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高效率积分复位控制三相Boost型功率因数校正 被引量:24
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作者 周雒维 罗全明 +1 位作者 杜雄 苏向丰 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2003年第1期16-19,共4页
提出了一种高效率三相Boost型功率因数校正电路,通过对一种三相Boost型功率因数校正电路进行改进,采用积分复位控制电路实现单位功率因数。积分复位控制高效率三相Boost型PFC具有如下特征:①常频控制,有利于滤波器的设计;②控制电路简单... 提出了一种高效率三相Boost型功率因数校正电路,通过对一种三相Boost型功率因数校正电路进行改进,采用积分复位控制电路实现单位功率因数。积分复位控制高效率三相Boost型PFC具有如下特征:①常频控制,有利于滤波器的设计;②控制电路简单,控制思路清晰,不需要乘法器;③控制效果好,输入电流波形能很好地跟踪输入电压波形;④变换器的效率高。仿真和实验结果证明了理论分析的正确性。 展开更多
关键词 积分复位控制电路 效率三相Boost型功率因数校正电路 变换器 电网 仿真
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基于新一代半导体GaN的高效率功率放大器的研制 被引量:4
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作者 郭栋 李梁 +1 位作者 窦智童 李超 《现代电子技术》 2014年第15期83-85,共3页
近年来在无线通信、雷达等领域,对发射的功耗要求越来越苛刻,而产品可放置的空间越来越小,这就要求功率放大器要有更高的效率以及更高的工作结温,新一代宽禁带半导体材料GaN能够满足该要求。基于CREE公司的GaN功放管CGH40045研制了一款... 近年来在无线通信、雷达等领域,对发射的功耗要求越来越苛刻,而产品可放置的空间越来越小,这就要求功率放大器要有更高的效率以及更高的工作结温,新一代宽禁带半导体材料GaN能够满足该要求。基于CREE公司的GaN功放管CGH40045研制了一款S频段的功率放大器,主要进行了功率匹配、散热考虑、杂散抑制的设计。最终的测试结果显示,在300 MHz的带宽内功率增益≥50 dB,饱和输出功率≥46 dBm,工作效率≥50%,比之前采用的工作效率为30%的GaAs功率放大器有了显著的提高。可见在今后的通信系统中,基于新一代半导体材料GaN的功率放大器有着非常好的应用前景。 展开更多
关键词 GAN 功率匹配 效率功率放大器 通信系统
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高效率E类射频功率放大器 被引量:4
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作者 郝允群 庄奕琪 李小明 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第2期74-76,79,共4页
研究了E类RF放大器的电路结构、工作原理、存在问题以及解决的方法──差分和交叉耦合反馈结构,最后给出了E类放大器的实例。由于具有低成本、高集成度、多功用等优点,MOS工艺在射频功率放大方面有很大的发展潜力。在本文中,用0.6μmCMO... 研究了E类RF放大器的电路结构、工作原理、存在问题以及解决的方法──差分和交叉耦合反馈结构,最后给出了E类放大器的实例。由于具有低成本、高集成度、多功用等优点,MOS工艺在射频功率放大方面有很大的发展潜力。在本文中,用0.6μmCMOS工艺实现了E类放大器的设计。 展开更多
关键词 效率E类射频功率放大器 功率放大器 E类RF放大器 电路结构 工作原理 交叉耦合
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宽输出适应的兆赫兹高效率高功率密度DC-DC变换器研究
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作者 严军 李光灿 吴新科 《现代雷达》 CSCD 北大核心 2022年第7期98-101,共4页
对于雷达电源系统中高压转低压的DC/DC应用场景,目前基于高压硅器件的方案受制于器件寄生参数的影响,开关频率一般在数百kHz以内,难以进一步提升效率和功率密度。文中利用NFoM较低的低压硅器件,提出了利用低压电路单元链式串并联的方法... 对于雷达电源系统中高压转低压的DC/DC应用场景,目前基于高压硅器件的方案受制于器件寄生参数的影响,开关频率一般在数百kHz以内,难以进一步提升效率和功率密度。文中利用NFoM较低的低压硅器件,提出了利用低压电路单元链式串并联的方法以实现更高电压的功率变换,该方法能够适应雷达电源系统多种输入输出电压变换需求,并且在MHz开关频率下能够实现较高的效率和功率密度。最后以380 Vdc/48 Vdc的应用场合为例设计并实现了实验样机,实现了98.0%的峰值效率,在1 800 W的满载功率下,样机的功率密度超过800 W/in^(3)。 展开更多
关键词 雷达电源系统 DC/DC变换模块 串并联 效率功率密度
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串联谐振间接矩阵型电力电子变压器高频电流特性分析及开关频率设计 被引量:18
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作者 胡钰杰 李子欣 +2 位作者 罗龙 赵聪 李耀华 《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2022年第6期1442-1454,共13页
串联谐振间接矩阵型电力电子变压器(PET)通过高频开关并减小直流电容容值可实现高功率密度。然而,小直流电容会改变谐振回路等效电容,并影响高频谐振电流特性,进而影响零电流软开关(ZCS)的实现。该文建立小直流电容下串联谐振间接矩阵型... 串联谐振间接矩阵型电力电子变压器(PET)通过高频开关并减小直流电容容值可实现高功率密度。然而,小直流电容会改变谐振回路等效电容,并影响高频谐振电流特性,进而影响零电流软开关(ZCS)的实现。该文建立小直流电容下串联谐振间接矩阵型PET等效电路,推导高频电流时域解析表达式,并对ZCS条件下的开关频率进行设计,揭示直流电容和死区时间对开关频率的影响规律。仿真和实验结果验证了该文理论分析的正确性。 展开更多
