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掺氮4H-SiC电子输运特性的多粒子蒙特卡罗研究
1
作者
王平
杨燕
+3 位作者
杨银堂
屈汉章
崔占东
付俊兴
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第8期1512-1515,共4页
在最新能带结构计算的基础之上,采用非抛物性能带模型对掺氮4H-SiC电子输运特性进行了多粒子蒙特卡罗(EnsembleMonteCarlo)研究.研究表明,低场下,掺杂浓度较低时,氮杂质不完全电离导致的中性杂质散射对4H-SiC横向电子迁移率影响较小.随...
在最新能带结构计算的基础之上,采用非抛物性能带模型对掺氮4H-SiC电子输运特性进行了多粒子蒙特卡罗(EnsembleMonteCarlo)研究.研究表明,低场下,掺杂浓度较低时,氮杂质不完全电离导致的中性杂质散射对4H-SiC横向电子迁移率影响较小.随着掺杂浓度的增加,中性杂质散射作用增强.掺杂浓度较高时,随着温度的增加,中性杂质散射的影响逐步减弱.4H-SiC电子迁移率较高且各向异性较小,温度为296K时得到的横向电子饱和漂移速度为2.18×107cm/s;阶跃电场强度为1000KV/cm时,横向瞬态速度峰值接近3.3×107cm/s,反应时间仅为百分之几皮秒量级.模拟结果同已有的测试结果较为一致.
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关键词
4H-SIC
蒙特卡罗研究
中性杂质散射
饱和漂移速度
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职称材料
物理所成功研制6英寸碳化硅单晶衬底
被引量：
1
2
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第12期3224-3224,共1页
碳化硅（SiC）单晶是一种宽禁带半导体材料,具有禁带宽度大、临界击穿场强大、热导率高、饱和漂移速度高等诸多特点,被广泛应用于制作高温、高频及大功率电子器件。此外,由于SiC和氮化镓（Ga N）的晶格失配小,SiC单晶是Ga N基LED、肖特...
碳化硅（SiC）单晶是一种宽禁带半导体材料,具有禁带宽度大、临界击穿场强大、热导率高、饱和漂移速度高等诸多特点,被广泛应用于制作高温、高频及大功率电子器件。此外,由于SiC和氮化镓（Ga N）的晶格失配小,SiC单晶是Ga N基LED、肖特基二极管、MOSFET、IGBT、HEMT等器件的理想衬底材料。
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关键词
碳化硅单晶
衬底材料
大功率电子器件
宽禁带半导体材料
SIC单晶
物理
饱和漂移速度
肖特基二极管
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职称材料
题名
掺氮4H-SiC电子输运特性的多粒子蒙特卡罗研究
1
作者
王平
杨燕
杨银堂
屈汉章
崔占东
付俊兴
机构
西安电子科技大学微电子学院
西安邮电学院信控系
中国电子科技集团公司第
出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第8期1512-1515,共4页
基金
教育部重点资助项目(No.02074)
国防科技预研基金(No.51408010601DZ1032)
文摘
在最新能带结构计算的基础之上,采用非抛物性能带模型对掺氮4H-SiC电子输运特性进行了多粒子蒙特卡罗(EnsembleMonteCarlo)研究.研究表明,低场下,掺杂浓度较低时,氮杂质不完全电离导致的中性杂质散射对4H-SiC横向电子迁移率影响较小.随着掺杂浓度的增加,中性杂质散射作用增强.掺杂浓度较高时,随着温度的增加,中性杂质散射的影响逐步减弱.4H-SiC电子迁移率较高且各向异性较小,温度为296K时得到的横向电子饱和漂移速度为2.18×107cm/s;阶跃电场强度为1000KV/cm时,横向瞬态速度峰值接近3.3×107cm/s,反应时间仅为百分之几皮秒量级.模拟结果同已有的测试结果较为一致.
关键词
4H-SIC
蒙特卡罗研究
中性杂质散射
饱和漂移速度
Keywords
4H-SiC
Monte Carlo study
neutral impurity scattering
saturation velocity
分类号
TN304.2 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
物理所成功研制6英寸碳化硅单晶衬底
被引量：
1
2
机构
中国科学院上海技术物理研究所
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第12期3224-3224,共1页
文摘
碳化硅（SiC）单晶是一种宽禁带半导体材料,具有禁带宽度大、临界击穿场强大、热导率高、饱和漂移速度高等诸多特点,被广泛应用于制作高温、高频及大功率电子器件。此外,由于SiC和氮化镓（Ga N）的晶格失配小,SiC单晶是Ga N基LED、肖特基二极管、MOSFET、IGBT、HEMT等器件的理想衬底材料。
关键词
碳化硅单晶
衬底材料
大功率电子器件
宽禁带半导体材料
SIC单晶
物理
饱和漂移速度
肖特基二极管
分类号
TN304.24 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
掺氮4H-SiC电子输运特性的多粒子蒙特卡罗研究
王平
杨燕
杨银堂
屈汉章
崔占东
付俊兴
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
物理所成功研制6英寸碳化硅单晶衬底
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014
1
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