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高功率半导体激光器腔面镀膜对功率影响分析
1
作者 邱忠阳 徐栩 李玉春 《激光杂志》 北大核心 2017年第11期34-37,共4页
针对半导体激光器电磁波的振幅较大,激光器中能量的透射率较高,导致半导体激光器的能量损耗越大,对半导体激光器功率有一定的影响。本文提出腔面镀膜对半导体激光器功率影响分析方法,通过对激光产生过程中粒子转化过程进行优化,降低电... 针对半导体激光器电磁波的振幅较大,激光器中能量的透射率较高,导致半导体激光器的能量损耗越大,对半导体激光器功率有一定的影响。本文提出腔面镀膜对半导体激光器功率影响分析方法,通过对激光产生过程中粒子转化过程进行优化,降低电磁波的振幅,并对腔面未镀膜时半导体激光器的能量反射率和透射率进行计算,从而确定未镀膜半导体激光器的输出功率,然后根据激光器的电磁波电场和磁场的强度,确定镀膜后腔面的反射因子和透射因子,减少能量损耗,计算出镀膜后激光器的反射率和透射率,得出镀膜后激光器的功率,以镀膜前后半导体激光器的功率值为依据,实现高功率半导体激光器腔面镀膜对功率影响分析。实验结果表明,所提方法能够对镀膜前后功率变化进行准确分析,为半导体激光器腔面镀膜提供理论依据。 展开更多
关键词 高功率半导体激光器腔面 镀膜 功率影响分析
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高功率1150 nm垂直外腔面发射半导体激光器
2
作者 张志军 陈贺 +8 位作者 张卓 刘志君 张建伟 杜子业 周寅利 张星 陈超 宁永强 王立军 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第9期1531-1538,共8页
针对目前激光医疗、食品药品检测等领域对橙黄色激光的应用需求,开展了高功率基频光1150 nm垂直外腔面发射半导体激光器(VECSEL)研究。提出激光谐振腔内大尺寸基模光斑外腔结构,使VECSEL腔内模式匹配较大泵浦光斑尺寸,实现了高功率激光... 针对目前激光医疗、食品药品检测等领域对橙黄色激光的应用需求,开展了高功率基频光1150 nm垂直外腔面发射半导体激光器(VECSEL)研究。提出激光谐振腔内大尺寸基模光斑外腔结构,使VECSEL腔内模式匹配较大泵浦光斑尺寸,实现了高功率激光输出;提出增益峰-腔模失谐结构,增益峰与腔模温漂系数不同,高泵浦功率下具有良好的增益峰-腔模匹配,实现高泵浦功率工作下的激光波长稳定控制。制备的VECSEL器件在1150 nm激光波长的输出功率达到9.38 W,并获得良好的圆形对称的输出光斑形貌,光斑在正交方向上的发散角分别为7.3°和7.5°。 展开更多
关键词 半导体激光器 垂直外腔面发射半导体激光器 增益芯片 应变量子阱
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高功率半导体激光器阵列质量检测
3
作者 杨丽颖 戴玮 《大众标准化》 2024年第19期111-113,共3页
高功率半导体激光器具有广泛的应用前景,然而,激光器的可靠性制约着其发展和应用。文章将半导体激光器的失效归类为封装工艺的缺陷、导热基板性能的限制、热沉设计存在的问题和腔面退化等不同的失效模式,对引起失效的原因和机理进行分... 高功率半导体激光器具有广泛的应用前景,然而,激光器的可靠性制约着其发展和应用。文章将半导体激光器的失效归类为封装工艺的缺陷、导热基板性能的限制、热沉设计存在的问题和腔面退化等不同的失效模式,对引起失效的原因和机理进行分析和探讨。根据统计结果,可以看出焊接工艺的缺陷、铟焊料的电迁移、散热基板的低导热率和腔面污染等因素产生的局部高温是造成器件失效的主要原因,从而改进封装工艺,提高激光器的可靠性。 展开更多
关键词 半导体激光器失效 散热基板 封装 热沉 腔面退化
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大面积高功率940 nm光子晶体面发射激光器
4
作者 唐英翔 王超 +8 位作者 肖垚 张志成 罗晨 仲崇喜 张燕 赵武 李顺峰 王文鑫 王俊 《发光学报》 北大核心 2025年第4期713-720,共8页
