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用于调速系统的大功率晶体管驱动保护电路: 1; 作者王丽王克奇莫虹《东北林业大学学报》 CAS CSCD 北大核心 1991年第4期99-102,共4页; 介绍为调速系统而研制的GTR基极驱动电路。讨论了功率晶体管对驱动电路的要求,提出了具有保护作用的新型基极驱动电路,通过实验分析证明,所设计的电路具有保护可靠,功能完善等优点。; 关键词功率晶体管驱动保护电路调速; 在线阅读下载PDF 职称材料

一种适用于MOSFET的自保护驱动电路: 2; 作者王生德翟玉《郑州大学学报（自然科学版）》 CAS 1999年第3期59-61,共3页; 提出一种ＭＯＳＦＥＴ高频载波桥式整流驱动电路．该电路不须悬浮电源，实现高低压隔离，具有频率响应快、线路简单可靠、控制灵活等特点，在故障状态下具有自保护功能．; 关键词电力半导体器件 MOSFET 自保护驱动电路; 在线阅读下载PDF 职称材料

多重化大容量制氢电源的研究被引量：2: 3; 作者刘教民李建文 +2 位作者崔玉龙王震洲孙伟《河北科技大学学报》 CAS 北大核心 2011年第1期26-29,共4页; 针对传统的三相桥式晶闸管相控整流制氢电源的不足,提出新型不控整流桥加三相三重斩波电路的制氢电源主电路拓扑,采用DSP+FPGA设计了数字化整流电源控制器,具有多种故障保护功能、显示功能,开发出了多重化大容量制氢电源装置,仿真与现... 展开更多; 关键词三相三重斩波器 DSP+FPGA控制器制氢电源驱动保护电路; 在线阅读下载PDF 职称材料

四方电气凭研发实力再获两项发明专利: 4; 《制造技术与机床》北大核心 2013年第6期3-4,共2页; 秉承对于产品高品质、高可靠性的一贯追求，近日，由四方电气自主研发的“变频器驱动保护电路”、“一种过压过流硬件保护电路及DC电源供电电路”等两项技术以其技术的领先性和可靠性，; 关键词自主研发发明专利电气驱动保护电路电源供电电路高可靠性过压过流变频器; 在线阅读下载PDF 职称材料

