期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到3篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
铌钨氧化物掺杂改性氧化亚硅提升首次充放电效率的研究
1
作者 张继伟 谢松涛 +4 位作者 谢梦雨 洪灿灿 完颜俊超 陈垒 赵金安 《现代化工》 CAS CSCD 北大核心 2022年第6期167-170,共4页
采用铌钨氧化物(NWO)对SiO进行掺杂改性,并与用五氧化二铌(NO)、钛酸锂(LTO)、钛铌氧化物(TNO)改性的材料进行对比研究,分别记为SiO@NWO、SiO@NO、SiO@LTO、SiO@TNO。利用X射线衍射仪对改性后的材料进行测试。结果表明,SiO的首次放电比... 采用铌钨氧化物(NWO)对SiO进行掺杂改性,并与用五氧化二铌(NO)、钛酸锂(LTO)、钛铌氧化物(TNO)改性的材料进行对比研究,分别记为SiO@NWO、SiO@NO、SiO@LTO、SiO@TNO。利用X射线衍射仪对改性后的材料进行测试。结果表明,SiO的首次放电比容量为1980.6 mA·h/g,充电比容量为891.2 mA·h/g,充放电效率为45.0%;SiO@NWO的首次放电比容量为464.0 mA·h/g,充电比容量为327.1 mA·h/g,充放电效率为70.5%,首次充放电效率显著提升。交流阻抗测试结果表明,SiO@NWO的电荷转移阻抗R_(ct)为113.5Ω,显著小于SiO的213.7Ω,表明材料的导电性能得到提高。 展开更多
关键词 氧化亚硅 铌钨氧化物 首次充放电效率 导电性
在线阅读 下载PDF
锗掺杂改性纳米硅提升首次充放电效率
2
作者 高风仙 徐励娟 +4 位作者 张匀 邢世浩 董朋阁 陈垒 赵金安 《电镀与精饰》 CAS 北大核心 2022年第7期50-54,共5页
纳米硅(Si)具有较高的充放电比容量,被认为是下一代锂离子电池最有前途的负极材料之一。然而,由于初始库仑效率低,严重限制了Si的实际应用。采用锗(Ge)对Si进行掺杂改性,并采用硼(B)和硫化锂(Li_(2)S)作为对比研究,分别记为Si-Ge、Si-B... 纳米硅(Si)具有较高的充放电比容量,被认为是下一代锂离子电池最有前途的负极材料之一。然而,由于初始库仑效率低,严重限制了Si的实际应用。采用锗(Ge)对Si进行掺杂改性,并采用硼(B)和硫化锂(Li_(2)S)作为对比研究,分别记为Si-Ge、Si-B和Si-Li_(2)S。X射线衍射测试表明四种材料均在28°处有一个明显晶体硅的特征衍射峰。Si的首次放电比容量为2640.5 mAh/g,首次充电比容量为437.6 mAh/g,首次充放电效率为16.6%。添加锗改性材料Si-Ge的首次放电比容量为2415.2 mAh/g,首次充电比容量为1191.7 mAh/g,首次充放电效率为49.3%,在首次充放电效率方面有显著提升。经交流阻抗测试表明Si-Ge的电荷转移阻抗R_(ct)为136.7Ω显著小于Si的465.4Ω,表明材料的导电性能提高。 展开更多
关键词 纳米硅 锗掺杂 首次充放电效率 电化学阻抗
在线阅读 下载PDF
负极补锂量及工艺对电池性能的影响
3
作者 阎笑盈 靳卓 +3 位作者 徐晓明 曾涛 陈超 薛有宝 《电池》 CAS 北大核心 2024年第6期831-835,共5页
为解决锂离子电池在负极上形成固体电解质界面(SEI)消耗活性Li^(+),并导致初始库仑效率(ICE)较低和容量衰减的问题,对石墨负极进行锂箔间隔补锂,研究负极补锂量及工艺对电池性能的影响。负极补锂可弥补电池活性锂的损失,与未补锂的电池... 为解决锂离子电池在负极上形成固体电解质界面(SEI)消耗活性Li^(+),并导致初始库仑效率(ICE)较低和容量衰减的问题,对石墨负极进行锂箔间隔补锂,研究负极补锂量及工艺对电池性能的影响。负极补锂可弥补电池活性锂的损失,与未补锂的电池A相比,补锂12.76%的电池B在化成过程中的首次充放电效率提高7.54个百分点,常温下以1.00 C在2.50~3.65 V循环445次的容量保持率提高2.77个百分点;补锂22.34%的电池C首次充放电效率提高9.24个百分点,容量保持率提高4.06个百分点。在预化成后对电池C进行45℃高温静置,更有利于锂源的嵌入和电池性能的发挥。 展开更多
关键词 磷酸铁锂(LiFePO_(4)) 负极预锂化 首次充放电效率 容量保持率
在线阅读 下载PDF
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 下一页 到第 页
关于我们 | 版权声明 | 联系我们 | 帮助中心| 意见反馈
主办单位：上海市教育委员会
技术支持：重庆维普资讯有限公司
渝公网安备 50019002500403号
使用帮助 返回顶部