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高功率调制脉冲磁控溅射沉积TiAlSiN纳米复合涂层结构调控与性能研究 被引量:11
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作者 吴志立 李玉阁 +1 位作者 吴彼 雷明凯 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第12期1254-1260,共7页
采用高功率调制脉冲磁控溅射Al/(Al+Ti)原子比(x)分别为0.25、0.5和0.67的TiAlSi合金靶,溅射功率1~4kW,氮气分压25%,工作气压0.3Pa,在Si(100)和AISI304奥氏体不锈钢基片上沉积了TiAlSiN纳米复合涂层。TiAlSiN涂层中氮含量保持在... 采用高功率调制脉冲磁控溅射Al/(Al+Ti)原子比(x)分别为0.25、0.5和0.67的TiAlSi合金靶,溅射功率1~4kW,氮气分压25%,工作气压0.3Pa,在Si(100)和AISI304奥氏体不锈钢基片上沉积了TiAlSiN纳米复合涂层。TiAlSiN涂层中氮含量保持在52.0at%~56.7at%之间,均形成了nc-TiAlN/a-Si3N4/AlN纳米晶/非晶复合结构。随着原子比x增加,非晶含量增加,涂层硬度先升高而后降低。当x=0.5时,硬度最高可达28.7GPa。溅射功率升高可提高溅射等离子体中金属离化程度,促进涂层调幅分解的进行,形成了界面清晰的非晶包裹纳米晶结构,且晶粒尺寸基本保持不变。当x=0.67时,溅射功率由1kW上升到4kW时,硬度由16.4GPa升至21.3GPa。不同靶材成分和溅射功率条件下沉积的TiAlSiN涂层的磨损率为(0.13~6.25)×10^-5mm^3/(N·m),具有优良的耐磨性能。当x=0.67,溅射功率2kW时,nc-TiAlN/a-Si3N4纳米复合涂层具有最优的耐磨性能。 展开更多
关键词 高功率调制脉冲磁控溅射 TiAlSiN纳米复合涂层 微结构 硬度 磨损
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高功率调制脉冲磁控溅射沉积TiAlSiN纳米复合涂层对钛合金基体抗氧化性能的影响研究 被引量:4
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作者 李玉阁 朱小鹏 +1 位作者 吴彼 雷明凯 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第12期220-227,共8页
目的研究Ti6Al4V基TiAlSiN涂层在800℃下的抗循环氧化性能。方法采用高功率调制脉冲磁控溅射技术,通过调节N2/Ar的流量比fN2,在Ti6Al4V合金和Si(100)上沉积了一系列不同Si含量的TiAlSiN涂层。通过X射线衍射仪、扫描电子显微镜、电子探... 目的研究Ti6Al4V基TiAlSiN涂层在800℃下的抗循环氧化性能。方法采用高功率调制脉冲磁控溅射技术,通过调节N2/Ar的流量比fN2,在Ti6Al4V合金和Si(100)上沉积了一系列不同Si含量的TiAlSiN涂层。通过X射线衍射仪、扫描电子显微镜、电子探针、透射电镜和纳米压痕仪,表征了TiAlSiN涂层的成分、相组成、微结构和硬度,并通过X射线衍射仪和扫描电子显微镜,进一步对Ti AlSiN涂层在800℃下循环氧化后的微观结构和形貌进行分析。结果脉冲平均功率为2k W时,fN2由10%增至30%,TiAlSiN涂层的Si含量(以原子数分数计)由6.1%增加至16.4%,涂层中Ti和Al含量则相应地降低。当fN2为10%时,TiAlSiN涂层呈现典型的X射线非晶结构特征,涂层中N含量(以原子数分数计)约为47%;当fN2为30%时,TiAlSiN涂层呈现Ti Al N和非晶相的混合结构。TEM结果表明,涂层中TiAlN晶粒尺寸约为5nm并均匀镶嵌在非晶相上。所有沉积于Si基底上的TiAlSiN涂层均具有相近的纳米硬度、弹性模量及残余应力,分别为17 GPa、225 GPa和–300 MPa。选取fN2为10%和25%,溅射具有不同氮含量和特征微结构的TiAlSiN涂层作为Ti6Al4V合金防护涂层,研究涂层的抗循环氧化性能。在800℃高温循环氧化70h后,TiAlSiN涂层保护的合金样品较原始样品呈现更优异的抗氧化性能,且fN2为25%制备的高Si含量TiAlSiN涂层较fN2为10%制备的涂层具有更为优异的抗循环氧化性能。循环氧化后,TiAlSiN氧化层结构完整致密并呈现柱状晶特征,氧化层由上至下分别形成富α-Al2O3、a-TiO2及r-TiO2三层结构。结论高Si含量的TiAlSiN涂层具有更低的氧化速率,涂层的纳米复合结构和低压缩应力是其抗循环氧化能力提高的主要原因。 展开更多
