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作为高介电常数栅介质材料的LaErO_3薄膜热稳定性和电学性质的研究被引量：1: 1; 作者张九如殷江《南京大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2009年第2期147-152,共6页; 采用脉冲激光淀积法在硅衬底上生长了LaErO3薄膜,用X射线衍射仪、X射线电子能谱仪、高分辨透射电子显微镜研究了该薄膜的热学和电学性质.通过电容-电压测量得到了较好的电容-电压曲线,计算得出等效SiO2厚度为1.4nm.通过高分辨电镜可以... 展开更多; 关键词高介电常数栅介质材料脉冲激光淀积薄膜; 在线阅读下载PDF 职称材料

高k栅介质SOI nMOSFET正偏压温度不稳定性的实验研究(英文): 2; 作者李哲吕垠轩 +1 位作者何燕冬张钢刚《北京大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第4期637-641,共5页; 对高k栅介质SOI nMOSFET器件的PBTI退化和恢复进行实验研究,并且与pMOSFET器件的NBTI效应进行比较,分析PBTI效应对阈值电压漂移、线性及饱和漏电流、亚阈摆幅和应力诱导漏电流的影响。结果显示,PBTI的退化和恢复与NBTI效应具有相似的趋... 展开更多; 关键词正偏置温度不稳定性(PBTI) 高介电常数栅介质绝缘衬底上的硅型金属氧化层半导体场效应晶体管(soI MOSFET) 退化应力诱导漏电流(SILC); 在线阅读下载PDF 职称材料

HfO_2栅介质薄膜的结构和介电性质研究被引量：1: 3; 作者程学瑞戚泽明 +3 位作者张国斌李亭亭贺博尹民《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第5期468-472,共5页; 采用脉冲激光沉积方法(PLD)在Si(100)衬底上生长了HfO2栅介质薄膜.利用X射线衍射(XRD)和扩展X射线吸收精细结构(EXAFS)对其结构进行了表征,利用远红外光谱对其声子振动模式和介电性质进行了研究.结果表明,室温下制备薄膜为非晶,衬底温度... 展开更多; 关键词 HFO2薄膜高介电常数栅介质脉冲激光沉积声子; 在线阅读下载PDF 职称材料

