无卷边单分子层WS2纳米片原子结构的高分辨电子显微术研究 被引量：1

1

作者 李云朋 陈友虎 +2 位作者 田天 王元斐 秦禄昌 《电子显微学报》 CAS CSCD 2017年第2期96-102,共7页

本文利用高分辨电子显微术(HRTEM)确定了无卷边的单分子层WS_2纳米片的原子结构像。通过对样品不同区域HRTEM像进行傅里叶变换(FFT)分析,得到了各个区域的WS_2纳米片的晶体取向,确定了WS_2纳米片分子层数分布。根据电子显微像强度与样... 本文利用高分辨电子显微术(HRTEM)确定了无卷边的单分子层WS_2纳米片的原子结构像。通过对样品不同区域HRTEM像进行傅里叶变换(FFT)分析,得到了各个区域的WS_2纳米片的晶体取向,确定了WS_2纳米片分子层数分布。根据电子显微像强度与样品层数的线性关系以及WS_2纳米片的单分子层数分布模型,确定不同区域WS_2纳米片的分子层数。为了进一步定量分析结果的正确性,通过模拟电子显微像在不同碳膜厚度及不同成像条件下WS_2纳米片的HRTEM像,也确定了在像衬度上与实验像很好的匹配。 展开更多

关键词 单层WS2纳米片 高分辨电子显微术 衬度模拟

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像差校正高分辨透射电子显微术及其在表征功能氧化物材料结构及界面中的应用

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作者 米少波 贾春林 《中国材料进展》 CAS CSCD 北大核心 2017年第7期566-574,共9页

简要介绍基于像差校正高分辨透射电子显微镜的负球差成像技术及其在研究功能氧化物材料原子构型中的应用。在亚埃尺度的空间分辨率下,负球差成像技术不但可以获得高衬度的原子尺度结构像,而且可以在皮米精度测量材料中的原子的相对位移... 简要介绍基于像差校正高分辨透射电子显微镜的负球差成像技术及其在研究功能氧化物材料原子构型中的应用。在亚埃尺度的空间分辨率下,负球差成像技术不但可以获得高衬度的原子尺度结构像,而且可以在皮米精度测量材料中的原子的相对位移,从而精确表征材料结构、晶格缺陷的细微变化及其对材料性能的影响。负球差成像技术为定量解析材料中包含轻原子(例如,氧)在内的精细结构问题提供了有力的手段。重点介绍了负球差成像技术在表征铁电材料电偶极矩、畴结构及畴壁,氧化物异质界面和三维Mg O晶体表面精细结构中的应用。 展开更多

关键词 界面 显微结构 氧化物 像差校正高分辨透射电子显微术 负球差成像术

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CoSi2薄膜与Si(001)界面的高分辨电子显微镜观察

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作者 邢辉 周鸥 +1 位作者 孙坚 黄红伟 《电子显微学报》 CAS CSCD 2008年第1期21-25,共5页

利用高分辨透射电镜研究了经过550℃退火处理的共溅射CoSi2非晶结构薄膜与Si基体的界面。结果表明,550℃退火后薄膜已经发生晶化转变;同时CoSi2薄膜与Si基体发生反应扩散,在界面上生成了形状规则的CoSi2化合物,并与Si基体保持着相同的... 利用高分辨透射电镜研究了经过550℃退火处理的共溅射CoSi2非晶结构薄膜与Si基体的界面。结果表明,550℃退火后薄膜已经发生晶化转变;同时CoSi2薄膜与Si基体发生反应扩散,在界面上生成了形状规则的CoSi2化合物,并与Si基体保持着相同的位向关系或孪晶位向关系。结合以上电镜观察,对这些界面化合物的生长机制进行了讨论。 展开更多

关键词 界面 COSI2 高分辨电子显微术

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Au和Fe二十面体的高分辨透射电子显微像模拟与应变分析 被引量：1

4

作者 郑翔 于荣 +2 位作者 谢琳 吴浩 朱静 《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2011年第4期428-434,共7页

