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射频PECVD高速沉积微晶硅薄膜被引量：3: 1; 作者杨根谷锦华 +5 位作者卢景霄陈永生张丽伟吴芳汪昌州李红菊《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第3期250-253,共4页; 本文采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术高速沉积微晶硅薄膜。系统研究了射频功率、气体总流量、沉积气压、硅烷浓度等沉积参数对薄膜沉积速率和晶化率的影响。通过沉积参数的优化,使微晶硅薄膜沉积速率达到了3/s左右。; 关键词等离子体增强化学气相沉积微晶硅薄膜高压耗尽法高速沉积; 在线阅读下载PDF 职称材料

微晶硅材料高速生长及其在太阳能电池中的应用: 2; 作者孙建俞远高 +5 位作者王锐侯国付薛俊明赵颖耿新华李乙钢《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第9期697-701,共5页; 高气压耗尽RF-PECVD在高速生长优质微晶硅材料和太阳能电池方面具有巨大的优势。采用这种沉积方法,本征微晶硅材料的生长速度提高到0.32nm/s,晶化率达58.2%。把这种高速生长的微晶硅材料用作太阳电池的本征吸收层,在没有优化工艺参数和... 展开更多; 关键词高速生长微晶硅电池高压耗尽; 在线阅读下载PDF 职称材料

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