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基于全集成自提取结终端隔离BCD新工艺的场致发光高压驱动芯片被引量：1: 1; 作者黄伟胡南中 +1 位作者李海鸥于宗光《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第9期1858-1862,共5页; 本文提出可集成自提取结终端的0135Lm 150V-BCD(双极-互补金属氧化物半导体-双重扩散金属氧化物半导体)全套新型高压工艺.利用此工艺研制出100V场致发光用高低侧驱动芯片,并提出了基于双极器件BC(双极集电极)结短路自提取结终端新工艺... 展开更多; 关键词 BCD(双极-互补金属氧化物半导体-双重扩散金属氧化物半导体) 场致发光自提取结终端高低侧全桥驱动; 在线阅读下载PDF 职称材料

用0.8μm工艺技术设计的65-kb BiCMOS SRAM 被引量：4: 2; 作者董素玲成立 +1 位作者王振宇高平《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2003年第6期44-48,共5页; 设计了一种65-kb BiCMOS静态随机存取存储器(SRAM)的存储单元及其外围电路,提出了采用先进的0.8mm BiCMOS工艺,制作所设计SRAM的一些技术要点。实验结果表明,所设计的BiCMOSSRAM,其电源电压可低于3V,它既保留了CMOS SRAM低功耗、高集成... 展开更多; 关键词 0.8μm工艺技术静态随机存取存储器 BICMOS SRAM 双极互补金属氧化物半导体器件输入/输出电路地址译码器; 在线阅读下载PDF 职称材料

BCD工艺概述被引量：8: 3; 作者陈志勇黄其煜龚大卫《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第9期641-644,659,共5页; 介绍了BCD(bipolarCMOSDMOS)的工艺原理、特点和发展前景。对BCD工艺兼容性进行了说明,着重阐述了LDMOS的工艺原理和关键工艺设计考虑。文章结合应用,指出BCD工艺朝着高压、高功率、高密度三个主要方向分化发展,并对BCD工艺的最新进展... 展开更多; 关键词 BCD工艺双扩散金属氧化物半导体管模块化高压高密度; 在线阅读下载PDF 职称材料

锗硅HBT BiCMOS工艺中的p-i-n开关二极管设计: 4; 作者刘冬华胡君 +3 位作者钱文生陈帆陈雄斌段文婷《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第4期271-275,共5页; 介绍了一种集成在BiCMOS工艺的p-i-n开关二极管的器件。它由在STI下面的n型赝埋层作为p-i-n的n区,锗硅npn异质结双极型晶体管的重掺杂外基区作为p-i-n的p区。同时新开发了穿过场氧的深接触孔工艺用于赝埋层的直接引出,并采用p-i-n注入... 展开更多; 关键词 P-I-N二极管锗硅异质结双极型晶体管双极互补金属氧化物半导体赝埋层工艺和器件仿真; 在线阅读下载PDF 职称材料

压电传感器信号调理及输出芯片设计被引量：2: 5; 作者王远周怡妃 +1 位作者王小龙吴付岗《传感器与微系统》 CSCD 2017年第11期99-102,共4页; 为了提高压电传感器测量系统的集成度,采用1μm高压双极—互补金属氧化物半导体—双重扩散金属氧化物半导体(BCD)工艺,设计了一种适用于压电传感器的信号调理及输出芯片。集成了电压放大型阻抗变换电路、可调增益放大电路、二线制电流... 展开更多; 关键词压电传感器集成电路设计高压双极—互补金属氧化物半导体—双重扩散金属氧化物半导体工艺可调增益放大电路电流型输出; 在线阅读下载PDF 职称材料