像差校正在透射电子显微镜中的实现不仅提高了高分辨透射电镜的分辨率,也使人们得以直接测量材料中的原子构型。二十面体是金属与合金催化剂颗粒所具有的一种典型的结构形式,可看作由二十个四面体组成多重孪晶结构。它们在任何一个方向... 像差校正在透射电子显微镜中的实现不仅提高了高分辨透射电镜的分辨率,也使人们得以直接测量材料中的原子构型。二十面体是金属与合金催化剂颗粒所具有的一种典型的结构形式,可看作由二十个四面体组成多重孪晶结构。它们在任何一个方向的投影都是两个或更多四面体的叠加,这使得它们的高分辨图像的解释变得困难。本研究构建了9种不同条件下的二十面体小颗粒模型,利用多片层法模拟颗粒的高分辨透射电子显微图像。通过对比高分辨电镜模拟像的定量分析结果与相应的结构模型,结果表明要获得精确的定量分析结果,有必要选择合适的分析区域。在特定区域,晶面间距的测量误差约2%～4%;而在其它区域,误差可达8%～10%。 展开更多

关键词 高分辨电子显微术 图像模拟 应变分析 二十面体

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B＿5S＿4规则混层矿物新多型的高分辨电镜研究

5

作者 孟大维 吴秀玲 +1 位作者 杨光明 潘兆橹 《电子显微学报》 CAS CSCD 1995年第1期59-63,共5页

利用高分辨电子显微技术（ＨＲＥＭ）研究了钙稀土氟碳酸盐矿物晶体结构中的混层现象。在Ｂ＿ｍＳ＿ｎ型规则混层矿物中发现了Ｂ＿５Ｓ＿４－３Ｒ和６Ｒ两种新多型，确定了它们的晶体结构类型、晶胞多数等，揭示出Ｂ＿５Ｓ＿４规则混层... 利用高分辨电子显微技术（ＨＲＥＭ）研究了钙稀土氟碳酸盐矿物晶体结构中的混层现象。在Ｂ＿ｍＳ＿ｎ型规则混层矿物中发现了Ｂ＿５Ｓ＿４－３Ｒ和６Ｒ两种新多型，确定了它们的晶体结构类型、晶胞多数等，揭示出Ｂ＿５Ｓ＿４规则混层矿物不同多型体的超微结构特征，讨论了Ｂ＿５Ｓ＿４－６Ｒ多型晶体结构沿Ｃ方向的无序夹层和堆垛层错等晶体缺陷现象。 展开更多

关键词 混层矿物 多型 高分辨电子显微术.

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注氢硅片中片状缺陷的结构特征及其深度分布的高分辨电镜研究

6

作者 肖清华 屠海令 +1 位作者 邵贝羚 王敬 《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2004年第3期242-246,共5页

离子注入氢是改善硅材料性能,特别是实现硅片薄层剥离的重要途径。本文利用高分辨率电镜对注氢硅片的横截面样品进行了研究,观察了片状缺陷的结构特征,分析了片状缺陷尺寸和间距在纵深方向的变化。实验发现,沿着平行于正表面的(111)片... 离子注入氢是改善硅材料性能,特别是实现硅片薄层剥离的重要途径。本文利用高分辨率电镜对注氢硅片的横截面样品进行了研究,观察了片状缺陷的结构特征,分析了片状缺陷尺寸和间距在纵深方向的变化。实验发现,沿着平行于正表面的(111)片状缺陷是注氢硅中的重要缺陷。片状缺陷的实质是四层晶面的应变,造成晶格膨胀约0 084nm。实验还发现片状缺陷的尺寸和间距随深度变化,在损伤带顶部和中间小,而在损伤带底部附近明显增大。 展开更多

关键词 注氢硅片 离子注入 高分辨电子显微术 片状缺陷 缺陷尺寸

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材料界面的电子显微学研究未来新材料发展的关键

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作者 贾豫冬 《中国材料进展》 CAS CSCD 北大核心 2016年第10期742-743,共2页

氧化物界面的高分辨电子显微术 自从诺奖得主HerbertKroemer指出界面在半导体材料中的重要性，界面对半导体器件性能的影响已被深入研究。贾春林教授基于半导体材料界面的研究，发现氧化物材料的界面和畴壁在导电性，铁磁性和光伏性等... 氧化物界面的高分辨电子显微术 自从诺奖得主HerbertKroemer指出界面在半导体材料中的重要性，界面对半导体器件性能的影响已被深入研究。贾春林教授基于半导体材料界面的研究，发现氧化物材料的界面和畴壁在导电性，铁磁性和光伏性等方面显示出与基体材料不同的新性质。这些特性在潜在物理学研究及其在纳米电子学中的潜在应用等方面已经引起了广泛的研究热潮。为了满足器件制造与工业应用的要求， 展开更多