关键词 TiAlSiN纳米复合涂层 高功率调制脉冲磁控溅射 钛合金 抗氧化
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高功率调制脉冲磁控溅射沉积NbN涂层特征工艺参数研究 被引量:4
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作者 李玉阁 袁海 +1 位作者 蒋智韬 雷明凯 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第8期302-308,共7页
目的研究不施加基片温度和固定Ar/N2流量比为64/16的条件下,微脉冲占空比、充电电压特征工艺参数与负偏压对NbN涂层相组成、微结构和力学性能的影响。方法采用高功率调制脉冲磁控溅射技术(MPPMS),通过控制微脉冲占空比、充电电压和负偏... 目的研究不施加基片温度和固定Ar/N2流量比为64/16的条件下,微脉冲占空比、充电电压特征工艺参数与负偏压对NbN涂层相组成、微结构和力学性能的影响。方法采用高功率调制脉冲磁控溅射技术(MPPMS),通过控制微脉冲占空比、充电电压和负偏压等特征工艺参数,沉积一系列具有不同相组成的NbN涂层,通过X射线衍射仪、纳米压痕仪和维氏硬度计,分别表征NbN涂层的相组成、结构、硬度和韧性,并通过扫描电子显微镜(SEM)对NbN生长形貌和压痕形貌进行观察分析。结果改变微脉冲占空比和充电电压,所有NbN涂层均由δ-NbN和δ.-NbN组成,施加基片偏压后,NbN涂层主要由δ.-NbN组成。所有的NbN涂层均呈现致密柱状晶结构,且提高微脉冲占空比、充电电压和负偏压,制备的NbN涂层均更加致密。随微脉冲占空比升高,涂层硬度由25GPa增至36GPa,涂层的韧性逐渐增加。提高充电电压制备的NbN涂层,其表现出与控制微脉冲占空比制备的涂层相似的规律。施加负偏压后,涂层主要由δ.-NbN组成,涂层的硬度和韧性均下降。结论两相结构和高致密性是使NbN涂层硬度和韧性同时增强的主要因素。 展开更多
关键词 NbN涂层 高功率调制脉冲磁控溅射 相组成 硬度 韧性
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外加辅助阳极的高功率脉冲磁控溅射管内Cr涂层制备及其性能分析
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作者 王子嘉 李宇鑫 +3 位作者 胡天时 田修波 巩春志 张辉 《中国表面工程》 北大核心 2025年第1期99-106,共8页
工业生产中管筒件内表面的工作环境恶劣,对腐蚀和磨损等方面的性能有更高要求。为改善管筒件的内表面性能,采用管尾添加辅助阳极的高功率脉冲磁控溅射(Hi PIMS)技术对内径40 mm、长度120 mm碳钢管进行内壁Cr涂层制备。探究辅助阳极电压... 工业生产中管筒件内表面的工作环境恶劣,对腐蚀和磨损等方面的性能有更高要求。为改善管筒件的内表面性能,采用管尾添加辅助阳极的高功率脉冲磁控溅射(Hi PIMS)技术对内径40 mm、长度120 mm碳钢管进行内壁Cr涂层制备。探究辅助阳极电压对Cr靶放电特性和管内Cr沉积的可达深度、相结构及其力学性能的影响规律,分析外加辅助阳极后管内等离子体分布情况,并建立理论模型。结果表明,较高的辅助阳极电压下,基体电流有所增加,特别在管尾位置处。随着辅助阳极电压升高,管内Cr沉积可达深度整体提高,膜层致密度提升。Cr膜的涂层硬度和弹性模量均随着辅阳电压的提高先上升后下降。当辅助阳极电压40V时,Cr涂层可达深度最好,具有最高的硬度和弹性模量。在HiPIMS放电条件下,辅助阳极可以通过牵引电子实现对等离子体定向输运的调控,并显著提高管尾等离子体密度。实现了在管筒件内表面沉积Cr涂层,满足了管筒件内表面在恶劣环境下广泛应用的需求。 展开更多
关键词 功率脉冲磁控溅射 管内壁镀膜 辅助阳极 等离子体分布 可达深度
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高功率脉冲磁控溅射制备不同氮含量CN_(x)薄膜的摩擦学行为
5
作者 邢朝阳 王新飞 +2 位作者 杨攀峰 张斌 王欣 《中国表面工程》 北大核心 2025年第3期272-284,共13页
