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一种新型的BCD工艺栅驱动集成电路 被引量:2
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作者 张为 陈曙光 《北京理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第9期1080-1084,共5页
分析了高压栅极驱动集成电路热耗散产生的原因和隔离技术的特点,研制出一种新型的700VBCD工艺栅驱动集成电路.通过减小LDMOS电流和开启时间降低芯片高速工作时的发热量,配合电路设计调整了BCD工艺,解决了高功耗和地线浮动等制约其发展... 分析了高压栅极驱动集成电路热耗散产生的原因和隔离技术的特点,研制出一种新型的700VBCD工艺栅驱动集成电路.通过减小LDMOS电流和开启时间降低芯片高速工作时的发热量,配合电路设计调整了BCD工艺,解决了高功耗和地线浮动等制约其发展和应用的难题.仿真和测试结果表明,该集成电路工作在1MHz,400V时,总功耗仅为0.4W. 展开更多
关键词 功率集成电路 BCD工艺 驱动集成电路 横向双扩散MOS管
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应用于等离子显示驱动的高压集成电路工艺
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作者 洪慧 韩雁 叶晓伟 《浙江大学学报(工学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第10期1715-1718,共4页
介绍了等离子显示板(PDP)扫描驱动集成电路(IC)的结构和工作原理,提出了一种与2.0μm标准CMOS工艺完全兼容的新型高压BCD工艺.设计了新型场氧作厚栅HV-pMOS器件和薄栅氧HV-nVDMOS器件,开发了一种新型的PDP扫描驱动集成电路.采用此工艺... 介绍了等离子显示板(PDP)扫描驱动集成电路(IC)的结构和工作原理,提出了一种与2.0μm标准CMOS工艺完全兼容的新型高压BCD工艺.设计了新型场氧作厚栅HV-pMOS器件和薄栅氧HV-nVDMOS器件,开发了一种新型的PDP扫描驱动集成电路.采用此工艺可以节省三个光刻版、两次注入(HV-N阱和PDA)和一次氧化工艺,有效地降低工艺复杂度和生产成本.最终流片和测试结果表明,HV-nVDMOS和HV-pMOS管的耐压均超过165 V,达到系统设计要求.当电源电压为90 V、负载为200 pF时,PDP扫描驱动芯片的上升沿和下降沿时间分别为165和30 ns,这充分验证了芯片具有很强的驱动电流能力. 展开更多
关键词 等离子平板显示屏 扫描驱动集成电路 场氧栅 高压驱动电路
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自举高端驱动浮动地负过冲闭锁问题 被引量:5
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作者 王友军 《现代电子技术》 2009年第21期182-185,共4页
高压栅极驱动集成电路的实现中都设计有一定的开关噪声耐量,然而,由于结构上不是完全电隔离的,对噪声自然敏感,用于驱动感性负载时,开关换流期在高端浮动地上产生的过负压会使芯片闭锁,导致芯片高端驱动输出失常,甚至电路毁坏,就过负压... 高压栅极驱动集成电路的实现中都设计有一定的开关噪声耐量,然而,由于结构上不是完全电隔离的,对噪声自然敏感,用于驱动感性负载时,开关换流期在高端浮动地上产生的过负压会使芯片闭锁,导致芯片高端驱动输出失常,甚至电路毁坏,就过负压产生原因、闭锁机理及在驱动集成电路的高端浮动地与桥输出之间加入电阻网络等电路级抑制措施进行了详细分析和介绍。 展开更多
关键词 高压集成电路 功率MOS栅驱动集成电路 电平位移 自举 闭锁
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产品博览
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《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第10期82-83,共2页
IR推出1200V和600V高速栅极驱动集成电路系列;Carmicro推出0.4mm间距芯片级封装的EMI滤波器;Raychem电路保护部推出缓熔表面贴装保险丝;ST率先采用90nm工艺技术生产的128Mb NAND闪存;Spansion公司展示基于90nm MirrorBit^TM技术的... IR推出1200V和600V高速栅极驱动集成电路系列;Carmicro推出0.4mm间距芯片级封装的EMI滤波器;Raychem电路保护部推出缓熔表面贴装保险丝;ST率先采用90nm工艺技术生产的128Mb NAND闪存;Spansion公司展示基于90nm MirrorBit^TM技术的高容量闪存解决方案;DEK晶圆凸起和焊球置放解决方案以更低单位封装成本提供更高产量;瑞萨科技与NTT DoCoMo共同开发的双模移动电话单芯片LSI样品开始出货;IDT购买8块Agilent BIST Assist卡升级Agilent 93;Stackpole新推低损耗小尺寸的功率扼流圈;泰克针对实时频谱分析仪推出RFID测量和分析套件;Sun计划推低端Niagara芯片;安捷伦科技向复旦大学捐赠半导体测试设备进一步巩固战略合作伙伴关。 展开更多
关键词 Spansion公司 AGILENT NAND闪存 实时频谱分析仪 芯片级封装 安捷伦科技 产品 驱动集成电路 EMI滤波器
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Design of small-area and high-efficiency DC-DC converter for 1 T SRAM
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作者 LEE Jae-hyung 金丽妍 +4 位作者 余忆宁 JANG Ji-hye KIM Kwang-il HA Pan-bong KIM Young-hee 《Journal of Central South University》 SCIE EI CAS 2012年第2期417-423,共7页
The direct current-direct current (DC-DC) converter is designed for 1 T static random access memory (SRAM) used in display driver integrated circuits (ICs), which consists of positive word-line voltage (VpwL),... The direct current-direct current (DC-DC) converter is designed for 1 T static random access memory (SRAM) used in display driver integrated circuits (ICs), which consists of positive word-line voltage (VpwL), negative word-line voltage (VinyL) and half-VDD voltage (VHDo) generator. To generate a process voltage temperature (PVT)-insensitive VpWL and VNWL, a set of circuits were proposed to generate reference voltages using bandgap reference current generators for respective voltage level detectors. Also, a VOWL regulator and a VNWL charge pump were proposed for a small-area and low-power design. The proposed VpwL regulator can provide a large driving current with a small area since it regulates an input voltage (VCI) from 2.5 to 3.3 V. The VmvL charge pump can be implemented as a high-efficiency circuit with a small area and low power since it can transfer pumped charges to VNWL node entirely. The DC-DC converter for 1 T SRAM were designed with 0.11 μm mixed signal process and operated well with satisfactory measurement results. 展开更多
关键词 1 T-static random access memory direct current-direct current converter positive word-line voltage negative word-line voltage half- VDb generator
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