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光电导开关的载流子倍增机理
被引量：
1
1
作者
施卫
梁振宪
+1 位作者
冯军
徐传骧
《高电压技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1996年第3期3-5,共3页
提出一种解释ＧａＡｓＰＣＳＳ中非线性过程的理论模型，其要点是：１）超快激光脉冲在强场下对ＧａＡｓＰＣＳＳ注入电子—空穴对，形成偶极畴；２）偶极畴在电场作用下引入空间电场畸变，建立起发生碰撞电离的势垒区；３）碰撞电离激...
提出一种解释ＧａＡｓＰＣＳＳ中非线性过程的理论模型，其要点是：１）超快激光脉冲在强场下对ＧａＡｓＰＣＳＳ注入电子—空穴对，形成偶极畴；２）偶极畴在电场作用下引入空间电场畸变，建立起发生碰撞电离的势垒区；３）碰撞电离激发引起载流子倍增及电致发光过程，自吸收使得载流子产生的行进速度加快；４）移至电极处的势垒区使器件呈现Ｌｏｃｋ—ｏｎ现象。上述过程的计算结果能很好地解释有关实验现象。
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关键词
光电导开关
高倍增模式
开关
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职称材料
弱光触发下GaAs光电导开关的载流子输运和热失效机制
2
作者
司鑫阳
徐鸣
+2 位作者
王文豪
常家豪
王铖杰
《电工技术学报》
EI
CSCD
北大核心
2024年第7期2153-2160,共8页
弱光触发下高倍增砷化镓光电导开关(GaAs PCSS)内以丝状电流为表现形式的载流子输运机制对其瞬态工作特性和寿命研究有重要意义。该文基于有限元方法构建了GaAs PCSS的物理模型,结合丝状电流的生热机制对1.5μJ弱光触发下开关的瞬态输...
弱光触发下高倍增砷化镓光电导开关(GaAs PCSS)内以丝状电流为表现形式的载流子输运机制对其瞬态工作特性和寿命研究有重要意义。该文基于有限元方法构建了GaAs PCSS的物理模型,结合丝状电流的生热机制对1.5μJ弱光触发下开关的瞬态输出电流和晶格温度进行了仿真分析,考察了偏置电场对GaAs PCSS输出特性的影响。通过不同时刻开关内部的瞬态电场、电子浓度和晶格温度等方面研究了高倍增模式下GaAs PCSS的光生载流子输运过程和损伤机理。结果表明,高密度丝状电流的存在伴随于高场畴的产生和发展。开关内部电场越高,负微分效应引起的载流子聚束现象越明显,相应的电子浓度和晶格温度值也越高;在浓度达1017 cm^(-3)数量级的等离子体通道中,阳极附近电场强度和晶格温度最大值分别为220 kV/cm和821.92 K。
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关键词
GAAS
光电导开关
高倍增模式
丝状电流
输运机制
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职称材料
题名
光电导开关的载流子倍增机理
被引量：
1
1
作者
施卫
梁振宪
冯军
徐传骧
机构
西安交通大学
出处
《高电压技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1996年第3期3-5,共3页
基金
国家自然科学基金
文摘
提出一种解释ＧａＡｓＰＣＳＳ中非线性过程的理论模型，其要点是：１）超快激光脉冲在强场下对ＧａＡｓＰＣＳＳ注入电子—空穴对，形成偶极畴；２）偶极畴在电场作用下引入空间电场畸变，建立起发生碰撞电离的势垒区；３）碰撞电离激发引起载流子倍增及电致发光过程，自吸收使得载流子产生的行进速度加快；４）移至电极处的势垒区使器件呈现Ｌｏｃｋ—ｏｎ现象。上述过程的计算结果能很好地解释有关实验现象。
关键词
光电导开关
高倍增模式
开关
Keywords
PCSS's high gain model pulsed power technology.
分类号
TM564 [电气工程—电器]
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职称材料
题名
弱光触发下GaAs光电导开关的载流子输运和热失效机制
2
作者
司鑫阳
徐鸣
王文豪
常家豪
王铖杰
机构
西安理工大学应用物理系
出处
《电工技术学报》
EI
CSCD
北大核心
2024年第7期2153-2160,共8页
基金
国家自然科学基金项目(52277164,51877177)
陕西高校青年创新团队项目(超快光电器件与材料)
+1 种基金
陕西省科技计划重点项目(2021JZ-48)
陕西省教育厅青年创新团队建设项目(21JP085,21JP088,22JP058)资助。
文摘
弱光触发下高倍增砷化镓光电导开关(GaAs PCSS)内以丝状电流为表现形式的载流子输运机制对其瞬态工作特性和寿命研究有重要意义。该文基于有限元方法构建了GaAs PCSS的物理模型,结合丝状电流的生热机制对1.5μJ弱光触发下开关的瞬态输出电流和晶格温度进行了仿真分析,考察了偏置电场对GaAs PCSS输出特性的影响。通过不同时刻开关内部的瞬态电场、电子浓度和晶格温度等方面研究了高倍增模式下GaAs PCSS的光生载流子输运过程和损伤机理。结果表明,高密度丝状电流的存在伴随于高场畴的产生和发展。开关内部电场越高,负微分效应引起的载流子聚束现象越明显,相应的电子浓度和晶格温度值也越高;在浓度达1017 cm^(-3)数量级的等离子体通道中,阳极附近电场强度和晶格温度最大值分别为220 kV/cm和821.92 K。
关键词
GAAS
光电导开关
高倍增模式
丝状电流
输运机制
Keywords
GaAs photoconductive semiconductor switch
high-gain mode
filamentary current
transport mechanism
分类号
O473 [理学—半导体物理]
TM564 [电气工程—电器]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
光电导开关的载流子倍增机理
施卫
梁振宪
冯军
徐传骧
《高电压技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1996
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
弱光触发下GaAs光电导开关的载流子输运和热失效机制
司鑫阳
徐鸣
王文豪
常家豪
王铖杰
《电工技术学报》
EI
CSCD
北大核心
2024
0
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职称材料
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