氮化碳薄膜因其低摩擦因数低磨损的优异摩擦学性能,被认为是一种理想的固体润滑材料,但其超低摩擦起源尚未得到充分探讨,使其在润滑领域的工程应用受到限制。利用高功率脉冲磁控溅射法(HiPIMS)在Si基底上制备系列不同氮含量的CN_(x)薄膜... 氮化碳薄膜因其低摩擦因数低磨损的优异摩擦学性能,被认为是一种理想的固体润滑材料,但其超低摩擦起源尚未得到充分探讨,使其在润滑领域的工程应用受到限制。利用高功率脉冲磁控溅射法(HiPIMS)在Si基底上制备系列不同氮含量的CN_(x)薄膜,与直径为6.0 mm的440C摩擦对偶球组成摩擦配副体系,使用旋转模式CSM TRB3摩擦机研究惰性气体环境下CN_(x)薄膜的摩擦学特性,在相同摩擦学条件下(1 N,200 rpm,RH<3%),引入预磨合的方法进行摩擦学研究。利用纳米硬度、X射线光电子能谱、激光共聚焦拉曼光谱、场发射扫描电镜及CSM摩擦试验机等,分别评价CN_(x)薄膜的结构、表面形貌、力学及摩擦学等性能。结果表明N元素的引入对CN_(x)力学性能的影响复杂,N含量的不同直接导致对应CN_(x)薄膜力学性能和结合力的提高或降低。CN_(x)薄膜在预磨合后获得更低的摩擦因数和磨损率,证明预磨合是行之有效的减磨降损手段,结合对球斑和磨痕的物理化学分析推断,预磨合过程中潮湿大气中的水、氧以氢氧类基团吸附在DLC薄膜表面终止悬键,以及摩薄膜表面C、N网络重构,偶球面上的碳氮转移膜和重构后形成的低剪切顶层富sp^(2)磨痕的协同作用实现了超润滑状态。研究为不同氮含量的CN_(x)薄膜摩擦学行为及其超低摩擦工程应用提供了参考。 展开更多
关键词 超润滑 N元素掺杂 CN_(x)薄膜 功率脉冲磁控溅射 预磨合
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工作参数对电场增强高功率脉冲磁控溅射的调制作用研究
6
作者 李春伟 田修波 +4 位作者 徐淑艳 郑权 张群利 陈春晟 张旭 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第5期400-406,共7页
基于辅助阳极的电场增强高功率脉冲磁控溅射(Hi PIMS)技术改善了常规Hi PIMS放电及镀膜过程。研究工作参数对电场增强Hi PIMS的调制作用可为该技术的应用提供理论依据。利用数字示波器收集Hi PIMS基体离子电流,分析了不同工作气压、靶... 基于辅助阳极的电场增强高功率脉冲磁控溅射(Hi PIMS)技术改善了常规Hi PIMS放电及镀膜过程。研究工作参数对电场增强Hi PIMS的调制作用可为该技术的应用提供理论依据。利用数字示波器收集Hi PIMS基体离子电流,分析了不同工作气压、靶基间距、脉冲频率和脉冲宽度等工作参数对基体离子电流的调制作用规律。利用扫描电镜观察了钒膜的截面形貌特征。结果表明:在相同的靶电压下,基体离子电流平均值随工作气压的增加而增加并逐渐达到饱和值;随靶基间距的增加基体离子电流平均值逐渐减小;随脉冲频率的增加基体离子电流平均值逐渐减小后趋于稳定;当脉冲宽度为150μs时的基体离子电流平均值高于脉冲宽度为200μs时的基体离子电流平均值。工作参数对膜层的制备具有调制作用,在适中的工作参数下,电场增强Hi PIMS获得的钒膜与基底结合良好、膜层致密完整。 展开更多
关键词 功率脉冲磁控溅射 辅助阳极 工作气压 靶基间距 钒膜 放电特性
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高功率脉冲磁控溅射沉积原理与工艺研究进展 被引量:25
7
作者 吴志立 朱小鹏 雷明凯 《中国表面工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第5期15-20,共6页
高功率脉冲磁控溅射技术是一种峰值功率超过平均功率2个量级、溅射靶材原子高度离化的脉冲溅射技术,作为一种新的离子化物理气相沉积技术,已成为国际研究的热点,有关高功率脉冲放电、等离子体特性、薄膜及其工艺等方面的研究进展十分迅... 高功率脉冲磁控溅射技术是一种峰值功率超过平均功率2个量级、溅射靶材原子高度离化的脉冲溅射技术,作为一种新的离子化物理气相沉积技术,已成为国际研究的热点,有关高功率脉冲放电、等离子体特性、薄膜及其工艺等方面的研究进展十分迅速。文中从高功率脉冲磁控溅射的原理出发,介绍10多年来高功率脉冲电源的发展,从高功率脉冲放电等离子体特性与放电物理、等离子体模型,以及沉积速率和薄膜特性等方面综述技术的研究进展。 展开更多
关键词 功率脉冲磁控溅射 等离子体 薄膜 研究进展