光子晶体面发射激光器(PCSEL)可以利用带边谐振效应实现大面积相干振荡,是一种能实现高亮度单模激射的新型半导体激光器。这使得PCSEL在激光雷达与3D传感等领域具有很好的应用前景。本文设计了一种正方单晶格非对称锥形空气孔结构的PCS... 光子晶体面发射激光器(PCSEL)可以利用带边谐振效应实现大面积相干振荡,是一种能实现高亮度单模激射的新型半导体激光器。这使得PCSEL在激光雷达与3D传感等领域具有很好的应用前景。本文设计了一种正方单晶格非对称锥形空气孔结构的PCSEL,通过增加光子晶体占空比提高基模与高阶模之间的阈值差异,实现大模式面积下高功率单模激光输出。实验表明,研制的940 nm PCSEL在10μs脉冲泵浦下输出功率达到5.1 W,斜率效率达到0.43 W/A,其远场光斑呈现出1°发散角的单瓣分布,并具有80%偏振度的线偏振特性;进一步地,在5 ns脉冲条件下,其输出功率高达35 W。该器件的研发可为激光雷达系统提供良好的光源。 展开更多
关键词 光子晶体面发射半导体激光器 高功率 非对称锥形
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大功率半导体激光器腔面氮钝化的研究 被引量：6
5
作者 何新 崔碧峰 +3 位作者 刘梦涵 李莎 孔真真 黄欣竹 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2016年第7期805-808,共4页
针对980 nm大功率半导体激光器腔面离子铣氮钝化处理工艺进行了研究,发现腔面离子铣氮钝化可以提高激光器的输出特性及COD功率,器件输出功率提高了32.14%;老化实验后,经过氮钝化的半导体激光器没有明显退化,而未经氮钝化处理的激光器退... 针对980 nm大功率半导体激光器腔面离子铣氮钝化处理工艺进行了研究,发现腔面离子铣氮钝化可以提高激光器的输出特性及COD功率,器件输出功率提高了32.14%;老化实验后,经过氮钝化的半导体激光器没有明显退化,而未经氮钝化处理的激光器退化严重;使用俄歇谱测试仪(AES)对钝化处理后的半导体激光器试验片进行测试,发现有部分的氮离子遗留在腔面处;氮元素含量由原有的0%上升到20%,与此同时,氧元素的含量由原来的61%降至30%。结果表明,该技术能够改善半导体激光器的腔面特性,器件的可靠性和使用寿命可望得到提高。 展开更多
关键词 激光器 大功率半导体激光器 腔面钝化 离子铣 灾变性光学损伤(COD)
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大功率半导体激光器腔面抗烧毁技术 被引量：4
6
作者 李永 杨红伟 +2 位作者 陈宏泰 张世祖 彭海涛 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2010年第4期207-212,222,共7页
首先介绍了连续激光器单管老化试验,试验通过测试不同老化时间激光器腔面的烧毁功率,对腔面烧毁发生的过程进行了分析。分析认为,大功率半导体激光器腔面烧毁失效的根本原因是腔面烧毁功率在老化过程中持续减小,最终低于激光器输出功率... 首先介绍了连续激光器单管老化试验,试验通过测试不同老化时间激光器腔面的烧毁功率,对腔面烧毁发生的过程进行了分析。分析认为,大功率半导体激光器腔面烧毁失效的根本原因是腔面烧毁功率在老化过程中持续减小,最终低于激光器输出功率,造成激光器灾变性光学镜面破坏(COMD)。随后对腔面烧毁的微观物理机理进行了介绍,重点讨论了腔面缺陷相关的非辐射复合、量子阱带边吸收、自由载流子吸收造成的腔面温度升高以及腔面高温导致腔面缺陷密度增加并且向腔内攀移的微观过程。最后,介绍了电流非注入腔面、大光腔材料、长腔长设计、腔面离子铣钝化工艺等腔面抗烧毁技术研究情况,并对这些技术提高腔面抗烧毁功率以及改善腔面长期稳定性的效果进行了讨论。 展开更多
关键词 大功率半导体激光器 灾变性光学镜面损伤 非辐射复合 电流非注入腔面 腔面离子铣 大光腔材料
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大功率半导体激光器的腔面钝化 被引量：4
7
作者 彭海涛 家秀云 +4 位作者 张世祖 花吉珍 杨红伟 陈宏泰 安振峰 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2009年第10期591-594,共4页
