市集成电路行业协会常亮秘书长。 展开更多
关键词 集成电路 行业协会 苏州市 秘书长 ic 高峰论坛 博览中心
在线阅读 下载PDF
聚焦IC产业与技术发展趋势 上下游企业互动——2006’(第四届)泛珠三角集成电路业联谊暨市场推介会胜利召开
9
作者 丁立勇 《中国集成电路》 2006年第7期12-13,16,共3页
关键词 集成电路设计 市场销售 ic产业 技术发展趋势 珠三角 聚焦 企业
在线阅读 下载PDF
高压BCDMOS集成电路的工艺集成 被引量:4
10
作者 马旭 邵志标 +1 位作者 姚剑锋 张国光 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2011年第11期72-75,共4页
对高压BCD-MOS器件的结构和工艺进行了研究,用器件模拟MEDICI和工艺模拟T-SUPREM软件分别对器件结构和工艺参数进行了设计优化.在工艺兼容的前提下,设计制作了包含NPN、PNP、NMOS、PMOS、高压LDMOS等结构的BCDMOS集成电路样管.测试结果... 对高压BCD-MOS器件的结构和工艺进行了研究,用器件模拟MEDICI和工艺模拟T-SUPREM软件分别对器件结构和工艺参数进行了设计优化.在工艺兼容的前提下,设计制作了包含NPN、PNP、NMOS、PMOS、高压LDMOS等结构的BCDMOS集成电路样管.测试结果表明,样管性能与模拟结果相符. 展开更多
关键词 高压BCD集成电路 横向双扩散MOS器件 工艺集成 工艺兼用
在线阅读 下载PDF
集成电路FT制程高压测试方法研究 被引量:1
11
作者 姚锐 周淳 +1 位作者 张亚军 倪晓丽 《电子与封装》 2015年第9期14-16,28,共4页
随着经济发展和科学技术的进步,集成电路(Integrated Circuit)产业保持着持续、快速的发展。作为集成电路产业链中的一个重要环节,集成电路测试在评价集成电路电性能、质量和可靠性等方面提供了有力的技术支撑,其中集成电路高压测试是... 随着经济发展和科学技术的进步,集成电路(Integrated Circuit)产业保持着持续、快速的发展。作为集成电路产业链中的一个重要环节,集成电路测试在评价集成电路电性能、质量和可靠性等方面提供了有力的技术支撑,其中集成电路高压测试是进行电源管理、高压驱动等一系列芯片耐压单元性能检测的重要环节。主要研究集成电路成品高压测试过程中存在的一些问题以及相应的解决方案。 展开更多
关键词 集成电路 高压测试 电源管理
在线阅读 下载PDF
200V MOS高压集成电路的研制 被引量:3
12
作者 赵元富 李荫波 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 1989年第4期1-3,共3页
本文报道研制成功的一种开漏工作的200V MOS高压集成电路,并对高压NMOSFET的器件结构及N^-漂移区注入剂量进行了优化。该电路可用于自动控制的转换接口及平板显示驱动。工艺与常规低压N阱CMOS工艺兼客。
关键词 集成电路 MOS 高压集成电路
在线阅读 下载PDF
用来驱动PIN开关二极管的高压混合集成电路的设计及应用
13
作者 祖梅 刘宗武 付丽 《无线电工程》 2003年第11期61-62,共2页
该文介绍了用于驱动PIN开关二极管的一种高压(+100V)驱动器的设计,论述了其设计原理,并结合工程实际,对其主要应用给予举例。
关键词 PIN开关二极管 高压混合集成电路 驱动器 微封装
在线阅读 下载PDF
高压集成电路中高压功率MOSFET的设计
14
作者 冯健峰 赵春波 《电子质量》 2004年第7期68-69,共2页
本文提出了一种BCD工艺下实现的高耐压LDPMOS和VDNMOS功率器件互补结构,其优点是高低压兼容性好、耐压高、易集成。MEDICI模拟结果表明击穿电压可达200V,可应用于PDP高压驱动等高压集成电路。
关键词 高压集成电路 MOSFET BCD VDNMOS LDPMOS
在线阅读 下载PDF
落实《推进纲要》加速产业发展IC China 2015集成电路产业国家级年度展示平台 被引量:2
15
