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PEALD HfO_2栅介质薄膜的界面优化及其特性表征
1
作者
徐大伟
程新红
+3 位作者
曹铎
郑理
万文艳
俞跃辉
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第10期755-759,共5页
采用等离子体增强原子层沉积技术在Si衬底上制备了HfO2栅介质薄膜。为了抑制HfO2薄膜与Si衬底间界面层的生长,首先对Si衬底进行了原位的氧等离子体和氨等离子体预处理,高分辨透射电子显微镜被用来表征HfO2薄膜和界面层的厚度及形态。当...
采用等离子体增强原子层沉积技术在Si衬底上制备了HfO2栅介质薄膜。为了抑制HfO2薄膜与Si衬底间界面层的生长,首先对Si衬底进行了原位的氧等离子体和氨等离子体预处理,高分辨透射电子显微镜被用来表征HfO2薄膜和界面层的厚度及形态。当氧等离子体和氨等离子体的功率分别为75 W和150 W时,界面层的生长得到了有效控制,厚度为0.83 nm,X射线光电子能谱分析表明该界面层主要由具有较高介电常数的HfSiON组成。MIS电容被用来研究HfO2薄膜的电学特性,当HfO2薄膜物理厚度为3 nm时,等效栅氧厚度为1.04 nm,电容回滞大小为35.8 mV。漏电特性曲线显示,在距离平带电压为1 V的位置处,漏电流密度仅为0.64!A/cm2。
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关键词
等离子体预处理
等离子体增强原子层沉积（PEALD）
氧化铪
高介电常数材
料
界面优化
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职称材料
题名
PEALD HfO_2栅介质薄膜的界面优化及其特性表征
1
作者
徐大伟
程新红
曹铎
郑理
万文艳
俞跃辉
机构
中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室
中国科学院大学
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第10期755-759,共5页
基金
国家重大研究计划资助的课题(2009ZX02039-006)
国家自然科学基金资助项目(11175229)
文摘
采用等离子体增强原子层沉积技术在Si衬底上制备了HfO2栅介质薄膜。为了抑制HfO2薄膜与Si衬底间界面层的生长,首先对Si衬底进行了原位的氧等离子体和氨等离子体预处理,高分辨透射电子显微镜被用来表征HfO2薄膜和界面层的厚度及形态。当氧等离子体和氨等离子体的功率分别为75 W和150 W时,界面层的生长得到了有效控制,厚度为0.83 nm,X射线光电子能谱分析表明该界面层主要由具有较高介电常数的HfSiON组成。MIS电容被用来研究HfO2薄膜的电学特性,当HfO2薄膜物理厚度为3 nm时,等效栅氧厚度为1.04 nm,电容回滞大小为35.8 mV。漏电特性曲线显示,在距离平带电压为1 V的位置处,漏电流密度仅为0.64!A/cm2。
关键词
等离子体预处理
等离子体增强原子层沉积（PEALD）
氧化铪
高介电常数材
料
界面优化
Keywords
plasma pre-treatment
plasma enhanced atomic layer deposition （PEALD）
Hf02
high k material
interface optimization
分类号
TN304 [电子电信—物理电子学]
TN305.2 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
PEALD HfO_2栅介质薄膜的界面优化及其特性表征
徐大伟
程新红
曹铎
郑理
万文艳
俞跃辉
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2013
0
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