应用于等离子显示驱动的高压集成电路工艺

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作者 洪慧 韩雁 叶晓伟 《浙江大学学报（工学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第10期1715-1718,共4页

介绍了等离子显示板(PDP)扫描驱动集成电路(IC)的结构和工作原理,提出了一种与2.0μm标准CMOS工艺完全兼容的新型高压BCD工艺.设计了新型场氧作厚栅HV-pMOS器件和薄栅氧HV-nVDMOS器件,开发了一种新型的PDP扫描驱动集成电路.采用此工艺... 介绍了等离子显示板(PDP)扫描驱动集成电路(IC)的结构和工作原理,提出了一种与2.0μm标准CMOS工艺完全兼容的新型高压BCD工艺.设计了新型场氧作厚栅HV-pMOS器件和薄栅氧HV-nVDMOS器件,开发了一种新型的PDP扫描驱动集成电路.采用此工艺可以节省三个光刻版、两次注入(HV-N阱和PDA)和一次氧化工艺,有效地降低工艺复杂度和生产成本.最终流片和测试结果表明,HV-nVDMOS和HV-pMOS管的耐压均超过165 V,达到系统设计要求.当电源电压为90 V、负载为200 pF时,PDP扫描驱动芯片的上升沿和下降沿时间分别为165和30 ns,这充分验证了芯片具有很强的驱动电流能力. 展开更多

关键词 等离子平板显示屏 扫描驱动集成电路 场氧栅 高压驱动电路

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集成电路控制超高压稳压电源

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作者 吴家群 《商业经济与管理》 1981年第4期56-60,共5页

现在多数的高压电源,内阻大,不稳压。本文介绍一种超高压电源。它以晶体管直流变换器产生超高电压,用集成电路作稳压控制。电压从15kv到35kv连续可调,稳压电流达150μA。用于X光映象增强器的测试电源。经适当的变化,可用于各类图象增强... 现在多数的高压电源,内阻大,不稳压。本文介绍一种超高压电源。它以晶体管直流变换器产生超高电压,用集成电路作稳压控制。电压从15kv到35kv连续可调,稳压电流达150μA。用于X光映象增强器的测试电源。经适当的变化,可用于各类图象增强器,图象变换器,光电器件,电子显微镜,精密高压电源,及其它精密测量场合。 展开更多

关键词 稳压电源 集成电路 超高压 超高电压 输出电压 高压电源 控制器 调整器 晶体管 象增强器

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IR推出新型坚固而可靠的500V和600V集成电路

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《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第10期800-801,共2页

国际整流器公司推出一系列新一代500v及600V高压集成电路（HVIC）。这19款新型HVIC采用半桥设计，配有高端和低端驱动器，可广泛适用于包括马达控制、照明、开关电源、音频和平板显示器等应用。新器件提供单路或双路输入、欠压锁定保护... 国际整流器公司推出一系列新一代500v及600V高压集成电路（HVIC）。这19款新型HVIC采用半桥设计，配有高端和低端驱动器，可广泛适用于包括马达控制、照明、开关电源、音频和平板显示器等应用。新器件提供单路或双路输入、欠压锁定保护，以及用于半桥驱动器的固定或可编程死区时间，并可驱动高达2．5A的电流。 展开更多

关键词 高压集成电路 半桥驱动器 国际整流器公司 IR 平板显示器 hvic 马达控制 开关电源

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基于高压BCD工艺的内集成自举电路

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作者 冯宇翔 左安超 李斌 《半导体技术》 CAS 北大核心 2022年第2期140-144,共5页

设计了一款基于高压BCD工艺的内集成MOS自举电路,将其应用于高压集成电路(HVIC)。对传统的内集成MOS自举电路进行改进,该改进版内置MOS自举电路集成升压控制模块,实现在HVIC通电后屏蔽HVIC输入信号,并通过集成的升压电路将自举电容电压... 设计了一款基于高压BCD工艺的内集成MOS自举电路,将其应用于高压集成电路(HVIC)。对传统的内集成MOS自举电路进行改进,该改进版内置MOS自举电路集成升压控制模块,实现在HVIC通电后屏蔽HVIC输入信号,并通过集成的升压电路将自举电容电压充到预期值,解决了以往使用传统的内置MOS自举功能时,因充电速度慢、充电电压低所导致的触发HVIC欠压保护和电器频繁停机问题。基于SMIC 3μm BCD工艺对所设计的自举电路的HVIC进行流片验证。测试结果表明,升压电路将HVIC供电电压从15 V升高至16.4 V,自举电容电压可达到预期值,同时实现了替代外接自举二极管或通过SOI工艺内置自举二极管的自举功能。 展开更多

关键词 高压集成电路(hvic) BCD工艺 MOS自举电路 二极管自举电路 低电压

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HL-3装置电子回旋长脉冲高压电源及控制系统研制

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作者 李春林 毛晓惠 +4 位作者 李青 王雅丽 夏于洋 范臻圆 王英翘 《强激光与粒子束》 北大核心 2025年第3期145-150,共6页

