LLC谐振变换器由于具有良好的软开关特性和电气隔离能力,在近年来被广泛应用于高压、大功率、中/高频电能变换领域。现有的高压器件受开关特性的制约,需要选取较大的死区时间保证电路中开关桥臂的安全可靠工作,从而会对LLC谐振变换器的...LLC谐振变换器由于具有良好的软开关特性和电气隔离能力,在近年来被广泛应用于高压、大功率、中/高频电能变换领域。现有的高压器件受开关特性的制约,需要选取较大的死区时间保证电路中开关桥臂的安全可靠工作,从而会对LLC谐振变换器的软开关实现产生影响。主要研究了大死区时间对LLC谐振变换器软开关特性的影响规律,分别从开关管安全工作、结电容放电和反并联二极管续流3个因素出发,定量推导确保全功率范围内软开关实现的死区设置区间,进而提出死区时间的优化设计方法。最后,搭建了基于6.5 kV/250 A IGBT的150 kW大功率电力电子变压器样机,通过分析和测量不同功率等级下LLC谐振变换器的软开关实现情况,验证所提死区时间设计方法的有效性。展开更多
为准确评估硅IGBT和碳化硅MOSFET等高压大功率器件不同电应力及热应力条件下的栅极可靠性,研制了实时测量皮安级栅极漏电流的高温栅偏(high temperature gate bias,HTGB)测试装置。此外,该测试装置具备阈值电压在线监测功能,可以更好地...为准确评估硅IGBT和碳化硅MOSFET等高压大功率器件不同电应力及热应力条件下的栅极可靠性,研制了实时测量皮安级栅极漏电流的高温栅偏(high temperature gate bias,HTGB)测试装置。此外,该测试装置具备阈值电压在线监测功能,可以更好地监测被测器件的状态以进行可靠性评估和失效分析。为初步验证测试装置的各项功能和可靠性,运用该测试装置对商用IGBT器件在相同温度应力不同电应力条件下进行分组测试。初步测试结果表明老化初期漏电流逐渐降低,最终漏电流大小与电压应力有良好的正相关性,栅偏电压越大,漏电流越大。该测试装置实现了碳化硅MOSFET器件和硅IGBT器件对高温栅偏的测试需求且适用于各种类型的封装。展开更多
高温反偏测试(high temperature reverse bias,HTRB)作为功率器件可靠性测试的重要环节,其测试装置的精度和功能决定了对被测器件老化程度判定的准确性。针对高压大功率器件对测试装置空间、精度以及可靠性的需求,自主研制出了电压等级6...高温反偏测试(high temperature reverse bias,HTRB)作为功率器件可靠性测试的重要环节,其测试装置的精度和功能决定了对被测器件老化程度判定的准确性。针对高压大功率器件对测试装置空间、精度以及可靠性的需求,自主研制出了电压等级6 kV、环境温度180℃的高温反偏测试装置。此外,该测试装置还集成了温度-漏电流关系曲线自动测量及失效期数据高频采集等功能,更为准确灵活地监测被测器件的状态,进行可靠性评估与失效分析。为验证该测试装置的各项功能及可靠性,使用该装置对商业IGBT器件进行了测试,初步测试结果表明:温度与漏电流呈指数关系,集射极漏电流随着老化的进行逐渐增大。该装置符合高压大功率半导体器件对高温反偏测试的需求且适用于不同封装的IGBT器件。展开更多
文摘LLC谐振变换器由于具有良好的软开关特性和电气隔离能力,在近年来被广泛应用于高压、大功率、中/高频电能变换领域。现有的高压器件受开关特性的制约,需要选取较大的死区时间保证电路中开关桥臂的安全可靠工作,从而会对LLC谐振变换器的软开关实现产生影响。主要研究了大死区时间对LLC谐振变换器软开关特性的影响规律,分别从开关管安全工作、结电容放电和反并联二极管续流3个因素出发,定量推导确保全功率范围内软开关实现的死区设置区间,进而提出死区时间的优化设计方法。最后,搭建了基于6.5 kV/250 A IGBT的150 kW大功率电力电子变压器样机,通过分析和测量不同功率等级下LLC谐振变换器的软开关实现情况,验证所提死区时间设计方法的有效性。
文摘为准确评估硅IGBT和碳化硅MOSFET等高压大功率器件不同电应力及热应力条件下的栅极可靠性,研制了实时测量皮安级栅极漏电流的高温栅偏(high temperature gate bias,HTGB)测试装置。此外,该测试装置具备阈值电压在线监测功能,可以更好地监测被测器件的状态以进行可靠性评估和失效分析。为初步验证测试装置的各项功能和可靠性,运用该测试装置对商用IGBT器件在相同温度应力不同电应力条件下进行分组测试。初步测试结果表明老化初期漏电流逐渐降低,最终漏电流大小与电压应力有良好的正相关性,栅偏电压越大,漏电流越大。该测试装置实现了碳化硅MOSFET器件和硅IGBT器件对高温栅偏的测试需求且适用于各种类型的封装。
文摘高温反偏测试(high temperature reverse bias,HTRB)作为功率器件可靠性测试的重要环节,其测试装置的精度和功能决定了对被测器件老化程度判定的准确性。针对高压大功率器件对测试装置空间、精度以及可靠性的需求,自主研制出了电压等级6 kV、环境温度180℃的高温反偏测试装置。此外,该测试装置还集成了温度-漏电流关系曲线自动测量及失效期数据高频采集等功能,更为准确灵活地监测被测器件的状态,进行可靠性评估与失效分析。为验证该测试装置的各项功能及可靠性,使用该装置对商业IGBT器件进行了测试,初步测试结果表明:温度与漏电流呈指数关系,集射极漏电流随着老化的进行逐渐增大。该装置符合高压大功率半导体器件对高温反偏测试的需求且适用于不同封装的IGBT器件。