关键词 材料界面 电子显微学 材料发展 高分辨电子显微术 半导体材料 氧化物材料 器件性能 工业应用

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三维TiO2枝晶中二级分枝的取向特征 被引量：4

8

作者 梁超伦 赵文霞 +1 位作者 杨贤锋 吴明娒 《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2011年第2期108-113,共6页

运用微束电子衍射(μ衍射)及高分辨电子显微术(HRTEM),系统研究了TiO2纳米二级枝晶的晶体取向特征。根据μ衍射调整并分析二级枝晶的取向,通过HRTEM像及相应的快速傅立叶变换(FFT)图,对经过取向选择的枝晶进行取向关系表征。本文发现三... 运用微束电子衍射(μ衍射)及高分辨电子显微术(HRTEM),系统研究了TiO2纳米二级枝晶的晶体取向特征。根据μ衍射调整并分析二级枝晶的取向,通过HRTEM像及相应的快速傅立叶变换(FFT)图,对经过取向选择的枝晶进行取向关系表征。本文发现三维TiO2枝晶中相邻的纳米二级次枝之间具有<010>I∥<011>II的取向特点。从取向分析结果推导出相邻的次枝分别在干枝的{101}及{001}晶面上沿<001>方向定向排列生长。基于该结果,讨论了这种定向排列的二级枝晶的生长机制。 展开更多

关键词 三维TiO2枝晶取向 微束电子衍射 高分辨电子显微术

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钛铝合金中的形变诱发γ→DI-α_2相变 被引量：1

9

作者 陈春林 鲁伟 +1 位作者 贺连龙 叶恒强 《电子显微学报》 CAS CSCD 2007年第4期276-287,共12页

本文运用高分辨电子显微术研究了TiAl合金中形变诱发的γ→DI-2α相变(本文中DI-表示形变诱发)。研究表明,无论是高温变形还是室温变形,形变诱发的γ→DI-α2相变都可在孪晶交截等孪晶受阻的区域内发生。尽管变形条件截然不同,但该相变... 本文运用高分辨电子显微术研究了TiAl合金中形变诱发的γ→DI-2α相变(本文中DI-表示形变诱发)。研究表明,无论是高温变形还是室温变形,形变诱发的γ→DI-α2相变都可在孪晶交截等孪晶受阻的区域内发生。尽管变形条件截然不同,但该相变却未表现出任何差异。高分辨观察表明,DI-α2相与γ基体之间仍然具有典型的取向关系:(001)DI-α2//{111}γ,[11 20]DI-α2//<110>γ。相变中,a/6<11 2]Shockley不全位错交替地在{111}γ面上运动使得堆垛顺序由有序的FCT型转变为非平衡的HCP结构,从而实现了结构的变化。X射线EDS成分分析表明,DI-α2相与γ基体的成分完全相同,相变过程中无成分扩散。强烈的应力场是TiAl合金中形变诱发γ→DI-2α相变的主要驱动力,对该相变的发生起主要作用。 展开更多

关键词 钛铝合金 高分辨电子显微术 形变诱发相变 孪晶交截

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Ta_2O_5-TiO_2调制结构和介电性能相关性 被引量：1

10

作者 刘显强 韩晓东 张泽 《电子显微学报》 CAS CSCD 2007年第5期434-440,共7页

本文略述了近来用高分辨电子显微术及其模拟技术,解析Ta2O5和(Ta2O5)1-x(TiO2)x的晶体结构的进展,并揭示了(Ta2O5)1-x(TiO2)x固溶体中由于Ti离子有序占据八面体位置所形成的调制结构和介电性能之间的关联。

关键词 有序结构 高分辨电子显微术 介电性能

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La_(0.7)Ca_(0.3)MnO_3薄膜微观结构的HRTEM表征 被引量：1

11

作者 王明光 祁阳 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第7期888-891,895,共5页