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复合高功率脉冲磁控溅射技术的研究进展 被引量:12
8
作者 李春伟 苗红涛 +1 位作者 徐淑艳 张群利 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第6期82-90,共9页
高功率脉冲磁控溅射技术(HIPIMS)是一门新兴的高离化率磁控溅射技术。概述了HIPIMS的技术优势,包括高膜层致密度和平滑度、高膜基界面结合强度以及复杂形状工件表面膜层厚度均匀性好等。同时归纳了HIPIMS存在的问题,包括沉积速率及低溅... 高功率脉冲磁控溅射技术(HIPIMS)是一门新兴的高离化率磁控溅射技术。概述了HIPIMS的技术优势,包括高膜层致密度和平滑度、高膜基界面结合强度以及复杂形状工件表面膜层厚度均匀性好等。同时归纳了HIPIMS存在的问题,包括沉积速率及低溅射率金属靶材离化率低等。在此基础上,重点综述了近年来复合HIPIMS技术的研究进展,其中复合其他物理气相沉积技术的HIPIMS,包括复合直流磁控溅射增强HIPIMS、复合射频磁控溅射增强HIPIMS、复合中频磁控溅射增强HIPIMS、复合等离子体源离子注入与沉积增强HIPIMS等;增加辅助设备或装置的HIPIMS,包括增加感应耦合等离子体装置增强HIPIMS、增加电子回旋共振装置增强HIPIMS,以及增加外部磁场增强HIPIMS等。针对各种形式的复合HIPIMS技术,分别从复合HIPIMS技术的放电行为、离子输运特性,及制备膜层的结构与性能等方面进行了归纳。最后展望了复合HIPIMS技术的发展方向。 展开更多
关键词 功率脉冲磁控溅射 离化率 物理气相沉积 辅助装置
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峰值功率对高功率脉冲磁控溅射氮化铬薄膜力学性能的影响 被引量:6
9
作者 王愉 陈畅子 +1 位作者 吴艳萍 冷永祥 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第1期15-22,共8页
目的采用高功率脉冲磁控溅射(HIPIMS)制备力学性能优良的氮化铬薄膜。方法采用HIPIMS技术,利用铬靶及氩气、氮气,在不同峰值功率(52.44,91.52,138 k W)下沉积了氮化铬薄膜。采用X射线衍射技术(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、纳米硬度计、... 目的采用高功率脉冲磁控溅射(HIPIMS)制备力学性能优良的氮化铬薄膜。方法采用HIPIMS技术,利用铬靶及氩气、氮气,在不同峰值功率(52.44,91.52,138 k W)下沉积了氮化铬薄膜。采用X射线衍射技术(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、纳米硬度计、摩擦磨损试验机、划痕仪等评价方法,研究了峰值功率对薄膜组织结构和力学性能的影响。结果当峰值功率为52 k W时,靶材原子与离子的比值仅为5.4%,所生成氮化铬薄膜的晶粒尺寸较小,薄膜出现剥落的临界载荷为42 N,薄膜的磨损深度达到349 nm;当峰值功率提高到138 k W时,靶材原子与离子的比值为12.5%,在最大载荷100 N时,薄膜也未出现剥落,同时磨损深度仅为146 nm。结论高的峰值功率能够提高靶材原子离化率和离子对基片的轰击效应,使氮化铬薄膜晶粒重结晶而长大,消除部分应力,使薄膜表现出优良的耐磨性和韧性,因此提高靶材峰值功率可以提高氮化铬薄膜的力学性能。 展开更多
关键词 功率脉冲磁控溅射 峰值功率 氮化铬 薄膜 力学性能
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基体偏压对高功率脉冲磁控溅射制备类石墨碳膜的影响研究 被引量:15
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作者 张学谦 黄美东 +1 位作者 柯培玲 汪爱英 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第10期969-974,共6页
