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高亮度InGaAlP DHLED结构设计的研究
被引量：
5
1
作者
文尚胜
范广涵
+1 位作者
廖常俊
刘颂豪
《华南师范大学学报（自然科学版）》
CAS
2000年第2期13-16,共4页
InGaAlP双异质结LED结构设计的目的在于减少器件的光、电、热损耗 本文分析各层成分、层厚度、掺杂浓度以及有关的辅助技术 ,例如厚电流扩展层、电流隔离层、布拉格反射层、金属电镀反射层、透明衬底等对LED性能的影响 。
关键词
INGAALP
高亮度发光二级管
双异质结
LED
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职称材料
题名
高亮度InGaAlP DHLED结构设计的研究
被引量：
5
1
作者
文尚胜
范广涵
廖常俊
刘颂豪
机构
华南师范大学量子电子研究所
华南理工大学应用物理学系广州
出处
《华南师范大学学报（自然科学版）》
CAS
2000年第2期13-16,共4页
基金
广州市科委重大科技攻关项目![(JB0 2 ) 1999- Z- 0 35 - 0 1) ]
文摘
InGaAlP双异质结LED结构设计的目的在于减少器件的光、电、热损耗 本文分析各层成分、层厚度、掺杂浓度以及有关的辅助技术 ,例如厚电流扩展层、电流隔离层、布拉格反射层、金属电镀反射层、透明衬底等对LED性能的影响 。
关键词
INGAALP
高亮度发光二级管
双异质结
LED
Keywords
InGaAlP, HB-LED, double heterojunction.
分类号
TN383 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
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1
高亮度InGaAlP DHLED结构设计的研究
文尚胜
范广涵
廖常俊
刘颂豪
《华南师范大学学报（自然科学版）》
CAS
2000
5
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