利用透射电子显微镜研究了衬底温度600～800℃条件下采用脉冲激光法在(001)LaAlO3(LAO)衬底上制备的La0.7Ca0.3MnO3(LCMO)薄膜的微观结构。结果表明薄膜由大量柱状晶组成且与LAO衬底形成良好外延关系。LCMO薄膜与LAO衬底的取向关系可以... 利用透射电子显微镜研究了衬底温度600～800℃条件下采用脉冲激光法在(001)LaAlO3(LAO)衬底上制备的La0.7Ca0.3MnO3(LCMO)薄膜的微观结构。结果表明薄膜由大量柱状晶组成且与LAO衬底形成良好外延关系。LCMO薄膜与LAO衬底的取向关系可以描述为:(ⅰ)(100)f∥(001)s、[011]f∥[100]s;(ⅱ)(011)f∥(001)s、[100]f∥[100]s。LCMO显示层状畴结构,即在衬底上初始生长的薄膜为(ⅱ)型畴,在此之上生长的薄膜为(ⅰ)类和(ⅱ)类型畴的混合体。薄膜中可观察到一些反向畴与孪晶等缺陷。薄膜与衬底界面少见错配位错,薄膜以Stranski-Krastanov模式生长。 展开更多

关键词 高分辨电子显微术 取向畴 孪晶

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用于HREM分析的位错结构模型

12

作者 陈一 胡岗 +2 位作者 郑国祥 严学俭 吴晓京 《电子显微学报》 CAS CSCD 2006年第B08期133-134,共2页

关键词 结构模型 HREM 位错 高分辨电子显微术

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电脉冲诱发电阻记忆氧化物多层膜的TEM研究

13

作者 陈清 张月 陈新 《电子显微学报》 CAS CSCD 2005年第4期343-343,共1页

关键词 多层膜结构 记忆特性 电脉冲 电阻 TEM 氧化物 高分辨电子显微术 诱发 YBCO

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透射电镜原子像的数值分析

14

作者 万威 陈江华 《电子显微学报》 CAS CSCD 2006年第B08期3-3,共1页

关键词 原子像 数值分析 透射电镜 高分辨电子显微术 材料结构 图像处理技术 结构信息 HRTEM

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氮空位在纳米GaN颗粒和InGaN AlGaN双异质结中的聚集(英文)

15

作者 张泽 王岩国 李辉 《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2002年第3期253-258,共6页

直流放电等离子法制备纳米GaN颗粒中的氮缺乏可导致空位形成。在电子显微观察的电子辐照条件下 ,这些N 空位将进一步凝聚 ,形成一个a =2 2 0 9nm ,b =3 82 6nm ,c=1 0 3 7nm ,α =β =γ =90°的调制结构。随着电子辐照剂量增加 ... 直流放电等离子法制备纳米GaN颗粒中的氮缺乏可导致空位形成。在电子显微观察的电子辐照条件下 ,这些N 空位将进一步凝聚 ,形成一个a =2 2 0 9nm ,b =3 82 6nm ,c=1 0 3 7nm ,α =β =γ =90°的调制结构。随着电子辐照剂量增加 ,纳米颗粒中心将出现空洞 ,同时使该区的金属镓离子迁移到颗粒的表面。电子显微分析及分子力学理论计算表明 ,这种新的调制结构系空位的有序排列所致。在此基础上 ,进一步研究了InGaN AlGaN的双异质结薄膜结构中直径约为 5 0nm的空洞存在与发光失效的关系 ,讨论了N 展开更多