采用高功率脉冲磁控溅射技术于Si基底表面制备了类石墨碳膜,研究了基体偏压对薄膜沉积速率、微观结构、力学性能及摩擦学性能的影响规律。结果表明:随着基底偏压的增高,GLC薄膜sp2含量呈先减小后增加的趋势,在-100 V时达到最小值;其表... 采用高功率脉冲磁控溅射技术于Si基底表面制备了类石墨碳膜,研究了基体偏压对薄膜沉积速率、微观结构、力学性能及摩擦学性能的影响规律。结果表明:随着基底偏压的增高,GLC薄膜sp2含量呈先减小后增加的趋势,在-100 V时达到最小值;其表面粗糙度逐渐降低;硬度和内应力逐渐增大;在基体偏压为-300 V时薄膜的摩擦性能最好,高sp2含量、高硬度和低表面粗糙度共同决定了GLC薄膜优异的摩擦学性能。 展开更多
关键词 功率脉冲磁控溅射 偏压 类石墨碳膜 微观结构
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辅助阳极对高功率脉冲磁控溅射放电特性的影响 被引量:3
11
作者 李春伟 田修波 +2 位作者 巩春志 许建平 孙梦凡 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第12期1422-1430,共9页
针对高功率脉冲磁控溅射(HIPIMS)存在的低溅射率靶材放电时离化率有待进一步提高的问题,通过增加辅助阳极的方法来提高HIPIMS的离化率。研究了辅助阳极电压、阳极位置以及磁控阳极的类型对HIPIMS放电特性的影响。结果表明:随着阳极电压... 针对高功率脉冲磁控溅射(HIPIMS)存在的低溅射率靶材放电时离化率有待进一步提高的问题,通过增加辅助阳极的方法来提高HIPIMS的离化率。研究了辅助阳极电压、阳极位置以及磁控阳极的类型对HIPIMS放电特性的影响。结果表明:随着阳极电压的增加,基体离子电流值逐渐增大,并且当阳极电压为90 V时,基体离子电流值最高可增加到4倍。随着阳极位置由45°位置处变化为180°位置处时,由于电场在与磁场垂直方向上的分量逐渐减少,导致了基体离子电流值呈现出逐渐下降的趋势。此外,当阳极附加扩散型非平衡磁场后,获得的基体离子电流值最大。辅助阳极处于不同位置时,随着阳极电压的增加,HIPIMS放电系统中Ar^0、Ar^(1+)、V^0和V^(1+)粒子谱线强度均有不同程度的增加。当阳极处于45°位置时,各种粒子谱线强度增加最为显著。增加辅助阳极后HIPIMS放电时真空室内各个位置处的基体离子电流值均有所增加,并且当阳极处于45°位置时的增加幅度最为明显,系统等离子体密度增幅最高可增加到3倍。 展开更多
关键词 功率脉冲磁控溅射 辅助阳极 离化率 基体离子电流 发射光谱
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氧含量对高功率脉冲磁控溅射AlCrSiON涂层高温摩擦学性能的影响 被引量:2
12
作者 唐鹏 黎海旭 +2 位作者 吴正涛 代伟 王启民 《中国表面工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第3期77-85,共9页
由于真空度的要求,制备氮化物涂层时将不可避免的会有氧的存在,因此了解氧元素对涂层性能的影响至关重要。采用高功率脉冲磁控溅射(HIPIMS)技术在Ar/N2/O2混合气氛下制备AlCrSiON涂层,研究氧含量(0%~30.4%,原子数分数)对涂层结构、力学... 由于真空度的要求,制备氮化物涂层时将不可避免的会有氧的存在,因此了解氧元素对涂层性能的影响至关重要。采用高功率脉冲磁控溅射(HIPIMS)技术在Ar/N2/O2混合气氛下制备AlCrSiON涂层,研究氧含量(0%~30.4%,原子数分数)对涂层结构、力学性能和摩擦学性能的影响及作用机制。结果表明,AlCrSiN涂层由fcc-Cr N、β-Cr2N和hcp-Al N组成,AlCrSiON则由(Cr,Al)N、立方Cr2N和(Cr,Al)(O,N)组成。AlCrSiN涂层硬度为(14.3±1.8)GPa,随着氧含量增加至24.3%,涂层硬度增加至(20.1±3.0)GPa;继续增加氧含量则将导致涂层硬度下降。当环境温度由室温增加至400℃,涂层摩擦因数由0.6~0.7增加至0.9;温度升至800℃,涂层摩擦因数降至0.4。氧含量对涂层高温摩擦因数的影响较小,对涂层的磨损率却有着重要影响。当氧含量为30.4%时,AlCrSiON涂层具有最优耐磨损性能。 展开更多
关键词 AlCrSiON涂层 功率脉冲磁控溅射 力学性能 摩擦学性能
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工作参数对磁场增强高功率脉冲磁控溅射放电特性的影响 被引量:3
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作者 李春伟 田修波 +6 位作者 宋炜昱 赵美君 张旭 孙梦凡 白翔云 黄洁 梁家鹏 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第4期264-271,共8页