BiCMOS器件应用前景及其发展趋势被引量：8: 6; 作者王振宇成立 +1 位作者高平史宜巧《电讯技术》北大核心 2003年第4期9-14,共6页; 为拓宽混合微电子技术研发思路和加大其工程应用力度,综述了BiCMOS器件的发展概况、基本结构、技术特点和应用领域以及目前达到的技术水平,并简述了BiCMOS技术的典型工艺和已获得的研究成果,讨论了BiCMOS电路未来的发展趋势和市场前景。; 关键词 BiCMOS器件发展趋势混合微电子技术双极互补金属氧化物半导体器件混合微电子技术工艺结构; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于全集成自提取结终端隔离BCD新工艺的场致发光高压驱动芯片被引量：1: 1; 作者黄伟胡南中李海鸥于宗光; 机构中国电子科技集团公司第五十八研究所桂林电子科技大学信息与通信学院; 出处《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第9期1858-1862,共5页; 基金国家自然科学基金(No.61274077) 江苏省自然科学基金(No.BK2011173 No.BK20120094); 文摘本文提出可集成自提取结终端的0135Lm 150V-BCD(双极-互补金属氧化物半导体-双重扩散金属氧化物半导体)全套新型高压工艺.利用此工艺研制出100V场致发光用高低侧驱动芯片,并提出了基于双极器件BC(双极集电极)结短路自提取结终端新工艺与新结构,既可满足场致发光高压驱动芯片应用,又能取代传统采用氧化扩散工艺的P-ISO(P型隔离结构)传统隔离结构,显著简化了工艺和提高了芯片的高集成度,确保片内集成的低电阻率VDNMOS/LDPMOS(N型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管/P型横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管)高压驱动模块与低压逻辑控制模块在100V高压脉冲交替工作状况下无负电位、EMMI(微光显微镜)等寄生现象出现.; 关键词 BCD(双极-互补金属氧化物半导体-双重扩散金属氧化物半导体) 场致发光自提取结终端高低侧全桥驱动; Keywords bipolar-CMOS-DMOS（BCD） electroluminescent lamps（EL） self-extracted JTE french（SEJTET） full-bridge; 分类号 TN43 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名用0.8μm工艺技术设计的65-kb BiCMOS SRAM 被引量：4: 2; 作者董素玲成立王振宇高平; 机构江苏大学电气与信息工程学院; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2003年第6期44-48,共5页; 基金江苏省高校自然科学研究基金项目(02KJB510005); 文摘设计了一种65-kb BiCMOS静态随机存取存储器(SRAM)的存储单元及其外围电路,提出了采用先进的0.8mm BiCMOS工艺,制作所设计SRAM的一些技术要点。实验结果表明,所设计的BiCMOSSRAM,其电源电压可低于3V,它既保留了CMOS SRAM低功耗、高集成密度的长处,又获得了双极型(Bipolar)电路快速、大电流驱动能力的优点,因此,特别适用于高速缓冲静态存储系统和便携式数字电子设备中。; 关键词 0.8μm工艺技术静态随机存取存储器 BICMOS SRAM 双极互补金属氧化物半导体器件输入/输出电路地址译码器; Keywords BiCMOS device static random access memory(SRAM) memory unit input/output circuit(I/O circuit) address decoder; 分类号 TP333 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名BCD工艺概述被引量：8: 3; 作者陈志勇黄其煜龚大卫; 机构上海交通大学微电子学院上海先进半导体制造股份有限公司; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第9期641-644,659,共5页; 文摘介绍了BCD(bipolarCMOSDMOS)的工艺原理、特点和发展前景。对BCD工艺兼容性进行了说明,着重阐述了LDMOS的工艺原理和关键工艺设计考虑。文章结合应用,指出BCD工艺朝着高压、高功率、高密度三个主要方向分化发展,并对BCD工艺的最新进展作了概述。对电源管理和显示驱动这两大市场驱动进行了分析,并对国内企业进入该领域所面临的机会与挑战作了阐述与展望。