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过模结构0.14THz高功率脉冲探测器研制
被引量：
4
1
作者
王光强
王建国
+3 位作者
童长江
王雪锋
李爽
陆希成
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第11期2959-2964,共6页
基于n型硅在强电场下的热电子效应,初步研制了一种采用过模结构的0.14THz高功率太赫兹脉冲探测器。该探测器由基模波导WR6、过渡波导、过模波导WR10,n型硅探测芯片和偏置恒流源组成。模拟分析了探测器的工作过程,给出了相对灵敏度表达式...
基于n型硅在强电场下的热电子效应,初步研制了一种采用过模结构的0.14THz高功率太赫兹脉冲探测器。该探测器由基模波导WR6、过渡波导、过模波导WR10,n型硅探测芯片和偏置恒流源组成。模拟分析了探测器的工作过程,给出了相对灵敏度表达式,结果表明过模探测器能很好地工作在TE10模式。合理设计了探测芯片的结构参数和加工工艺,完成了探测芯片的加工和探测器样机的制作。将探测器样机在0.14THz相对论表面波振荡器的辐射场进行了初步的验证性实验,并与二极管检波器的测量结果进行了对比分析。结果表明:过模探测器样机的响应时间在ps量级,相对灵敏度约为0.12kW-1,最大承受功率至少为数十W,可用于0.14THz高功率脉冲的直接探测。
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关键词
高功率太赫兹脉冲
过模
探测器
热电子
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职称材料
题名
过模结构0.14THz高功率脉冲探测器研制
被引量：
4
1
作者
王光强
王建国
童长江
王雪锋
李爽
陆希成
机构
西北核技术研究所
西安交通大学电子与信息工程学院
出处
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第11期2959-2964,共6页
文摘
基于n型硅在强电场下的热电子效应,初步研制了一种采用过模结构的0.14THz高功率太赫兹脉冲探测器。该探测器由基模波导WR6、过渡波导、过模波导WR10,n型硅探测芯片和偏置恒流源组成。模拟分析了探测器的工作过程,给出了相对灵敏度表达式,结果表明过模探测器能很好地工作在TE10模式。合理设计了探测芯片的结构参数和加工工艺,完成了探测芯片的加工和探测器样机的制作。将探测器样机在0.14THz相对论表面波振荡器的辐射场进行了初步的验证性实验,并与二极管检波器的测量结果进行了对比分析。结果表明:过模探测器样机的响应时间在ps量级,相对灵敏度约为0.12kW-1,最大承受功率至少为数十W,可用于0.14THz高功率脉冲的直接探测。
关键词
高功率太赫兹脉冲
过模
探测器
热电子
Keywords
high-power terahertz pulse
overmoded
detector
hot electron
分类号
TN129 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
过模结构0.14THz高功率脉冲探测器研制
王光强
王建国
童长江
王雪锋
李爽
陆希成
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013
4
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