研究磁场增强高功率脉冲磁控溅射技术的放电特性在不同工作参数下的演变规律。利用数字示波器采集Hi PIMS的基体离子电流用于表征其放电特性的变化。结果表明:靶放电电压不同时基体离子电流对工作气压的响应不同,较低靶电压时基体离子... 研究磁场增强高功率脉冲磁控溅射技术的放电特性在不同工作参数下的演变规律。利用数字示波器采集Hi PIMS的基体离子电流用于表征其放电特性的变化。结果表明:靶放电电压不同时基体离子电流对工作气压的响应不同,较低靶电压时基体离子电流平均值随工作气压的增加逐渐增加;而较高靶电压时基体离子电流平均值随工作气压增加迅速增加后趋于稳定。基体离子电流随基体偏压的变化表现出两个特征,较低基体偏压时的基体离子电流在脉冲开始阶段呈现出较强的电子流波段,而基体偏压较高时则未出现电子流。不同脉冲频率及靶电压下的基体离子电流的波形形状大致相似,但当处于较高靶电压时存在一个明显特征,即当脉冲结束后离子流会出现一个尖锐峰值。随脉冲宽度的增加,基体离子电流负向电子流和正向离子流均逐渐增大。 展开更多
关键词 功率脉冲磁控溅射 磁场 工作气压 基体偏压 靶基间距 脉冲频率 脉冲宽度
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基体偏压对高功率脉冲磁控溅射制备CrAlN薄膜性能的影响 被引量:1
14
作者 张辉 巩春志 +2 位作者 王晓波 张炜鑫 田修波 《中国表面工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第5期200-209,共10页
为了防止氢扩散导致金属材料的失效,通常在其表面制备一层CrN阻氢薄膜。但是CrN涂层的热稳定性较差,抗氧化温度低于600℃。采用高功率脉冲磁控溅射技术,利用Cr和Al双靶共沉积CrAlN薄膜来提高其高温抗氧化性能。试验变量为基体负偏压的大... 为了防止氢扩散导致金属材料的失效,通常在其表面制备一层CrN阻氢薄膜。但是CrN涂层的热稳定性较差,抗氧化温度低于600℃。采用高功率脉冲磁控溅射技术,利用Cr和Al双靶共沉积CrAlN薄膜来提高其高温抗氧化性能。试验变量为基体负偏压的大小,分别为-100 V、-200 V、-300 V和-400 V。结果表明,四组CrAlN薄膜均为柱状晶结构,随着基体偏压提高,膜层的致密度提高,但同时薄膜沉积速率下降;CrAlN薄膜的择优生长方向为Cr(200)晶面法线方向。四组CrAlN薄膜的氢抑制率均超过70%,氢原子扩散系数最低比316L不锈钢基体低3个数量级。当基体偏压为-300 V时,可以同时获得最优的氢抑制率(87.4%)和最低的氢原子扩散系数(6.188×10^(-10)cm^(2)/s)。600℃、氧气气氛下保温60 min,CrAlN膜基结合面处氧含量仅为表面处的30%左右。相比于CrN薄膜,在相同基体偏压下,CrAlN薄膜的氢原子扩散系数更小;高偏压下制备的CrAlN薄膜氧增重量仅为316L不锈钢基体的10%,抗氧化性能更好。 展开更多
关键词 CRALN 功率脉冲磁控溅射 基体偏压 阻氢 温抗氧化
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基体偏压对高功率脉冲磁控溅射CrN薄膜结构及阻氢性能的影响 被引量:1
15
作者 张辉 王晓波 +2 位作者 张炜鑫 巩春志 田修波 《真空科学与技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2021年第11期1046-1052,共7页
氢在金属材料中主要做原子扩散,而在陶瓷材料中主要做分子扩散,因此渗透率相对于金属材料比较低,因此可以通过在金属材料表面溅射一层陶瓷薄膜,降低氢的扩散系数,从而起到保护基体材料的效果。本文采用高功率脉冲磁控溅射技术在316L不... 氢在金属材料中主要做原子扩散,而在陶瓷材料中主要做分子扩散,因此渗透率相对于金属材料比较低,因此可以通过在金属材料表面溅射一层陶瓷薄膜,降低氢的扩散系数,从而起到保护基体材料的效果。本文采用高功率脉冲磁控溅射技术在316L不锈钢基体上溅射CrN薄膜。Cr靶外加直流复合脉冲式HiPIMS电源,控制基体偏压分别为100、200、300和400V,时间为60 min,四组CrN薄膜的渗氢抑制率均超过75%,最高可达94.8%,氢原子扩散系数最高可比316L不锈钢基体低3个数量级。此外,针对高温时氮化物薄膜会因为发生氧化反应生成其他化合物而导致薄膜阻氢性能下降的问题,本文在600℃、纯氧气气氛下验证薄膜的高温抗氧化性。结果表明本文制备的CrN阻氢薄膜在相同条件下氧的增重量仅为316L不锈钢基体的50%,本身具备优良的抗氧化性能。 展开更多