关键词 AC-AC电力电子变压器 串联谐振 间接矩阵变换器 频电流特性 零电流软开关(ZCS) 功率密度和效率
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基于GaN HEMT的X波段连续波内匹配功率管设计 被引量:1
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作者 马跃 王建朋 《微波学报》 CSCD 北大核心 2020年第3期76-80,共5页
采用内匹配技术,使用两枚GaN HEMT晶体管,在X波段8.0~8.5 GHz频段内,设计并实现了一种高可靠性、高功率附加效率的功率放大器。基于南京电子器件研究所提供的晶体管及负载牵引数据,并结合"L-C-L"匹配网络以及威尔金森功率分配... 采用内匹配技术,使用两枚GaN HEMT晶体管,在X波段8.0~8.5 GHz频段内,设计并实现了一种高可靠性、高功率附加效率的功率放大器。基于南京电子器件研究所提供的晶体管及负载牵引数据,并结合"L-C-L"匹配网络以及威尔金森功率分配/合成器,对晶体管的输入和输出阻抗进行了相应匹配,使得其端口阻抗均为50Ω。最终通过两胞合成的方式实现了在目标频段内,栅电压-2.2 V、漏电压24 V,连续波工作状态下,所设计功率放大器输出功率高于20 W、功率增益大于10 dB、功率的附加效率大于49.7%。其中,在8.1~8.4 GHz,该功率放大器功率附加效率超过52%,优于我国现有相近频段内匹配功率放大器的功率附加效率,并通过实验验证了该设计方案的可靠性。 展开更多
关键词 氮化镓电子迁移率晶体管(GaN HEMT) 功率放大器 X波段 内匹配 功率附加效率
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宽带接收机前端非线性的盲辨识与数字后补偿方法 被引量:3
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作者 彭隽 马洪 +4 位作者 金江 胡啸 彭亮 张辉 郭妩君 《通信学报》 EI CSCD 北大核心 2011年第4期119-125,共7页
提出了一种基于Volterra模型的实时非线性数字后补偿方法。考虑到接收机难以事先获知输入信号的特点,设计了"大信号频率外总功率最小"的盲辨识准则,自适应地调整模型参数以拟合出与接收机非线性失真特性互逆的传递函数。对多... 提出了一种基于Volterra模型的实时非线性数字后补偿方法。考虑到接收机难以事先获知输入信号的特点,设计了"大信号频率外总功率最小"的盲辨识准则,自适应地调整模型参数以拟合出与接收机非线性失真特性互逆的传递函数。对多频与16QAM调制输入信号的实测结果表明,该方法可使工作于非线性区的高效率接收前端的无杂散失真动态范围(SFDR)提升近26dB,并大幅提高了对微弱信号的检测能力。 展开更多
关键词 接收机前端 高功率效率 非线性系统盲辨识 数字后补偿
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HL-RBWO冷腔特性的一种快速算法
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作者 冯保良 高建蓉 李家胤 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第5期471-475,共5页
 在传统谐振法基础上发展了一种计算慢性结构(SWS)冷腔参数的脉冲响应法,它的主要思想是利用有丰富谐波成分的窄脉冲作为激励源来代替实验系统中的扫频源,从而使得获取RBWO的色散曲线速度大大加快。这种方法使得脉冲响应法成为计算SWS...  在传统谐振法基础上发展了一种计算慢性结构(SWS)冷腔参数的脉冲响应法,它的主要思想是利用有丰富谐波成分的窄脉冲作为激励源来代替实验系统中的扫频源,从而使得获取RBWO的色散曲线速度大大加快。这种方法使得脉冲响应法成为计算SWS冷腔参数的一种快速数值算法,更加适合于数值计算,并在研究HL RBWO时得到有效的应用。 展开更多
关键词 脉冲响应法 色散曲线 耦合阻抗 慢波结构 效率功率低磁场相对论返波管(HL-RBWO)
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6~18GHz GaAs射频前端多功能MMIC
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作者 成立鑫 要志宏 《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第4期274-278,共5页
基于GaAs单片微波集成电路(MMIC)工艺设计并制备了一款宽带射频前端多功能电路芯片,其包含功率放大器、限幅低噪声放大器(LNA)和收发开关。功率放大器采用平衡式结构同时选择合适的匹配网络实现宽带匹配;限幅器第一级采用功分结构提高... 基于GaAs单片微波集成电路(MMIC)工艺设计并制备了一款宽带射频前端多功能电路芯片,其包含功率放大器、限幅低噪声放大器(LNA)和收发开关。功率放大器采用平衡式结构同时选择合适的匹配网络实现宽带匹配;限幅器第一级采用功分结构提高耐功率能力;LNA前三级采用电流复用拓扑结构实现低功耗,最后一级采用自偏置结构增加动态范围;天线端的开关具有较高的功率容量,保证信号经过开关后不会压缩而导致发射支路输出功率不足。测试结果显示,电路在6~18 GHz频带内,接收支路噪声系数典型值为3.7 dB,增益约为27 dB,1 dB压缩点输出功率典型值大于7 dBm,功耗约为140 m W,能耐受1 W的连续波输入功率;发射支路饱和输出功率大于30 dBm,功率附加效率典型值为26%。 展开更多
关键词 GAAS 射频前端 单片微波集成电路(MMIC) 低噪声系数 功率附加效率
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