SiC MOSFET关键动态参数测试技术研究及特性分析: 5; 作者杨振宝席善斌 +3 位作者褚昆张欢张魁赵海龙《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第12期1121-1134,共14页; SiC MOSFET开关速度快导致其对测试平台的寄生参数较为敏感,而高电压和大电流的特性也为测试平台设计带来挑战。自主设计和搭建了一套集成化和规范化的大功率双脉冲测试平台,利用叠层母排结构的低杂感集成化设计,减小器件过快的开关速... 展开更多; 关键词 SiC MOSFET 动态参数叠层母排驱动保护电路双脉冲测试平台; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名用于调速系统的大功率晶体管驱动保护电路: 1; 作者王丽王克奇莫虹; 机构东北林业大学黑龙江省农科院摇感分中心; 出处《东北林业大学学报》 CAS CSCD 北大核心 1991年第4期99-102,共4页; 文摘介绍为调速系统而研制的GTR基极驱动电路。讨论了功率晶体管对驱动电路的要求,提出了具有保护作用的新型基极驱动电路,通过实验分析证明,所设计的电路具有保护可靠,功能完善等优点。; 关键词功率晶体管驱动保护电路调速; Keywords Power transistor Transistor-driven circuit; 分类号 TN710.2 [电子电信—电路与系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名一种适用于MOSFET的自保护驱动电路: 2; 作者王生德翟玉; 机构郑州大学电子工程系河南省交通学校; 出处《郑州大学学报（自然科学版）》 CAS 1999年第3期59-61,共3页; 基金河南省教委科技攻关项目; 文摘提出一种ＭＯＳＦＥＴ高频载波桥式整流驱动电路．该电路不须悬浮电源，实现高低压隔离，具有频率响应快、线路简单可靠、控制灵活等特点，在故障状态下具有自保护功能．; 关键词电力半导体器件 MOSFET 自保护驱动电路; Keywords power semiconductor devices driving circuits power MOSFET; 分类号 TN386.1 [电子电信—物理电子学] TM76－39 [电气工程—电力系统及自动化]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名多重化大容量制氢电源的研究被引量：2: 3; 作者刘教民李建文崔玉龙王震洲孙伟; 机构河北科技大学信息科学与工程学院华北电力大学电气与电子工程学院北京化工大学信息科学与技术学院保定供电公司; 出处《河北科技大学学报》 CAS 北大核心 2011年第1期26-29,共4页; 基金河北省自然科学基金资助项目(E2009000714); 文摘针对传统的三相桥式晶闸管相控整流制氢电源的不足,提出新型不控整流桥加三相三重斩波电路的制氢电源主电路拓扑,采用DSP+FPGA设计了数字化整流电源控制器,具有多种故障保护功能、显示功能,开发出了多重化大容量制氢电源装置,仿真与现场运行状态良好。; 关键词三相三重斩波器 DSP+FPGA控制器制氢电源驱动保护电路; Keywords multiplex chopper DSP＋FPGA controller hydrogen preparation power supply driving and proctected circuit; 分类号 TM46 [电气工程—电器]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名四方电气凭研发实力再获两项发明专利: 4; 出处《制造技术与机床》北大核心 2013年第6期3-4,共2页; 文摘秉承对于产品高品质、高可靠性的一贯追求，近日，由四方电气自主研发的“变频器驱动保护电路”、“一种过压过流硬件保护电路及DC电源供电电路”等两项技术以其技术的领先性和可靠性，; 关键词自主研发发明专利电气驱动保护电路电源供电电路高可靠性过压过流变频器; 分类号 TN322.8 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名SiC MOSFET关键动态参数测试技术研究及特性分析: 5; 作者杨振宝席善斌褚昆张欢张魁赵海龙; 机构中国电子科技集团公司第十三研究所河北北芯半导体科技有限公司; 出处《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第12期1121-1134,共14页; 文摘 SiC MOSFET开关速度快导致其对测试平台的寄生参数较为敏感,而高电压和大电流的特性也为测试平台设计带来挑战。自主设计和搭建了一套集成化和规范化的大功率双脉冲测试平台,利用叠层母排结构的低杂感集成化设计,减小器件过快的开关速度对主回路寄生电感的影响;通过驱动过欠压保护电路设计,减小大电流密度的影响,保证器件可靠开通和关断。为验证该测试平台的实用性,选取几种国内外不同厂家的SiC MOSFET进行主要动态参数在不同结温下的测试及分析,全面评估了器件动态特性与温度的关系,研究结果对器件的生产和应用具有一定意义。; 关键词 SiC MOSFET 动态参数叠层母排驱动保护电路双脉冲测试平台; Keywords SiC MOSFET dynamic parameter laminated busbar drive protection circuit dualpulse test platform; 分类号 TN386.1 [电子电信—物理电子学] TN307 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	用于调速系统的大功率晶体管驱动保护电路	王丽王克奇莫虹	《东北林业大学学报》 CAS CSCD 北大核心	1991	0	在线阅读下载PDF 职称材料
2	一种适用于MOSFET的自保护驱动电路	王生德翟玉	《郑州大学学报（自然科学版）》 CAS	1999	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	多重化大容量制氢电源的研究	刘教民李建文崔玉龙王震洲孙伟	《河北科技大学学报》 CAS 北大核心	2011	2	在线阅读下载PDF 职称材料
4	四方电气凭研发实力再获两项发明专利		《制造技术与机床》北大核心	2013	0	在线阅读下载PDF 职称材料
5	SiC MOSFET关键动态参数测试技术研究及特性分析	杨振宝席善斌褚昆张欢张魁赵海龙	《半导体技术》 CAS 北大核心	2024	0	在线阅读下载PDF 职称材料