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飞秒激光微构造硅光电二极管的光电响应
1
作者
李媛
冯国进
赵利
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016年第11期20-23,共4页
在一定条件SF6气体氛围中,硅可在飞秒激光辐照区产生μm量级的尖峰结构。针对不同尖峰高度的微构造硅,在不同温度下退火,采用电子蒸发的方法在正反面分别镀上铝电极,制备出了飞秒激光微构造光电二极管,并测试了其光电响应。实验结果表...
在一定条件SF6气体氛围中,硅可在飞秒激光辐照区产生μm量级的尖峰结构。针对不同尖峰高度的微构造硅,在不同温度下退火,采用电子蒸发的方法在正反面分别镀上铝电极,制备出了飞秒激光微构造光电二极管,并测试了其光电响应。实验结果表明:飞秒激光微构造光电二极管的响应随微构造硅光电二极管的尖峰高度和退火温度的不同而不同。尖峰高度为3-4μm的样品在973K温度退火30min后,响应度可达0.55A/W。即使在1100nm波长处,这种新型的硅光电二极管的响应仍可高达0.4A/W。
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关键词
飞秒激光微构造硅
光电二极管
响应度
退火
尖峰高度
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职称材料
题名
飞秒激光微构造硅光电二极管的光电响应
1
作者
李媛
冯国进
赵利
机构
运城学院物理与电子工程系
中国计量科学研究院光学与激光计量科学研究所
复旦大学物理系应用表面物理国家重点实验室
出处
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016年第11期20-23,共4页
文摘
在一定条件SF6气体氛围中,硅可在飞秒激光辐照区产生μm量级的尖峰结构。针对不同尖峰高度的微构造硅,在不同温度下退火,采用电子蒸发的方法在正反面分别镀上铝电极,制备出了飞秒激光微构造光电二极管,并测试了其光电响应。实验结果表明:飞秒激光微构造光电二极管的响应随微构造硅光电二极管的尖峰高度和退火温度的不同而不同。尖峰高度为3-4μm的样品在973K温度退火30min后,响应度可达0.55A/W。即使在1100nm波长处,这种新型的硅光电二极管的响应仍可高达0.4A/W。
关键词
飞秒激光微构造硅
光电二极管
响应度
退火
尖峰高度
Keywords
microstructured silicon by femtosecond-laser
photodiodes
opto-electronic responsivity
annealing
height of spikes
分类号
O472 [理学—半导体物理]
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作者
出处
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1
飞秒激光微构造硅光电二极管的光电响应
李媛
冯国进
赵利
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016
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