大功率半导体激光器的腔面退化是影响其寿命和可靠性的重要因素,长期以来一直是人们关注和研究的重点。本文利用离子铣结合腔面钝化还原层的方法对大功率半导体激光器的腔面进行处理。结果显示,离子铣腔面钝化能够在一定程度上减少半导... 大功率半导体激光器的腔面退化是影响其寿命和可靠性的重要因素,长期以来一直是人们关注和研究的重点。本文利用离子铣结合腔面钝化还原层的方法对大功率半导体激光器的腔面进行处理。结果显示,离子铣腔面钝化能够在一定程度上减少半导体激光器的功率退化,168h加速老化后退化幅度降低4.5%;同时该技术对老化过程中COD阈值降低有明显的抑制作用,可有效减少使用中的突然失效。结果表明,该技术能够改善半导体激光器的腔面特性,器件的可靠性和使用寿命可望得到提高。 展开更多
关键词 半导体激光器 可靠性 腔面钝化 离子铣 灾变性光学损伤
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大功率半导体激光器腔面处理方法
8
作者 花吉珍 齐志华 +2 位作者 杨红伟 杜伟华 陈国鹰 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2009年第1期16-22,共7页
介绍了采用非注入电流腔面和透明窗口减小腔面电流的方法。减小腔面非辐射复合的方法包括采用高真空下解理、镀膜防止腔面氧化;采用真空等离子洗或化学气体腐蚀清除腔面氧杂质沾污。论述了合适的腔面膜系组合和膜系组分有利于减小腔面... 介绍了采用非注入电流腔面和透明窗口减小腔面电流的方法。减小腔面非辐射复合的方法包括采用高真空下解理、镀膜防止腔面氧化;采用真空等离子洗或化学气体腐蚀清除腔面氧杂质沾污。论述了合适的腔面膜系组合和膜系组分有利于减小腔面膜层应力,改善散热能力。指出将抑制腔面电流、防止腔面氧化等方法组合,再加上合理的结构设计和热管理等综合应用,以及将半导体材料-镀膜膜层交界面处于光驻波波谷,可有效提高器件的灾变光学镜面损伤(COMD)阈值。 展开更多
关键词 半导体激光器 灾变光学镜面损伤 可靠性 腔面氧化 非辐射复合
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大功率GaAs基半导体激光器腔面膜一次性制备技术
9
作者 芦鹏 李再金 +1 位作者 曲轶 马晓辉 《长春理工大学学报（自然科学版）》 2014年第6期5-7,共3页
大量研究表明,大功率半导体激光器失效的一个主要表现就是半导体激光器的腔面退化,而空气中的灰尘与腔面氧化变质是其主要诱因。使用了新型的镀膜机真空室内180°自翻转机构制备半导体激光器腔面膜,大大降低半导体激光器腔面在大气... 大量研究表明,大功率半导体激光器失效的一个主要表现就是半导体激光器的腔面退化,而空气中的灰尘与腔面氧化变质是其主要诱因。使用了新型的镀膜机真空室内180°自翻转机构制备半导体激光器腔面膜,大大降低半导体激光器腔面在大气条件下的暴露时间。从过程上直接降低自然氧化物和杂质产生的几率,减少腔面自然氧化物的诱导缺陷和杂质的非辐射复合中心。从大功率半导体激光器腔面膜一次性制备实验的结果表明,该技术制备的半导体激光器外推寿命对比常规实验提高了12.56%,同时还有效的提高了器件的最大输出功率。 展开更多
关键词 大功率半导体激光器 寿命 腔面膜
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垂直腔面发射激光器专利技术布局和研究进展
10
作者 程灿 王治华 +1 位作者 孙曙旭 吴博 《微纳电子技术》 2025年第2期12-21,共10页
垂直腔面发射激光器(VCSEL)具有体积小、调制响应快、光束质量好、效率高、功耗低、易于集成为大面积阵列等诸多优点,广泛应用于光通信、光传感、激光显示、激光照明、激光雷达、消费电子如面部识别等领域,VCSEL技术成为一个备受关注的... 垂直腔面发射激光器(VCSEL)具有体积小、调制响应快、光束质量好、效率高、功耗低、易于集成为大面积阵列等诸多优点,广泛应用于光通信、光传感、激光显示、激光照明、激光雷达、消费电子如面部识别等领域,VCSEL技术成为一个备受关注的新兴技术。基于此,结合中国专利全文数据库(CNTXT)中2000—2022年间申请的涉及VCSEL技术的专利文献,分析了专利申请概况和主要申请人的专利申请布局策略。通过对该领域的专利技术分析,提出了目前VCSEL技术面临着不断提高光功率密度、改善光束质量、降低能耗和成本的挑战,介绍了目前VCSEL主要的技术发展,并对VCSEL未来的市场前景和技术发展方向进行展望,希望为我国VCSEL技术的产业发展和知识产权保护提供一些启示和参考。 展开更多
