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金属/半导体颗粒膜中的特殊磁电阻效应
1
作者
黄宝歆
王军华
+2 位作者
张林
刘宜华
梅良模
《压电与声光》
CSCD
北大核心
2007年第6期733-735,共3页
用射频溅射法制备了Fe0.35/(In2O3)0.65颗粒膜。通过磁化率的测量得到铁磁-顺磁态的截止温度为50 K。在10 K冻结温度附近,材料由铁磁态转变为颗粒自旋结团态。在金属-半导体相变温度2.2 K附近得到最大为506%的磁电阻效应,与室温自旋相...
用射频溅射法制备了Fe0.35/(In2O3)0.65颗粒膜。通过磁化率的测量得到铁磁-顺磁态的截止温度为50 K。在10 K冻结温度附近,材料由铁磁态转变为颗粒自旋结团态。在金属-半导体相变温度2.2 K附近得到最大为506%的磁电阻效应,与室温自旋相关隧穿磁电阻效应完全不同,这主要源自于载流子与局域磁无序间的相互作用。外加磁场使颗粒自旋结团取向一致,增加了电子在团簇间跳跃时的迁移率,可产生显著的磁电阻效应。
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关键词
颗粒
膜
颗粒自旋结团
磁电阻效应
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职称材料
题名
金属/半导体颗粒膜中的特殊磁电阻效应
1
作者
黄宝歆
王军华
张林
刘宜华
梅良模
机构
潍坊学院物理系
山东大学物理与微电子学院
出处
《压电与声光》
CSCD
北大核心
2007年第6期733-735,共3页
基金
国家自然科学基金资助项目(59571016)
潍坊学院自然科学基金资助项目(2005Z02)
文摘
用射频溅射法制备了Fe0.35/(In2O3)0.65颗粒膜。通过磁化率的测量得到铁磁-顺磁态的截止温度为50 K。在10 K冻结温度附近,材料由铁磁态转变为颗粒自旋结团态。在金属-半导体相变温度2.2 K附近得到最大为506%的磁电阻效应,与室温自旋相关隧穿磁电阻效应完全不同,这主要源自于载流子与局域磁无序间的相互作用。外加磁场使颗粒自旋结团取向一致,增加了电子在团簇间跳跃时的迁移率,可产生显著的磁电阻效应。
关键词
颗粒
膜
颗粒自旋结团
磁电阻效应
Keywords
granular film
particle-spin cluster
magnetoresistance effect
分类号
TB43 [一般工业技术]
O484.4 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
金属/半导体颗粒膜中的特殊磁电阻效应
黄宝歆
王军华
张林
刘宜华
梅良模
《压电与声光》
CSCD
北大核心
2007
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