关键词 氮空位 GaN InGaN/AlGaN 双异质结 聚集 氮化镓 氮铟镓 铝镓氮 纳米颗粒 调制结构 高分辨透射电子显微术 选区电子衍射 分子力学

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外延BiFeO_3薄膜的TEM显微结构表征 被引量：6

16

作者 张腾 于荣 +2 位作者 朱静 詹倩 朱英豪 《电子显微学报》 CAS CSCD 2012年第4期281-285,共5页

外延BiFeO3薄膜中丰富的结构与特殊的性能一直是近年来研究的热点。显微结构的研究不仅可以帮助人们进一步认识BiFeO3的结构信息,还可以帮助人们深入了解BiFeO3结构与性能间的关系,开拓新的应用领域。本文利用球差校正高分辨透射电子显... 外延BiFeO3薄膜中丰富的结构与特殊的性能一直是近年来研究的热点。显微结构的研究不仅可以帮助人们进一步认识BiFeO3的结构信息,还可以帮助人们深入了解BiFeO3结构与性能间的关系,开拓新的应用领域。本文利用球差校正高分辨透射电子显微镜对外延在LaAlO3过渡层/Si基底上的BiFeO3薄膜进行研究。通过原子尺度的定量分析,在应力状态复杂区域观察到类菱方相、应力释放后恢复的菱方相以及拉应力状态下c/a值小于1的类菱方相,并在该区域观察到109°铁电畴,且畴间存在4.4°的畸变夹角。还观察到比较大的c/a比。 展开更多

关键词 多铁性 高分辨电子显微术 铁电畴 菱方相

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AlSb／GaAs异质外延薄膜应变的HRTEM几何相位分析 被引量：2

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作者 贺小庆 温才 +1 位作者 卢朝靖 段晓峰 《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2009年第4期338-342,共5页

用几何相位分析(geometric phase analysis,GPA)方法研究了AlSb/GaAs异质外延薄膜的应变。此方法基于高分辨像的傅里叶变换。通过选择傅里叶变换点分辨率以内的某个强衍射,做反傅里叶变换得到晶格条纹的相对的相位分布,进一步得到应变... 用几何相位分析(geometric phase analysis,GPA)方法研究了AlSb/GaAs异质外延薄膜的应变。此方法基于高分辨像的傅里叶变换。通过选择傅里叶变换点分辨率以内的某个强衍射,做反傅里叶变换得到晶格条纹的相对的相位分布,进一步得到应变分布。Bragg滤波条纹像确认了60°和90°失配位错的存在。分析讨论了位错核心区域应变分布差异的可能机制。 展开更多

关键词 高分辨透射电子显微术 异质结 应变 失配位错

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从宏观到超微观记录分子与原子的“一举一动”--材料界面与控制分论坛侧记

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作者 李同同 吴亭亭 章海霞 《中国材料进展》 CAS CSCD 北大核心 2018年第9期708-709,共2页

材料界面是材料组织的重要组成部分,它对能虽传递和物质输送起着重要作用。随着对半导体材料、纳米材料、生物材料、智能材料、复合材料、陶瓷材料、镁铝合金等材料研究的不断深入,材料界面超微观结构、成分与性能之间关系规律的问题日... 材料界面是材料组织的重要组成部分,它对能虽传递和物质输送起着重要作用。随着对半导体材料、纳米材料、生物材料、智能材料、复合材料、陶瓷材料、镁铝合金等材料研究的不断深入,材料界面超微观结构、成分与性能之间关系规律的问题日益凸显。随着材料科学向纳米结构尺度的发展,材料的宏观性能越来越依赖于原子尺度的超微观结构。因此,材料界面微观结构信息的提取对材料性能研究至关重要。高分辨电子显微术和分析电子显微术作为表征、检测材料超微观结构的里要手段,可以从分子、原子尺度上研究材料界面的超微观结构,从而揭示材料界面结构对性能的影响。 展开更多

关键词 材料界面 微观结构 宏观性能 原子尺度 分子 高分辨电子显微术 论坛 控制

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博士科研成果简介(九)

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《学位与研究生教育》 1987年第6期70-71,共2页

发现平移-孪生畴存在的第一人张锦平 1982年考取我所金属物理专业郭可信的博士研究生,1986年9月获工学博士学位。他的博士学位论文为《Cu₄T₁与Ni₃Nb合金中有序... 发现平移-孪生畴存在的第一人张锦平 1982年考取我所金属物理专业郭可信的博士研究生,1986年9月获工学博士学位。他的博士学位论文为《Cu₄T₁与Ni₃Nb合金中有序相与畴结构的高分辨电子显微术研究》。张锦平应用高分辨显微术超结构象和电子衍射分别研究了“Cu₄Ti金属的相结构”及“Ni₃Nb合金中的畴结构”。研究结果统一了前人在Cu₄Ti晶体结构研究上的分歧,证实了β相的存在。 展开更多

关键词 博士研究生 博士学位论文 电子衍射 高分辨电子显微术 物理专业 高分辨电子显微象 畴结构 平移 相结构 超结构

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