关键词 激光器 垂直腔面发射激光器(VCSEL) 高功率 光束质量 专利分析
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高功率半导体激光器互连界面可靠性研究 被引量：9
11
作者 彭勃 张普 +3 位作者 陈天奇 赵崟岑 吴的海 刘晖 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2018年第11期101-108,共8页
随着高功率半导体激光器(HPLD)在极端环境中的应用越来越广泛,互连界面的可靠性已成为制约其性能和寿命的关键瓶颈之一。文中利用有限元方法(FEM)对传导冷却(CS)高功率半导体激光器巴条互连界面在-55～125℃热冲击条件下的失效行为和寿... 随着高功率半导体激光器(HPLD)在极端环境中的应用越来越广泛,互连界面的可靠性已成为制约其性能和寿命的关键瓶颈之一。文中利用有限元方法(FEM)对传导冷却(CS)高功率半导体激光器巴条互连界面在-55～125℃热冲击条件下的失效行为和寿命进行了模拟与分析。基于粘塑性Anand本构模型和Darveaux能量积累理论,对比了热冲击后界面层边缘及中心位置铟互连界面的可靠性,发现互连界面边缘的应力最大,达到0.042 5 GPa;相应的边缘位置的寿命最短,只有3 006个周期,即边缘位置为互连界面的"最危险单元"。预测了采用铟、金锡合金和纳米银焊膏封装的半导体激光器巴条的寿命,计算出铟、金锡合金和纳米银焊膏三种不同键合材料在边缘位置的寿命分别为3 006、4 808和4 911次循环,表明纳米银焊膏和金锡合金在热冲击条件下具有更长的寿命,更适合于用于极端环境的高功率半导体激光器封装。 展开更多
关键词 可靠性 高功率半导体激光器 互连界面 寿命 有限元
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高功率高亮度半导体激光器合束进展 被引量：26
12
作者 王立军 彭航宇 +2 位作者 张俊 秦莉 佟存柱 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2017年第4期1-10,共10页
半导体激光器体积小、效率高,但单元输出功率低、光束质量差限制了其应用。介绍了提升半导体激光器功率及光束质量的最新进展,对各种技术途径和实验结果进行了综述报道,并具体介绍了中国科学院长春光学精密机械与物理研究所近年来在高... 半导体激光器体积小、效率高,但单元输出功率低、光束质量差限制了其应用。介绍了提升半导体激光器功率及光束质量的最新进展,对各种技术途径和实验结果进行了综述报道,并具体介绍了中国科学院长春光学精密机械与物理研究所近年来在高亮度半导体激光器芯片及合束方面取得的进展。 展开更多
关键词 半导体激光器 高功率 高亮度 激光合束
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高功率半导体激光器技术发展与研究 被引量：13
13
作者 刘国军 薄报学 +2 位作者 曲轶 辛德胜 姜会林 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2007年第z1期272-274,共3页
高功率半导体激光器及阵列具有可用激光波长丰富、电光转换效率高、调制特性好等许多优点,特别是作为固体激光器和光纤激光器的高效率泵浦源而获得的全固态紧凑型激光器,持续受到极大的关注,得到快速发展。近年来在高功率阵列半导体激... 高功率半导体激光器及阵列具有可用激光波长丰富、电光转换效率高、调制特性好等许多优点,特别是作为固体激光器和光纤激光器的高效率泵浦源而获得的全固态紧凑型激光器,持续受到极大的关注,得到快速发展。近年来在高功率阵列半导体激光器模块化技术、超高效率、高效冷却技术、半导体激光器及阵列的光束质量优化、高效电源驱动技术等方面都取得了长足的进步,促进了其广泛应用。将结合高功率半导体激光国家重点实验室的研究工作,概述近年来国内外半导体激光器技术的研究进展状况和发展趋势。 展开更多
关键词 高功率 半导体激光器 阵列 效率
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基于ZEMAX高功率半导体激光器光纤耦合设计 被引量：11