新型无碳前体在高k氧化物薄膜化学气相沉积上的应用被引量：2: 4; 作者邵起越袁涛 +4 位作者李爱东董岩方峰蒋建清刘治国《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第4期574-577,共4页; 通过一种简便可行的合成工艺,成功合成了3种具有良好挥发性的无碳前体:无水硝酸钛、硝酸锆和硝酸铪。以这些无水金属硝酸盐为前体,采用化学气相沉积(CVD)工艺成功淀积了具有良好介电性能的3种高介电常数(high-k)氧化物薄膜:TiO2、ZrO2和... 展开更多; 关键词无水硝酸盐化学气相沉积(CVD) 高介电常数(high—k)栅介质; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名作为高介电常数栅介质材料的LaErO_3薄膜热稳定性和电学性质的研究被引量：1: 1; 作者张九如殷江; 机构江苏大学理学院南京大学物理系; 出处《南京大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2009年第2期147-152,共6页; 文摘采用脉冲激光淀积法在硅衬底上生长了LaErO3薄膜,用X射线衍射仪、X射线电子能谱仪、高分辨透射电子显微镜研究了该薄膜的热学和电学性质.通过电容-电压测量得到了较好的电容-电压曲线,计算得出等效SiO2厚度为1.4nm.通过高分辨电镜可以看出即使经过700℃30sN2中快速热退火处理LaErO3薄膜与硅衬底之间的反应层也仅有几个原子层的厚度.X射线电子能谱分析得到非常少量的SiO2在沉积的过程中形成.测量的热学和电学性质表明LaErO3薄膜是高介电常数栅介质材料非常有前途的候选材料.; 关键词高介电常数栅介质材料脉冲激光淀积薄膜; Keywords high-k dielectrics, pulsed laser deposition, film; 分类号 D484.42 [政治法律—国际共产主义运动]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名高k栅介质SOI nMOSFET正偏压温度不稳定性的实验研究(英文): 2; 作者李哲吕垠轩何燕冬张钢刚; 机构北京大学微电子学研究院、教育部微电子器件与电路重点实验室; 出处《北京大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第4期637-641,共5页; 基金国家重点基础研究发展计划(2011CBA00606)资助; 文摘对高k栅介质SOI nMOSFET器件的PBTI退化和恢复进行实验研究,并且与pMOSFET器件的NBTI效应进行比较,分析PBTI效应对阈值电压漂移、线性及饱和漏电流、亚阈摆幅和应力诱导漏电流的影响。结果显示,PBTI的退化和恢复与NBTI效应具有相似的趋势,但是PBTI具有较高的退化速率和较低的恢复比例,这会对器件的寿命预测带来影响。最后给出在PBTI应力条件下,界面陷阱和体陷阱的产生规律及其对器件退化的影响。; 关键词正偏置温度不稳定性(PBTI) 高介电常数栅介质绝缘衬底上的硅型金属氧化层半导体场效应晶体管(soI MOSFET) 退化应力诱导漏电流(SILC); Keywords PBTI high-k gate dielectrics SOI MOSFET degradation SILC; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名HfO_2栅介质薄膜的结构和介电性质研究被引量：1: 3; 作者程学瑞戚泽明张国斌李亭亭贺博尹民; 机构中国科学技术大学物理系中国科学技术大学国家同步辐射实验室中国科学技术大学核科学技术学院; 出处《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第5期468-472,共5页; 基金国家自然科学基金(10974191); 文摘采用脉冲激光沉积方法(PLD)在Si(100)衬底上生长了HfO2栅介质薄膜.利用X射线衍射(XRD)和扩展X射线吸收精细结构(EXAFS)对其结构进行了表征,利用远红外光谱对其声子振动模式和介电性质进行了研究.结果表明,室温下制备薄膜为非晶,衬底温度400℃时已经形成单斜相的HfO2薄膜,1000℃退火后薄膜更趋向于(1-11)晶面取向,且结晶质量改善.薄膜的局域结构研究显示低衬底温度下生长的样品具有更短的Hf-O键长和更高的无序度.薄膜结构和薄膜质量影响其远红外声子模式,使得一些低频红外声子模式消失,造成其介电常数相对体材料有所降低,但由于影响介电常数的主要远红外声子模式依然存在,晶态薄膜仍然能保持一定的介电常数值.; 关键词 HFO2薄膜高介电常数栅介质脉冲激光沉积声子; Keywords HfO2 films high dielectric gate pulsed laser deposition phonon; 分类号 O484 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名新型无碳前体在高k氧化物薄膜化学气相沉积上的应用被引量：2: 4; 作者邵起越袁涛李爱东董岩方峰蒋建清刘治国; 机构东南大学材料科学与工程学院华飞彩色显示系统有限公司南京大学材料科学与工程系; 出处《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第4期574-577,共4页; 基金国家自然科学基金项目资助项目(90101030,60276020); 文摘通过一种简便可行的合成工艺,成功合成了3种具有良好挥发性的无碳前体:无水硝酸钛、硝酸锆和硝酸铪。以这些无水金属硝酸盐为前体,采用化学气相沉积(CVD)工艺成功淀积了具有良好介电性能的3种高介电常数(high-k)氧化物薄膜:TiO2、ZrO2和HfO2薄膜。这类不含碳的金属前体能直接在Si衬底上气相沉积,无需引入氧化气体,且沉积温度较低,可避免低介电常数界面层生成,在化学气相沉积栅介质薄膜方面独具优势。; 关键词无水硝酸盐化学气相沉积(CVD) 高介电常数(high—k)栅介质; Keywords anhydrous nitrate chemical vapor deposition （CVD） high-k gate dielectric; 分类号 TN304 [电子电信—物理电子学] O484.1 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	作为高介电常数栅介质材料的LaErO_3薄膜热稳定性和电学性质的研究	张九如殷江	《南京大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心	2009	1	在线阅读下载PDF 职称材料
2	高k栅介质SOI nMOSFET正偏压温度不稳定性的实验研究(英文)	李哲吕垠轩何燕冬张钢刚	《北京大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心	2014	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	HfO_2栅介质薄膜的结构和介电性质研究	程学瑞戚泽明张国斌李亭亭贺博尹民	《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	2010	1	在线阅读下载PDF 职称材料
4	新型无碳前体在高k氧化物薄膜化学气相沉积上的应用	邵起越袁涛李爱东董岩方峰蒋建清刘治国	《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心	2008	2	在线阅读下载PDF 职称材料