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SOI高压器件热载流子退化研究(英文): 1; 作者韩临何燕冬张钢刚《北京大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第4期632-636,共5页; 提出一种可以表征STI型LDMOS器件各个区域界面陷阱密度分布的测试方法——MR-DCIV,利用该方法得到包括LDMOS器件的沟道区、积累区和漂移区在内的LDMOS器件界面陷阱密度在多种热载流子应力条件下的产生退化规律。针对界面陷阱的位置对LD... 展开更多; 关键词高压横向扩散场效应晶体管多区域直流电压电流技术界面态热载流子退化; 在线阅读下载PDF 职称材料

微波功率LDMOS的工艺仿真及研制被引量：1: 2; 作者冯彬刘英坤 +2 位作者孙艳玲段雪董四华《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第5期402-405,共4页; 利用工艺仿真软件Tsuprem 4,针对氧化、退火等工艺进行仿真及校准,并据此对LDMOSFET进行了设计及工艺仿真。结合Medici得到LDMOSFET的结构参数以及相应电学参数,与研制结果进行了比较,仿真结果与实际研制结果吻合较好,实现了在工作频率1... 展开更多; 关键词工艺仿真 Tsuprem4软件横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管; 在线阅读下载PDF 职称材料

LDMOS器件静电放电失效原理及防护方法被引量：3: 3; 作者陈蕾宋李梅 +1 位作者刘梦新杜寰《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第10期968-973,共6页; 探讨了LDMOS器件在静电放电脉冲作用下的失效现象和机理,阐述了LDMOS器件受到静电放电脉冲冲击后出现的软击穿现象,和由于寄生npn管导通产生的大电流引起器件局部温度过高,导致金属接触孔熔融的器件二次击穿现象。分析对比了不同栅宽、... 展开更多; 关键词横向双扩散场效应晶体管静电放电防护深漏极注入击穿现象; 在线阅读下载PDF 职称材料