14
作者 周泽鹏 薄报学 +4 位作者 高欣 王文 许留洋 王云华 周路 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第9期1208-1212,共5页
随着半导体激光器光源在激光加工领域的应用不断拓展,研制高耦合效率的半导体激光器光纤耦合模块变得十分重要。为了进一步提高光纤耦合激光二极管模块的输出功率,本文应用ZEMAX光学设计软件进行仿真模拟,将12只波长为808 nm、输出功率... 随着半导体激光器光源在激光加工领域的应用不断拓展,研制高耦合效率的半导体激光器光纤耦合模块变得十分重要。为了进一步提高光纤耦合激光二极管模块的输出功率,本文应用ZEMAX光学设计软件进行仿真模拟,将12只波长为808 nm、输出功率为10 W的单管半导体激光器通过合束方法高效率耦合进光纤。耦合光纤芯径为150μm、数值孔径为0.22,光纤输出功率为116.2 W,耦合效率为96.8%。 展开更多
关键词 半导体激光器 ZEMAX 高效率 高功率 光纤耦合
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高功率1060nm半导体激光器波导结构优化 被引量：10
15
作者 李特 郝二娟 +3 位作者 李再金 王勇 芦鹏 曲轶 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第3期226-230,共5页
针对高功率1060 nm半导体激光器的外延结构,分析了影响器件功率进一步提高的原因.根据分析,优化了激光器的量子阱结构和波导结构,并理论模拟了波导宽度对模式和输出功率的影响.根据不同模式的光场分布,对量子阱有源区的位置进行了优化,... 针对高功率1060 nm半导体激光器的外延结构,分析了影响器件功率进一步提高的原因.根据分析,优化了激光器的量子阱结构和波导结构,并理论模拟了波导宽度对模式和输出功率的影响.根据不同模式的光场分布,对量子阱有源区的位置进行了优化,并设计了非对称、宽波导结构.对不同模式的限制因子进行了计算,结果表明,优化后的非对称波导结构能够在降低基模的限制因子的同时,增加高阶模式的损耗. 展开更多
关键词 高功率半导体激光器 1060nm 波导宽度 模式
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920nm光抽运垂直外腔面发射半导体激光器结构设计(英文) 被引量：11
16
作者 梁雪梅 吕金锴 +3 位作者 程立文 秦莉 宁永强 王立军 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第1期79-85,共7页
设计并优化了一种用808nm的大功率激光二极管为抽运光源,In0.09Ga0.91As量子阱结构为增益介质的920nm光抽运半导体垂直外腔面发射激光器。运用有限元方法,对激光器的电特性方程和光特性方程求自洽解,计算了器件各种特性参量。分析了单... 设计并优化了一种用808nm的大功率激光二极管为抽运光源,In0.09Ga0.91As量子阱结构为增益介质的920nm光抽运半导体垂直外腔面发射激光器。运用有限元方法,对激光器的电特性方程和光特性方程求自洽解,计算了器件各种特性参量。分析了单个周期内不同阱的个数(1,2和3)、不同阱深、不同垒宽、不同非吸收层组分、不同非吸收层尺寸条件下,器件性能的改变,特别是模式、阈值和光-光转换效率的改变,从而选择一个最佳的结构。 展开更多
关键词 半导体激光器 结构设计 有限元 垂直外腔面发射激光器 光抽运
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高功率高亮度半导体激光器件 被引量：11
17
作者 顾媛媛 彭航宇 +5 位作者 王祥鹏 单肖楠 尹红贺 刘云 宁永强 王立军 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2009年第3期481-484,共4页