为了开展高参数物理研究,研制了满足脉冲发电机组、电网供电需求的长脉冲开关电源模块及控制系统。电源模块通过改变交流接线端接线方式进行模块供电类型切换,通过内置的软启电路减小模块充电过程中浪涌电流冲击对电网及开关的影响,模... 为了开展高参数物理研究,研制了满足脉冲发电机组、电网供电需求的长脉冲开关电源模块及控制系统。电源模块通过改变交流接线端接线方式进行模块供电类型切换,通过内置的软启电路减小模块充电过程中浪涌电流冲击对电网及开关的影响,模块控制器满足两种运行方式下的保护、驱动、状态监测设计需求。控制系统采用单片机及可编程逻辑门阵列架构,具有液晶屏本地/上位机远程两种控制功能。在单片机中采用集成电路总线扩展IO的方式实现软启控制、监测功能,减少数据传输链路及系统的复杂性;在可编程逻辑门阵列中实现电源的控制算法,并通过电平信号转换处理,统一了光电转换箱接口设计。在搭建的测试条件下测试结果表明,模块及控制系统设计满足要求,电源实现80kV/100s/20A输出参数测试及保护实验测试。 展开更多

关键词 高压电源 微控制器 现场可编程逻辑门阵列 集成电路总线

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一种全集成高效率多通道神经电刺激电路 被引量：1

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作者 刘静 张轩 姚镭 《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第9期764-769,786,共7页

设计了一种超低待机功耗、高效率的16通道高压神经电刺激集成电路(IC)。该电路主要包括1个基于串-并联电荷泵的高压产生模块,以及1个16路独立配置的通道输出驱动电路模块。高压产生模块将输入的1.65 V低压域电压转换为高压域电压6.6、9.... 设计了一种超低待机功耗、高效率的16通道高压神经电刺激集成电路(IC)。该电路主要包括1个基于串-并联电荷泵的高压产生模块,以及1个16路独立配置的通道输出驱动电路模块。高压产生模块将输入的1.65 V低压域电压转换为高压域电压6.6、9.9、13.2 V;通道输出驱动电路根据设定的刺激电流和电极负载情况动态选择合适的高压域电压以提高电刺激效率。经测试,在1.65 V输入电压和3.3 V电源电压下,该电路待机时静态功耗约为7.6 nW,由待机至电刺激电路工作切换时间小于36 ns,电荷泵输出最大电压可达12.7 V,约为电源电压的4倍,通道控制电路能输出最高1 mA的刺激电流。与传统的固定电源电压电刺激电路相比,消耗的能量最高减少了76.9%。 展开更多

关键词 电刺激电路 高压 多通道 高效率 超低静态功耗 集成电路(IC)

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HVIC中的高压器件——RESURF结构LDMOSFET

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作者 徐家权 郎金荣 +1 位作者 叶润涛 朱大中 《浙江大学学报（自然科学版）》 CSCD 1993年第1期26-34,共9页

RESURF(减小表面电场)结构的LDMOSFET(水平沟道二次扩散MOS场效应晶体管)是HVIC(高压集成电路)中较为理想的高压输出器件。本文对RESURF结构的LDMOSFET进行了理论与计算机分析,为探求该器件的设计依据及其与双极器件相兼容的工艺方案,... RESURF(减小表面电场)结构的LDMOSFET(水平沟道二次扩散MOS场效应晶体管)是HVIC(高压集成电路)中较为理想的高压输出器件。本文对RESURF结构的LDMOSFET进行了理论与计算机分析,为探求该器件的设计依据及其与双极器件相兼容的工艺方案,设计了一个包含有NPN,PNP晶体管及不同漂移区长度的RESURF试验模型,并进行了工艺流片,获得了耐压为350V与低压双极器件相兼容的高压RESURF结构的LDMOSFET。 展开更多

关键词 高压器件 高压IC 功率IC hvic

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高压RESURF　LDMOSFET的实现 被引量：6

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作者 卢豫曾 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第8期10-14,共5页

利用ＲＥＳＵＲＦ（ＲＥｄｕｃｅｄＳＵＲｆａｃｅＦｉｅｌｄ）技术，使用常规低压集成电路工艺，实现了适用于ＨＶＩＣ、耐压达１０００Ｖ的ＬＤＭＯＳＦＥＴ，本文介绍了该高压ＬＤＭＯＳＦＥＴ的设计方法、器件结构、制造工艺和测试... 利用ＲＥＳＵＲＦ（ＲＥｄｕｃｅｄＳＵＲｆａｃｅＦｉｅｌｄ）技术，使用常规低压集成电路工艺，实现了适用于ＨＶＩＣ、耐压达１０００Ｖ的ＬＤＭＯＳＦＥＴ，本文介绍了该高压ＬＤＭＯＳＦＥＴ的设计方法、器件结构、制造工艺和测试结果。此外，本文还从实验和分析的角度探讨了覆盖在漂移区上面的金属栅──金属栅场板长度ＬＦ对ＲＥＳＵＲＦ器件耐压的影响。 展开更多

