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NaCu_3Ti_3Sb_(0.5)Ta_(0.5)O_(12)陶瓷的高介电性质及相关机制的研究
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作者 杨帅 徐攀攀 +4 位作者 王明文 郝文涛 孙礼 曹恩思 张雍家 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第10期1029-1034,共6页
在不同烧结温度下,利用传统的固相反应工艺制备了一系列NaCu_3Ti_3Sb_(0.5)Ta_(0.5)O_(12)陶瓷,系统测试了它们的晶体结构、微观结构、介电性质和复阻抗谱。结果显示,所有的NaCu_3Ti_3Sb_(0.5)Ta_(0.5)O_(12)陶瓷的主相都呈现类钙钛矿结... 在不同烧结温度下,利用传统的固相反应工艺制备了一系列NaCu_3Ti_3Sb_(0.5)Ta_(0.5)O_(12)陶瓷,系统测试了它们的晶体结构、微观结构、介电性质和复阻抗谱。结果显示,所有的NaCu_3Ti_3Sb_(0.5)Ta_(0.5)O_(12)陶瓷的主相都呈现类钙钛矿结构,介电性质随烧结温度变化很大。高于1020℃烧结的陶瓷的室温相对介电常数大于3000,具有高介电性质。复阻抗谱显示,NaCu_3Ti_3Sb_(0.5)Ta_(0.5)O_(12)陶瓷的电学分布不均匀,由绝缘性的晶界和半导性的晶界组成。通过XRD和XPS测试发现,在陶瓷中观察到了CuO第二相和Cu、Ti、Sb、Ta离子的变价。因此,利用内阻挡层电容效应可以解释NaCu_3Ti_3Sb_(0.5)Ta_(0.5)O_(12)陶瓷的高介电性质。 展开更多
关键词 NaCu3Ti3Sb0.5Ta0.5O12 高介电性质 CU O第二相 元素变价 内阻挡层电容效应
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