关键词 CRN 功率脉冲磁控溅射 偏压 阻氢 温抗氧化
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高功率脉冲非平衡磁控溅射放电特性和参数研究 被引量:1
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作者 牟宗信 王春 +4 位作者 贾莉 牟晓东 藏海荣 刘冰冰 董闯 《核聚变与等离子体物理》 CAS CSCD 北大核心 2010年第4期365-369,共5页
用线圈电流控制非平衡磁场,用汤森放电击穿形成深度自触发放电,用磁阱捕获放电形成的二次电子和导致漂移电流,形成了高功率非平衡磁控溅射放电。采用偏压为-100V相对磁控靶放置的圆形平面电极收集饱和离子电流;在距离磁控靶14cm的位置由... 用线圈电流控制非平衡磁场,用汤森放电击穿形成深度自触发放电,用磁阱捕获放电形成的二次电子和导致漂移电流,形成了高功率非平衡磁控溅射放电。采用偏压为-100V相对磁控靶放置的圆形平面电极收集饱和离子电流;在距离磁控靶14cm的位置由Langmuir探针测量浮置电位;示波器测量磁控靶的脉冲电压、电流、浮置电位和饱和离子电流信号。装置的放电脉冲功率达到0.9MW,脉冲频率最大值为40Hz左右,空间电荷限制条件是控制电子电流和离子电流的主要机制。 展开更多
关键词 功率脉冲 非平衡磁控溅射 放电特性 参数研究 magnetron sputtering high power discharge properties 离子电流 磁控 LANGMUIR探针 示波器测量 主要机制 形成深度 限制条件 脉冲频率 脉冲功率 脉冲电压 电流控制 空间电荷 浮置
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高功率脉冲磁控溅射制备金属氮化物涂层 被引量:2
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作者 魏永强 顾艳阳 蒋志强 《中国表面工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第5期70-92,共23页
高功率脉冲磁控溅射(HiPIMS)作为目前研究热门的物理气相沉积方法之一,已经在刀具材料、不锈钢、聚合物、复合材料等基体上实现硬质涂层、生物涂层、耐腐蚀涂层、耐高温氧化涂层、绝缘涂层等多种类型涂层制备。通过高功率脉冲磁控溅射... 高功率脉冲磁控溅射(HiPIMS)作为目前研究热门的物理气相沉积方法之一,已经在刀具材料、不锈钢、聚合物、复合材料等基体上实现硬质涂层、生物涂层、耐腐蚀涂层、耐高温氧化涂层、绝缘涂层等多种类型涂层制备。通过高功率脉冲磁控溅射与复合方法及后续热处理等工艺方法复合,调节高功率脉冲磁控溅射的脉冲频率、峰值功率、占空比、多脉冲和双极性实现对靶材离化率、等离子体空间分布、涂层沉积速率、相结构、微观结构、元素成分、内应力等等离子体参数和涂层物相结构的调整,以提高基体材料的硬度、耐磨损、耐腐蚀、耐高温氧化及生物相容性等综合使役性能。特别是在应用于金属氮化物涂层的制备及性能研究方面,具有巨大的工程应用价值。结合目前硬质涂层材料的应用现状,探讨高功率脉冲溅射技术沉积涂层的特性和技术优势,介绍20多年来高功率脉冲磁控溅射技术在制备单元单层、多元多层、纳米多层与多元复合、高熵合金及含Si、O、C等金属氮化物硬质涂层工艺及性能等方面应用的研究进展。 展开更多
关键词 功率脉冲磁控溅射 硬质涂层 耐腐蚀 温氧化 摩擦磨损性能
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高功率脉冲磁控溅射轮辐特征等离子体研究综述 被引量:2
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作者 李玉阁 刘伟阳 雷明凯 《中国表面工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第1期1-9,共9页