作者 艾恩溪 《集成电路应用》 2015年第12期7-10,共4页
IC CHINA 2015以"落实《国家集成电路产业发展推进纲要》,加速产业发展"为主题,打造最具影响力的国家级半导体产业展示平台。展会展示IC设计与产品、IC设计工具及服务、芯片制造、封装测试、半导体专用设备与零部件、半导体... IC CHINA 2015以"落实《国家集成电路产业发展推进纲要》,加速产业发展"为主题,打造最具影响力的国家级半导体产业展示平台。展会展示IC设计与产品、IC设计工具及服务、芯片制造、封装测试、半导体专用设备与零部件、半导体材料、集成电路应用与解决方案、半导体分立器件、半导体光电器件、功率器件、传感器件、IC分销、物联网、智慧城市、智能家居、便携终端、汽车电子、LED、健康医疗等IC应用类技术产品。本文综述IC CHINA 2015展会主要活动。 展开更多
关键词 中国集成电路 ic CHINA 2015 自主创新
在线阅读 下载PDF
智能时代映照IC产业,应用再迎热点新契机--2018中国(深圳)集成电路创新应用高峰论坛在深召开 被引量:2
16
作者 邓亚威 《中国集成电路》 2018年第8期18-23,共6页
随着国家信息化战略的深入实施,下一代网络通信、人工智能、虚拟现实、物联网等行业已经实现了快速发展,与之结合的创新应用如:智能家居、汽车电子、机器人、无人机、可穿戴装备、智慧医疗等产品不仅将成为智能时代的代名词,同时也将... 随着国家信息化战略的深入实施,下一代网络通信、人工智能、虚拟现实、物联网等行业已经实现了快速发展,与之结合的创新应用如:智能家居、汽车电子、机器人、无人机、可穿戴装备、智慧医疗等产品不仅将成为智能时代的代名词,同时也将成为未来拉动集成电路产业增长的主要驱动力。 展开更多
关键词 集成电路产业 人工智能 ic产业 高峰论坛 应用 创新 映照 深圳
在线阅读 下载PDF
集成电路互连线用高纯铜靶材及相关问题研究 被引量:8
17
作者 高岩 王欣平 +3 位作者 何金江 董亭义 蒋宇辉 江轩 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第11期826-830,共5页
随着半导体技术的发展,芯片特征尺寸缩小到深亚微米和纳米时,铜互连技术在集成电路的设计和制造中成为主流技术,从而对高纯铜靶材的要求越来越高。从靶材制造的角度利用材料学的知识对铜靶材的晶体结构、纯度、致密度、微观组织及焊接... 随着半导体技术的发展,芯片特征尺寸缩小到深亚微米和纳米时,铜互连技术在集成电路的设计和制造中成为主流技术,从而对高纯铜靶材的要求越来越高。从靶材制造的角度利用材料学的知识对铜靶材的晶体结构、纯度、致密度、微观组织及焊接性能等方面作了分析,并且较全面地分析了可能影响靶材溅射性能的很多关键因素,从而为靶材供应商和集成电路制造商对于铜靶材的了解搭建了桥梁,为进一步开发超大尺寸的高纯铜靶材打下基础。 展开更多
关键词 集成电路ic 互连线 焊接强度 铜靶材 溅射
在线阅读 下载PDF
立足西安科技资源 发展集成电路产业(三)——西安IC企业采访纪实
18
作者 凯希 《中国集成电路》 2004年第11期78-81,共4页
关键词 企业 公司 集成电路产业 老字号 西安 领导队伍 科技资源 ic 稳健 采访
在线阅读 下载PDF
建立统一的集成电路(IC)卡应用标准体系是信息标准化工作的重要组成部分
19
作者 王家振 《上海标准化》 1999年第1期51-52,共2页
关键词 集成电路 ic 信息标准化 应用标准 标准化
在线阅读 下载PDF
IC人才培养的破冰之旅——记国家集成电路师资国际培训中心 被引量:1
20
作者 林子 《国际人才交流》 2005年第10期14-15,共2页
培养中国自己的造芯人才 集成电路(IC)在信息产业中处于心脏地位.而在中国,长期以来IC人才的缺乏严重阻碍了中国IC设计产业的发展,其中师资人才更是稀缺,被称为"瓶颈中的瓶颈".
关键词 ic设计产业 人才培养 集成电路 师资人才 培训中心 国际 国家 信息产业 中国
在线阅读 下载PDF
上一页 1 2 46 下一页 到第
使用帮助 返回顶部