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题名低噪声高单位增益带宽双极型运放设计
被引量：2
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作者
倪雪梅
成立
杨宁
严鸣
凌新
周洋
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机构
江苏大学电气与信息工程学院
镇江市
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第4期388-392,共5页
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基金
国家"863"计划项目(2006AA10Z258)
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文摘
设计了一款低噪声、高单位增益带宽的运放电路。该款电路基于0.25μm SiGe双极工艺,采用三级级联的形式,输入级选取多个双极型晶体管(BJT)并联,用作差分对管,以抑制噪声;中间级不但用pnp型BJT镜像电流源作为有源负载,而且并联多个横向pnp型BJT用以提升单位增益带宽;输出级则设计成低电容输入和低电容输出方式,借此拓展带宽。对所设计的运放电路进行了PSPICE仿真及硬件电路实验。结果表明,当电源电压为2.5 V时,运放电路的实测交流开环电压增益为80 dB,开环相位裕度为61.5°,单位增益带宽为203 MHz,在10 kHz处的输入电压噪声密度仅为1.2 nV/Hz^(1/Hz),因而可用于低噪声、高单位增益带宽的片上相位噪声测量电路和微波功率传感器等系统的设计中。
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关键词
锗硅
双极型晶体管
三级级联运算放大器
低噪声
高单位增益带宽
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Keywords
SiGe
BJT
three stage operational amplifier
low-noise
high unity-gain-bandwidth
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分类号
TN322
[电子电信—物理电子学]
TN72
[电子电信—电路与系统]
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