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透射电子显微术和高分辨X射线衍射技术研究AlN单晶生长习性
被引量：
5
1
作者
李娟
胡小波
+2 位作者
高玉强
王翎
徐现刚
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第5期1117-1120,共4页
采用透射电子显微术和高分辨X射线衍射技术对氮化硼坩埚中自发成核的AlN单晶生长习性进行了研究。结果表明,在低温下,AlN单晶显露面为(0001)面,随着温度的升高,AlN单晶显露面转化为(112-0)面。沟槽结构是高温下得到的AlN单晶共有的显著...
采用透射电子显微术和高分辨X射线衍射技术对氮化硼坩埚中自发成核的AlN单晶生长习性进行了研究。结果表明,在低温下,AlN单晶显露面为(0001)面,随着温度的升高,AlN单晶显露面转化为(112-0)面。沟槽结构是高温下得到的AlN单晶共有的显著特征,其取向沿[0001]方向。
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关键词
透射电子显微术
高分辨x射线衍射仪
AlN单晶
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职称材料
题名
透射电子显微术和高分辨X射线衍射技术研究AlN单晶生长习性
被引量：
5
1
作者
李娟
胡小波
高玉强
王翎
徐现刚
机构
山东大学晶体材料国家重点实验室
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第5期1117-1120,共4页
基金
国家自然科学基金(No.50472068)
教育部"新世纪优秀人才支持计划"资助项目
+1 种基金
国家留学基金委
山东省自然科学基金资助
文摘
采用透射电子显微术和高分辨X射线衍射技术对氮化硼坩埚中自发成核的AlN单晶生长习性进行了研究。结果表明,在低温下,AlN单晶显露面为(0001)面,随着温度的升高,AlN单晶显露面转化为(112-0)面。沟槽结构是高温下得到的AlN单晶共有的显著特征,其取向沿[0001]方向。
关键词
透射电子显微术
高分辨x射线衍射仪
AlN单晶
Keywords
transmission electron microscopy
high resolution
x
-ray diffractometry
AlN crystal
分类号
O782 [理学—晶体学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
透射电子显微术和高分辨X射线衍射技术研究AlN单晶生长习性
李娟
胡小波
高玉强
王翎
徐现刚
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008
5
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