关键词 高压 横向双扩散 MOSFET 低压集成电路 工艺

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高压功率VDMOST的SPICE直流模型

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作者 赵野 孙伟锋 +1 位作者 易扬波 鲍嘉明 《应用科学学报》 CAS CSCD 北大核心 2005年第6期604-609,共6页

基于高压VDMOST的物理机理和特殊结构,详细分析、推导了漂移区电阻、埋层电阻、内部节点电压及内部耗尽层宽度随外加偏压变化而变化的情形;采用数值计算的方法,建立了较精确的高压六角型VDMOST三维物理模型,进而提出了VDMOST的直流(DC)... 基于高压VDMOST的物理机理和特殊结构,详细分析、推导了漂移区电阻、埋层电阻、内部节点电压及内部耗尽层宽度随外加偏压变化而变化的情形;采用数值计算的方法,建立了较精确的高压六角型VDMOST三维物理模型,进而提出了VDMOST的直流(DC)等效电路模型.该模型由level3 NMOS管、控制源、电容等元件组成,较准确地模拟了高压器件的特性.与以往文献的结果相比,该模型物理概念清晰,准确性高,避免过多工艺参数引入的同时,简化了等效电路.将该模型嵌入SPICE进行仿真,得到了全电压范围内连续的I-V特性曲线,与实际测试结果相比,误差接近5%. 展开更多

关键词 模型 高压集成电路 高压VDMOST 漂移区 等效电路

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介质隔离横向高压p-i-n器件的击穿特性

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作者 洪垣 《上海大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 2001年第2期109-112,共4页

对硅厚膜 BESOI介质隔离横向高压 p- i- n器件的击穿特性作了分析 ,并用计算机进行了模拟 ,从器件的几何图形和隔离偏压方面 ,提出了改善击穿特性的方法 .

关键词 高压p-i-n器件 介质隔离 厚膜BESOI 击穿电压 功率集成电路 几何图形 隔离偏压

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自举高端驱动浮动地负过冲闭锁问题 被引量：5

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作者 王友军 《现代电子技术》 2009年第21期182-185,共4页

高压栅极驱动集成电路的实现中都设计有一定的开关噪声耐量,然而,由于结构上不是完全电隔离的,对噪声自然敏感,用于驱动感性负载时,开关换流期在高端浮动地上产生的过负压会使芯片闭锁,导致芯片高端驱动输出失常,甚至电路毁坏,就过负压... 高压栅极驱动集成电路的实现中都设计有一定的开关噪声耐量,然而,由于结构上不是完全电隔离的,对噪声自然敏感,用于驱动感性负载时,开关换流期在高端浮动地上产生的过负压会使芯片闭锁,导致芯片高端驱动输出失常,甚至电路毁坏,就过负压产生原因、闭锁机理及在驱动集成电路的高端浮动地与桥输出之间加入电阻网络等电路级抑制措施进行了详细分析和介绍。 展开更多

关键词 高压集成电路 功率MOS栅驱动集成电路 电平位移 自举 闭锁

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压电传感器信号调理及输出芯片设计 被引量：2

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作者 王远 周怡妃 +1 位作者 王小龙 吴付岗 《传感器与微系统》 CSCD 2017年第11期99-102,共4页

为了提高压电传感器测量系统的集成度,采用1μm高压双极—互补金属氧化物半导体—双重扩散金属氧化物半导体(BCD)工艺,设计了一种适用于压电传感器的信号调理及输出芯片。集成了电压放大型阻抗变换电路、可调增益放大电路、二线制电流... 为了提高压电传感器测量系统的集成度,采用1μm高压双极—互补金属氧化物半导体—双重扩散金属氧化物半导体(BCD)工艺,设计了一种适用于压电传感器的信号调理及输出芯片。集成了电压放大型阻抗变换电路、可调增益放大电路、二线制电流输出电路。仿真结果表明:芯片具有输入阻抗高,单位增益带宽大,总增益可调范围广等特点,在12~24 V宽供电范围下可正常工作,耗电仅为3.1 m A。 展开更多

关键词 压电传感器 集成电路设计 高压双极—互补金属氧化物半导体—双重扩散金属氧化物半导体工艺 可调增益放大电路 电流型输出

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简易电子灭菌器制作技术

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作者 崔玉峰 《农村新技术》 1996年第1期36-36,共1页

关键词 电子灭菌器 制作技术 臭氧管 高压变压器 电源变压器 集成电路 印刷线路板 灭菌效果 水质净化 安装方法

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