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基于高压碳化硅器件的三相固态变压器拓扑及其在电网电压不平衡下的控制
被引量：
7
1
作者
于程皓
王玉斌
李厚芝
《电工技术学报》
EI
CSCD
北大核心
2017年第A02期111-118,共8页
作为智能电网应用中的关键设备,固态变压器(SST)在未来电力系统中占有重要地位。为解决三相模块级联型固态变压器拓扑复杂、控制困难、需要解决模块间均压均功率等问题,采用简单的基于高压碳化硅(Si C)器件的三相固态变压器拓扑,其中整...
作为智能电网应用中的关键设备,固态变压器(SST)在未来电力系统中占有重要地位。为解决三相模块级联型固态变压器拓扑复杂、控制困难、需要解决模块间均压均功率等问题,采用简单的基于高压碳化硅(Si C)器件的三相固态变压器拓扑,其中整流级采用简单的三相电压型PWM整流器的常规拓扑,因而具有很强的现实意义。建立三相Si C-SST拓扑的数学模型,并对电网电压平衡下的控制策略进行分析,同时在电网电压不平衡时,采用抑制SST交流输入侧负序电流的控制策略。通过PSIM仿真证明了两种控制策略的可行性与正确性。最后基于Si C器件搭建了实验平台,对SST的前端整流级进行了实验验证。
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关键词
三相固态变压器
拓扑
高压碳化硅器件
控制策略
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职称材料
温度对碳化硅器件封装用有机硅弹性体陷阱特性的影响
被引量：
5
2
作者
孟伟
李学宝
+3 位作者
张金强
赵志斌
崔翔
王亮
《高电压技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2023年第2期577-587,共11页
有机硅弹性体作为一种高分子聚合物,因具有良好的耐高温性能、绝缘强度以及与芯片的相容性,已在碳化硅功率器件中得到应用。目前国内外针对有机硅弹性体在高温下的绝缘特性研究较少,而介质的陷阱特性与其绝缘性能密切相关,研究有机硅弹...
有机硅弹性体作为一种高分子聚合物,因具有良好的耐高温性能、绝缘强度以及与芯片的相容性,已在碳化硅功率器件中得到应用。目前国内外针对有机硅弹性体在高温下的绝缘特性研究较少,而介质的陷阱特性与其绝缘性能密切相关,研究有机硅弹性体的陷阱特性及其受温度的影响,对于该种灌封材料在碳化硅器件封装中的应用具有重要意义。为此,采用表面电位衰减法(surfacepotentialdecay,SPD)测量了有机硅弹性体在温度20~250℃范围内的表面电位衰减曲线,提取了不同温度下有机硅弹性体的陷阱电荷能级密度分布和迁移率等微观参数,建立了有机硅弹性体迁移时间、迁移率、电位衰减时间常数随温度变化的拟合表达式,分析了温度对有机硅弹性体陷阱特性的影响机制,确定了有机硅弹性体陷阱捕获电荷数量最大时的温度阈值。此外,结合有机硅弹性体陷阱特性,从载流子输运的角度解释了该材料电导率、迁移率以及深浅陷阱的电位衰减时间常数之差随温度变化的规律,并通过分析有机硅弹性体的微观结构特征,解释了该材料陷阱特性的极性效应。相关结果可以为不同温度下有机硅弹性体绝缘特性的认知提供支撑。
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关键词
高压
大功率
碳化硅
器件
高温
有机硅弹性体
陷阱特性
表面电位衰减
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职称材料
题名
基于高压碳化硅器件的三相固态变压器拓扑及其在电网电压不平衡下的控制
被引量：
7
1
作者
于程皓
王玉斌
李厚芝
机构
山东大学电气工程学院
出处
《电工技术学报》
EI
CSCD
北大核心
2017年第A02期111-118,共8页
基金
国家自然科学基金(51277115
51541708)
山东省自然基金(ZR2011EEM026)资助项目
文摘
作为智能电网应用中的关键设备,固态变压器(SST)在未来电力系统中占有重要地位。为解决三相模块级联型固态变压器拓扑复杂、控制困难、需要解决模块间均压均功率等问题,采用简单的基于高压碳化硅(Si C)器件的三相固态变压器拓扑,其中整流级采用简单的三相电压型PWM整流器的常规拓扑,因而具有很强的现实意义。建立三相Si C-SST拓扑的数学模型,并对电网电压平衡下的控制策略进行分析,同时在电网电压不平衡时,采用抑制SST交流输入侧负序电流的控制策略。通过PSIM仿真证明了两种控制策略的可行性与正确性。最后基于Si C器件搭建了实验平台,对SST的前端整流级进行了实验验证。
关键词
三相固态变压器
拓扑
高压碳化硅器件
控制策略
Keywords
Three-phase solid state transformer, topology, high-voltage SiC devices, control strategy
分类号
TM46 [电气工程—电器]
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职称材料
题名
温度对碳化硅器件封装用有机硅弹性体陷阱特性的影响
被引量：
5
2
作者
孟伟
李学宝
张金强
赵志斌
崔翔
王亮
机构
华北电力大学新能源电力系统国家重点实验室
北京智慧能源研究院先进输电技术国家重点实验室
出处
《高电压技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2023年第2期577-587,共11页
基金
国家电网有限公司总部科技项目(碳化硅高压封装绝缘关键技术)(5500-202158438A-0-0-00)。
文摘
有机硅弹性体作为一种高分子聚合物,因具有良好的耐高温性能、绝缘强度以及与芯片的相容性,已在碳化硅功率器件中得到应用。目前国内外针对有机硅弹性体在高温下的绝缘特性研究较少,而介质的陷阱特性与其绝缘性能密切相关,研究有机硅弹性体的陷阱特性及其受温度的影响,对于该种灌封材料在碳化硅器件封装中的应用具有重要意义。为此,采用表面电位衰减法(surfacepotentialdecay,SPD)测量了有机硅弹性体在温度20~250℃范围内的表面电位衰减曲线,提取了不同温度下有机硅弹性体的陷阱电荷能级密度分布和迁移率等微观参数,建立了有机硅弹性体迁移时间、迁移率、电位衰减时间常数随温度变化的拟合表达式,分析了温度对有机硅弹性体陷阱特性的影响机制,确定了有机硅弹性体陷阱捕获电荷数量最大时的温度阈值。此外,结合有机硅弹性体陷阱特性,从载流子输运的角度解释了该材料电导率、迁移率以及深浅陷阱的电位衰减时间常数之差随温度变化的规律,并通过分析有机硅弹性体的微观结构特征,解释了该材料陷阱特性的极性效应。相关结果可以为不同温度下有机硅弹性体绝缘特性的认知提供支撑。
关键词
高压
大功率
碳化硅
器件
高温
有机硅弹性体
陷阱特性
表面电位衰减
Keywords
high voltage and high power silicon carbide device
high temperature
silicone elastomer
trap characteristics
surface potential decay
分类号
TN304.24 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于高压碳化硅器件的三相固态变压器拓扑及其在电网电压不平衡下的控制
于程皓
王玉斌
李厚芝
《电工技术学报》
EI
CSCD
北大核心
2017
7
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
温度对碳化硅器件封装用有机硅弹性体陷阱特性的影响
孟伟
李学宝
张金强
赵志斌
崔翔
王亮
《高电压技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2023
5
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职称材料
已选择
0
条
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