; 关键词 BCD工艺双扩散金属氧化物半导体管模块化高压高密度; Keywords BCD process DMOS modularization high voltage high density; 分类号 TN305.7 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名锗硅HBT BiCMOS工艺中的p-i-n开关二极管设计: 4; 作者刘冬华胡君钱文生陈帆陈雄斌段文婷; 机构上海华虹NEC电子有限公司; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第4期271-275,共5页; 基金国家科技02重大专项资助项目(2009ZX02303); 文摘介绍了一种集成在BiCMOS工艺的p-i-n开关二极管的器件。它由在STI下面的n型赝埋层作为p-i-n的n区,锗硅npn异质结双极型晶体管的重掺杂外基区作为p-i-n的p区。同时新开发了穿过场氧的深接触孔工艺用于赝埋层的直接引出,并采用p-i-n注入用于对i区进行轻掺杂。借助半导体工艺与器件仿真软件,得到了有源区尺寸、赝埋层到有源区的距离、p-i-n注入条件等关键工艺参数对p-i-n性能的影响。最后优化设计的p-i-n二极管,其在2.4 GHz频率下的指标参数,如插入损耗为-0.56 dB,隔离度为-22.26 dB,击穿电压大于15 V,它达到了WiFi电路中的开关器件的性能要求。; 关键词 P-I-N二极管锗硅异质结双极型晶体管双极互补金属氧化物半导体赝埋层工艺和器件仿真; Keywords p-i-n diode SiGe HBT BiCMOS pseudo buried layer process and device simulation; 分类号 TN305 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名压电传感器信号调理及输出芯片设计被引量：2: 5; 作者王远周怡妃王小龙吴付岗; 机构中国工程物理研究院总体工程研究所; 出处《传感器与微系统》 CSCD 2017年第11期99-102,共4页; 文摘为了提高压电传感器测量系统的集成度,采用1μm高压双极—互补金属氧化物半导体—双重扩散金属氧化物半导体(BCD)工艺,设计了一种适用于压电传感器的信号调理及输出芯片。集成了电压放大型阻抗变换电路、可调增益放大电路、二线制电流输出电路。仿真结果表明:芯片具有输入阻抗高,单位增益带宽大,总增益可调范围广等特点,在12~24 V宽供电范围下可正常工作,耗电仅为3.1 m A。; 关键词压电传感器集成电路设计高压双极—互补金属氧化物半导体—双重扩散金属氧化物半导体工艺可调增益放大电路电流型输出; Keywords piezoelectric sensor integrated circuit design high-voltage bipolar-CMOS-DMOS （BCD）technology programmable gain amplifier current output; 分类号 TP212 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名BiCMOS器件应用前景及其发展趋势被引量：8: 6; 作者王振宇成立高平史宜巧; 机构江苏大学电气与信息工程学院; 出处《电讯技术》北大核心 2003年第4期9-14,共6页; 基金江苏省高校自然科学研究基金项目(02KJB510005); 文摘为拓宽混合微电子技术研发思路和加大其工程应用力度,综述了BiCMOS器件的发展概况、基本结构、技术特点和应用领域以及目前达到的技术水平,并简述了BiCMOS技术的典型工艺和已获得的研究成果,讨论了BiCMOS电路未来的发展趋势和市场前景。; 关键词 BiCMOS器件发展趋势混合微电子技术双极互补金属氧化物半导体器件混合微电子技术工艺结构; Keywords BiCMOS device Mixed microelectronic technology Technical configuration Typical application Development trend; 分类号 TN433 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	基于全集成自提取结终端隔离BCD新工艺的场致发光高压驱动芯片	黄伟胡南中李海鸥于宗光	《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2013	1	在线阅读下载PDF 职称材料
2	用0.8μm工艺技术设计的65-kb BiCMOS SRAM	董素玲成立王振宇高平	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2003	4	在线阅读下载PDF 职称材料
3	BCD工艺概述	陈志勇黄其煜龚大卫	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2006	8	在线阅读下载PDF 职称材料
4	锗硅HBT BiCMOS工艺中的p-i-n开关二极管设计	刘冬华胡君钱文生陈帆陈雄斌段文婷	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2012	0	在线阅读下载PDF 职称材料
5	压电传感器信号调理及输出芯片设计	王远周怡妃王小龙吴付岗	《传感器与微系统》 CSCD	2017	2	在线阅读下载PDF 职称材料
6	BiCMOS器件应用前景及其发展趋势	王振宇成立高平史宜巧	《电讯技术》北大核心	2003	8	在线阅读下载PDF 职称材料