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28nm HKMG技术中镍硅化物异常生长引发的失效
1
作者
方精训
姜兰
《半导体技术》
CAS
北大核心
2024年第9期838-843,共6页
针对28nm高介电常数金属栅(HKMG)技术研发初期出现的镍硅化物异常导致的失效进行了深入探究。发现第二道镍硅化物激光退火工艺对产品良率有重要影响。对裸晶内失效位置进行透射电子显微镜(TEM)检测,结果表明失效区域均为PMOS器件的SiGe...
针对28nm高介电常数金属栅(HKMG)技术研发初期出现的镍硅化物异常导致的失效进行了深入探究。发现第二道镍硅化物激光退火工艺对产品良率有重要影响。对裸晶内失效位置进行透射电子显微镜(TEM)检测,结果表明失效区域均为PMOS器件的SiGe区域。这意味着在相同的热预算条件下,PMOS的工艺窗口相较于NMOS会更狭窄。结合激光退火工艺特性,在首次扫描过程中,受降温阶段的影响,晶圆特定区域会累积额外热量,使得该区域热预算异常升高,镍硅化物产生异常,导致产品良率损失;当激光退火温度降低40℃,镍硅化物缺陷问题得以成功解决,产品良率也得到明显提升。
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关键词
镍硅化物
良率
激光退火
热预算
高
介电常数
金属栅
(
hkmg
)
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职称材料
高k栅介质的可靠性问题
被引量：
3
2
作者
王楠
汪辉
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第1期6-9,87,共5页
随着集成电路特征尺寸的不断缩短,利用先进的高k/金属栅堆叠来取代传统的SiO2/多晶硅栅结构成为微电子技术发展的必然,确保这些新的栅极堆叠类型具有足够的可靠性是非常重要的。综述了高k栅介质可靠性的研究现状,阐明了瞬态充电效应导...
随着集成电路特征尺寸的不断缩短,利用先进的高k/金属栅堆叠来取代传统的SiO2/多晶硅栅结构成为微电子技术发展的必然,确保这些新的栅极堆叠类型具有足够的可靠性是非常重要的。综述了高k栅介质可靠性的研究现状,阐明了瞬态充电效应导致的阈值电压不可靠问题,对偏压温度不稳定现象(BTI)和高k击穿特性进行了探讨。
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关键词
高
介电常数
电荷捕获
金属栅
偏压温度不稳定性
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职称材料
题名
28nm HKMG技术中镍硅化物异常生长引发的失效
1
作者
方精训
姜兰
机构
上海华力集成电路制造有限公司
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2024年第9期838-843,共6页
文摘
针对28nm高介电常数金属栅(HKMG)技术研发初期出现的镍硅化物异常导致的失效进行了深入探究。发现第二道镍硅化物激光退火工艺对产品良率有重要影响。对裸晶内失效位置进行透射电子显微镜(TEM)检测,结果表明失效区域均为PMOS器件的SiGe区域。这意味着在相同的热预算条件下,PMOS的工艺窗口相较于NMOS会更狭窄。结合激光退火工艺特性,在首次扫描过程中,受降温阶段的影响,晶圆特定区域会累积额外热量,使得该区域热预算异常升高,镍硅化物产生异常,导致产品良率损失;当激光退火温度降低40℃,镍硅化物缺陷问题得以成功解决,产品良率也得到明显提升。
关键词
镍硅化物
良率
激光退火
热预算
高
介电常数
金属栅
(
hkmg
)
Keywords
nickel silicide
yield
laser annealing
thermal budget
high-k metal gate(
hkmg
)
分类号
TN3055 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
高k栅介质的可靠性问题
被引量：
3
2
作者
王楠
汪辉
机构
上海交通大学微电子学院
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第1期6-9,87,共5页
基金
国家自然科学基金资助项目(NSFC60606015)
上海市浦江人才计划资助项目(05PJ14068)
上海交通大学微电子学院科研基金资助项目
文摘
随着集成电路特征尺寸的不断缩短,利用先进的高k/金属栅堆叠来取代传统的SiO2/多晶硅栅结构成为微电子技术发展的必然,确保这些新的栅极堆叠类型具有足够的可靠性是非常重要的。综述了高k栅介质可靠性的研究现状,阐明了瞬态充电效应导致的阈值电压不可靠问题,对偏压温度不稳定现象(BTI)和高k击穿特性进行了探讨。
关键词
高
介电常数
电荷捕获
金属栅
偏压温度不稳定性
Keywords
high-k
charge trapping
metal gate
bias temperature instability
分类号
TN304.1 [电子电信—物理电子学]
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
28nm HKMG技术中镍硅化物异常生长引发的失效
方精训
姜兰
《半导体技术》
CAS
北大核心
2024
0
在线阅读
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职称材料
2
高k栅介质的可靠性问题
王楠
汪辉
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009
3
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职称材料
已选择
0
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引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
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