超低导通电阻沟槽栅LDMOS器件研究被引量：2: 4; 作者吝晓楠吴团庄 +7 位作者许超奇李仁伟张仪薛璐洁陈淑娴林峰刘斯扬孙伟锋《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第8期1995-2002,共8页; 本文提出了一种具有超低特征导通电阻的沟槽栅横向双扩散场效应晶体管(Trench Gate Lateral Double-diffused MOSFET,TG-LDMOS).本结构源极和漏极都在表面,与BCD(Bipolar CMOS DMOS)工艺相兼容.通过引入介质沟槽、垂直栅极、栅极下方的... 展开更多; 关键词横向双扩散场效应晶体管沟槽横向元胞尺寸击穿电压特征导通电阻; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名SOI高压器件热载流子退化研究(英文): 1; 作者韩临何燕冬张钢刚; 机构北京大学微电子学研究院、教育部微电子器件与电路重点实验室; 出处《北京大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第4期632-636,共5页; 基金国家重点基础研究发展计划(2011CBA00606)资助; 文摘提出一种可以表征STI型LDMOS器件各个区域界面陷阱密度分布的测试方法——MR-DCIV,利用该方法得到包括LDMOS器件的沟道区、积累区和漂移区在内的LDMOS器件界面陷阱密度在多种热载流子应力条件下的产生退化规律。针对界面陷阱的位置对LDMOS器件电学特性的影响进行分析,结果显示,在最大衬底电流应力模式下,产生的导通电阻退化最为严重,从而揭示不同于传统MOSFET器件导致LDMOS器件热载流子退化的机理。; 关键词高压横向扩散场效应晶体管多区域直流电压电流技术界面态热载流子退化; Keywords high voltage LDMOSFET MR-DCIV technique interface state hot carrier degradation; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名微波功率LDMOS的工艺仿真及研制被引量：1: 2; 作者冯彬刘英坤孙艳玲段雪董四华; 机构中国电子科技集团公司第十三研究所; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第5期402-405,共4页; 文摘利用工艺仿真软件Tsuprem 4,针对氧化、退火等工艺进行仿真及校准,并据此对LDMOSFET进行了设计及工艺仿真。结合Medici得到LDMOSFET的结构参数以及相应电学参数,与研制结果进行了比较,仿真结果与实际研制结果吻合较好,实现了在工作频率1 GHz,VDD=28 V条件下,输出功率Po=10 W,Gp=10 dB,η=55%的良好性能。; 关键词工艺仿真 Tsuprem4软件横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管; Keywords process simulation Tsuprem4 lateral double-diffused MOSFET; 分类号 TN386.1 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名LDMOS器件静电放电失效原理及防护方法被引量：3: 3; 作者陈蕾宋李梅刘梦新杜寰; 机构中国科学院微电子研究所; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第10期968-973,共6页; 文摘探讨了LDMOS器件在静电放电脉冲作用下的失效现象和机理,阐述了LDMOS器件受到静电放电脉冲冲击后出现的软击穿现象,和由于寄生npn管导通产生的大电流引起器件局部温度过高,导致金属接触孔熔融的器件二次击穿现象。分析对比了不同栅宽、不同LOCOS长度和埋层结构LDMOS器件的静电放电防护性能,证实了带埋层的深漏极注入双RESURF结构LDMOS器件在静电放电防护方面的显著优势。; 关键词横向双扩散场效应晶体管静电放电防护深漏极注入击穿现象; Keywords LDMOS ESD protection deep drain implantation breakdown phenomenon; 分类号 TN386.1 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名超低导通电阻沟槽栅LDMOS器件研究被引量：2: 4; 作者吝晓楠吴团庄许超奇李仁伟张仪薛璐洁陈淑娴林峰刘斯扬孙伟锋; 机构东南大学电子科学与工程学院东南大学微电子学院无锡华润上华科技有限公司; 出处《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第8期1995-2002,共8页; 基金国家重点研发计划(No.2020YFF0218501) 东南大学至善学者基金(No.2242021R41080)。; 文摘本文提出了一种具有超低特征导通电阻的沟槽栅横向双扩散场效应晶体管(Trench Gate Lateral Double-diffused MOSFET,TG-LDMOS).本结构源极和漏极都在表面,与BCD(Bipolar CMOS DMOS)工艺相兼容.通过引入介质沟槽、垂直栅极、栅极下方的源极多晶硅以及栅极右侧的厚氧化层,将传统集成型功率器件的一维耐压拓宽为二维耐压,包括横向耐压与纵向耐压两个方向.其中,纵向耐压不占用横向元胞尺寸,进而在相同耐压水平上,使TG-LDMOS具有分立功率器件耐压效率高、导通电阻低的特点.本结构通过仿真优化做到了击穿电压(VB)为52 V,特征导通电阻(Ron,sp)为10 mΩ·mm^(2).结果表明,TG-LDMOS突破了硅器件的极限关系,与硅极限相比特征导通电阻降低了48%.; 关键词横向双扩散场效应晶体管沟槽横向元胞尺寸击穿电压特征导通电阻; Keywords lateral double-diffused mosfet trench lateral cell pitch breakdown voltage specific on-resistance; 分类号 TN323.4 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	SOI高压器件热载流子退化研究(英文)	韩临何燕冬张钢刚	《北京大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心	2014	0	在线阅读下载PDF 职称材料
2	微波功率LDMOS的工艺仿真及研制	冯彬刘英坤孙艳玲段雪董四华	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2007	1	在线阅读下载PDF 职称材料
3	LDMOS器件静电放电失效原理及防护方法	陈蕾宋李梅刘梦新杜寰	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2009	3	在线阅读下载PDF 职称材料
4	超低导通电阻沟槽栅LDMOS器件研究	吝晓楠吴团庄许超奇李仁伟张仪薛璐洁陈淑娴林峰刘斯扬孙伟锋	《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2023	2	在线阅读下载PDF 职称材料