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氧化铜陶瓷的高介电性
1
作者
周锋子
李立本
+2 位作者
王会娴
朱卫利
王晓飞
《河南科技大学学报（自然科学版）》
CAS
北大核心
2012年第2期97-100,10,共4页
采用固相反应法制备了氧化铜(CuO)陶瓷,得到不同频率下样品的介电随温度变化关系。通过X射线衍射图谱确定CuO陶瓷为单斜相结构,形成了粒径大约为150 nm的晶粒。假定晶粒为被绝缘晶界隔离的半导体,通过cole-cole图得到静态介电常数和高...
采用固相反应法制备了氧化铜(CuO)陶瓷,得到不同频率下样品的介电随温度变化关系。通过X射线衍射图谱确定CuO陶瓷为单斜相结构,形成了粒径大约为150 nm的晶粒。假定晶粒为被绝缘晶界隔离的半导体,通过cole-cole图得到静态介电常数和高频介电常数,运用Arrhenius关系计算出激活能,进而利用Maxwell-Wagner机制进行理论拟合,与试验结果进行对比分析,表明CuO陶瓷晶粒在低频段、低温区时具有半导体性。
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关键词
CuO陶瓷
半导体
颗粒间界阻挡层模型
激活能
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职称材料
题名
氧化铜陶瓷的高介电性
1
作者
周锋子
李立本
王会娴
朱卫利
王晓飞
机构
河南科技大学物理与工程学院
出处
《河南科技大学学报（自然科学版）》
CAS
北大核心
2012年第2期97-100,10,共4页
基金
国家自然科学基金项目(50972056)
河南科技大学科研创新能力培育基金项目(2010CZ20017)
文摘
采用固相反应法制备了氧化铜(CuO)陶瓷,得到不同频率下样品的介电随温度变化关系。通过X射线衍射图谱确定CuO陶瓷为单斜相结构,形成了粒径大约为150 nm的晶粒。假定晶粒为被绝缘晶界隔离的半导体,通过cole-cole图得到静态介电常数和高频介电常数,运用Arrhenius关系计算出激活能,进而利用Maxwell-Wagner机制进行理论拟合,与试验结果进行对比分析,表明CuO陶瓷晶粒在低频段、低温区时具有半导体性。
关键词
CuO陶瓷
半导体
颗粒间界阻挡层模型
激活能
Keywords
CuO ceramics
Semiconductor
Internal barrier layer capacitance model
Activation energy
分类号
TB333.13 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
氧化铜陶瓷的高介电性
周锋子
李立本
王会娴
朱卫利
王晓飞
《河南科技大学学报（自然科学版）》
CAS
北大核心
2012
0
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