由于半导体激光器在光电转换效率、输出功率、使用寿命等方面的优势,广泛应用于军事领域。为提高输出功率,将两束同一波长不同偏振态的激光束耦合以获得更高功率输出,是目前国际研究的热点之一。进行国内连续808nm两半导体激光迭阵耦合... 由于半导体激光器在光电转换效率、输出功率、使用寿命等方面的优势,广泛应用于军事领域。为提高输出功率,将两束同一波长不同偏振态的激光束耦合以获得更高功率输出,是目前国际研究的热点之一。进行国内连续808nm两半导体激光迭阵耦合实验。采用自行设计光学系统对光束进行扩束聚焦,可耦合输出光斑2mm×2mm,总体输出效率大于50%。国内没有对迭阵进行耦合实验的报道。为达到耦合器件的输出效率自行设计耦合选择器的镀膜材料体系,并将此研究应用于光电对抗实验中。 展开更多
关键词 光电对抗 半导体激光器 偏振耦合技术 高功率
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980nm半导体激光器腔面膜钝化新技术 被引量：8
18
作者 李再金 李特 +4 位作者 芦鹏 曲轶 薄报学 刘国军 王立军 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第5期525-528,共4页
研究了不同腔面钝化方法对980 nm渐变折射率波导结构InGaAs/AlGaAs半导体激光器输出激光功率的影响。将980 nm半导体激光器管芯前后腔面不蒸镀钝化膜与蒸镀Si钝化膜和蒸镀ZnSe钝化膜的方法进行了对比。结果表明,蒸镀ZnSe钝化膜比蒸镀Si... 研究了不同腔面钝化方法对980 nm渐变折射率波导结构InGaAs/AlGaAs半导体激光器输出激光功率的影响。将980 nm半导体激光器管芯前后腔面不蒸镀钝化膜与蒸镀Si钝化膜和蒸镀ZnSe钝化膜的方法进行了对比。结果表明,蒸镀ZnSe钝化膜比蒸镀Si钝化膜的半导体激光器输出光功率提高了11%,比不蒸镀钝化膜的半导体激光器输出激光功率提高了42%。不蒸镀钝化膜的半导体激光器的失效电流为4.1 A,蒸镀Si钝化膜的半导体激光器的失效电流为5.1 A,蒸镀ZnSe钝化膜的半导体激光器的失效电流为5.6 A。对半导体激光器失效的原因进行了分析。在半导体激光器前后腔面蒸镀ZnSe钝化膜能有效地提高器件的输出光功率。 展开更多
关键词 半导体激光器 腔面 钝化
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多量子阱垂直腔面发射半导体激光器的速率方程分析 被引量：9
19
作者 潘炜 张晓霞 +2 位作者 罗斌 吕鸿昌 陈建国 《量子电子学报》 CAS CSCD 1999年第4期324-328,337,共6页
依据多量子阱垂直腔面发射半导体激光器（VCSELs）的结构特点，并考虑到腔量子电动力学中自发辐射增强效应，建立了多量子阱VCSELs的速率方程，并给出了其方程的严格解析解．在此基础之上，讨论了VCSELs的稳态特性，并与普通开腔和三维... 依据多量子阱垂直腔面发射半导体激光器（VCSELs）的结构特点，并考虑到腔量子电动力学中自发辐射增强效应，建立了多量子阱VCSELs的速率方程，并给出了其方程的严格解析解．在此基础之上，讨论了VCSELs的稳态特性，并与普通开腔和三维封闭腔中的结果进行了比较．给出了VCSELs中阈值电流密度，光输出和自发辐射与器件结构参数（阱层数，阱宽和势垒厚度）之间的依赖关系．这对于VCSELs的理论研究和优化器件结构将会有所裨益． 展开更多
关键词 垂直腔面发射 半导体激光器 VCSELS 速率方程
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光泵垂直扩展腔面发射半导体激光器的研究进展 被引量：6
20
作者 宗楠 李成明 +2 位作者 陈亚辉 崔大复 许祖彦 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2007年第6期785-789,共5页
近年来,光泵垂直扩展腔面发射半导体激光器由于其光束质量好、可实现大功率输出,受到了广泛的关注。在介绍其基本工作原理的基础上,综述了不同波段光泵垂直扩展腔面发射半导体激光器的研究现状与进展,并分析、讨论了实现高功率光泵垂直... 近年来,光泵垂直扩展腔面发射半导体激光器由于其光束质量好、可实现大功率输出,受到了广泛的关注。在介绍其基本工作原理的基础上,综述了不同波段光泵垂直扩展腔面发射半导体激光器的研究现状与进展,并分析、讨论了实现高功率光泵垂直扩展腔面发射半导体激光器面临的主要问题及解决方案。 展开更多
关键词 光泵浦 垂直扩展腔面发射半导体激光器 高功率 激光显示
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