高功率脉冲磁控溅射技术(HiPIMS)是最新一代磁控溅射技术,高度离化的脉冲等离子体是HiPIMS技术的核心特征。针对HiPIMS放电轮辐特征,评述特征放电下HiPIMS等离子体测量、模拟及对薄膜生长作用的最新研究进展。较之常规磁控溅射技术,HiP... 高功率脉冲磁控溅射技术(HiPIMS)是最新一代磁控溅射技术,高度离化的脉冲等离子体是HiPIMS技术的核心特征。针对HiPIMS放电轮辐特征,评述特征放电下HiPIMS等离子体测量、模拟及对薄膜生长作用的最新研究进展。较之常规磁控溅射技术,HiPIMS溅射靶材粒子高度离化,等离子体阻抗显著降低。等离子体在靶材表面形成以千米每秒速度旋转漂移的致密等离子体结构,存在局域化和自组织特征,可显著影响沉积粒子输运行为,为沉积薄膜生长提供一个新的控制维度。HiPIMS放电轮辐一般呈现扩散形和三角形两种形态,通过介绍轮辐变化规律、形成机制的进展,明确靶材溅射产额也对其形态有影响。另一方面,HiPIMS轮辐结构结合其脉冲放电特点,可控制薄膜沉积通量输运特征,进而影响沉积薄膜的微结构、表面粗糙度等表面完整性参数。具有微秒到毫秒跨尺度多级脉冲调节能力的高功率调制脉冲磁控溅射(MPPMS)和高功率深振荡脉冲磁控溅射(DOMS),脉冲控制跨时间尺度特性带来的轮辐特征可剪裁性,为在更大时间和空间维度上薄膜生长控制提供了可能性。 展开更多
关键词 功率脉冲磁控溅射 放电电流 轮辐 等离子体阻抗 粒子输运
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高功率脉冲磁控溅射电源的研制 被引量:5
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作者 王洪国 陈庆川 +4 位作者 韩大凯 尹星 许泽金 沈丽茹 金凡亚 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第2期168-170,共3页
高功率脉冲磁控溅射(HPPMS)因其高离化率而得到广泛关注。高压大电流脉冲电源是实现该技术的重要环节之一。本论文介绍了一种HPPMS电源,该电源由充电电源、斩波输出两部分组成,给出了主电路框图。分析了大电流对斩波开关过电压的影响,采... 高功率脉冲磁控溅射(HPPMS)因其高离化率而得到广泛关注。高压大电流脉冲电源是实现该技术的重要环节之一。本论文介绍了一种HPPMS电源,该电源由充电电源、斩波输出两部分组成,给出了主电路框图。分析了大电流对斩波开关过电压的影响,采用RC吸收和续流有效地抑制了电压过冲,用所研制的电源进行HPPMS镀膜试验,结果表明电源运行稳定可靠,制备的薄膜表面清洁、致密,其平均表面粗糙度很低。可以预见HPPMS技术将会促进镀膜技术的发展。 展开更多
关键词 功率脉冲磁控溅射 电源 等离子体放电 Ti膜
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高功率脉冲磁控溅射技术的离子(粒子)特性及其对薄膜组织结构的影响 被引量:6
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作者 吴保华 冷永祥 +2 位作者 黄楠 杨文茂 李雪源 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第5期245-255,共11页
作为电离物理气相沉积法(I-PVD)家族的新成员,高功率脉冲磁控溅射技术(HPPMS/HiPIMS)由于其较高的电子密度及金属离化率,自发现以来即受到了国内外专家的广泛关注。从高功率脉冲磁控溅射过程中金属离化率的角度出发,对高功率脉冲磁控溅... 作为电离物理气相沉积法(I-PVD)家族的新成员,高功率脉冲磁控溅射技术(HPPMS/HiPIMS)由于其较高的电子密度及金属离化率,自发现以来即受到了国内外专家的广泛关注。从高功率脉冲磁控溅射过程中金属离化率的角度出发,对高功率脉冲磁控溅射技术的离化机制、离化率定义进行了概述。在此基础上,重点综述了近些年来常用的离化率测量方法,包括等离子体发射光谱法、原子吸收光谱法、质谱仪法、多栅式石英微天平法、正电压沉积法等,并比较了各方法之间的优劣。进一步归纳了影响离化率的关键因素,如靶材功率、脉宽、频率、占空比、峰值电流等电学参数以及靶材种类、气体压力、磁场等非电参数。最后,针对离化率对薄膜性能的影响等方面的研究进展进行了综述,分别讨论了离化率对薄膜组织结构、斜入射沉积及均一性的影响,并概述了离化率对薄膜性能的不利影响。该文旨在为更好地调控并优化溅射过程中的离子特性提供借鉴,为制备性能优异的薄膜提供理论基础。 展开更多
关键词 功率脉冲磁控溅射 离化率 薄膜性能 等离子体 组织结构
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