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B^+和BF_2^+注入预非晶硅所形成浅结的比较
1
作者
张朝明
卢志恒
+2 位作者
张荟星
李素杰
罗晏
《北京师范大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
1989年第1期56-58,共3页
剂量为1×10^(15)cm^(-2)的10keV B^+和45keV BF_2^+分别注入(100)n型预非晶硅中,随后在温度为1000和1100℃,时间为2,5和10s的条件下分别进行快速热退火.使用扩展电阻仪,对B^+和BF_2^+注入所形成浅结的结深及载流子的电激活率进行...
剂量为1×10^(15)cm^(-2)的10keV B^+和45keV BF_2^+分别注入(100)n型预非晶硅中,随后在温度为1000和1100℃,时间为2,5和10s的条件下分别进行快速热退火.使用扩展电阻仪,对B^+和BF_2^+注入所形成浅结的结深及载流子的电激活率进行了测量、对比;通过横断面透射电镜照片,对退火后样品的剩余损伤进行了分析.
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关键词
预非晶硅
离子注入
浅结
B^+
BF2^+
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职称材料
题名
B^+和BF_2^+注入预非晶硅所形成浅结的比较
1
作者
张朝明
卢志恒
张荟星
李素杰
罗晏
机构
北京师范大学低能核物理研究所
出处
《北京师范大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
1989年第1期56-58,共3页
基金
国家自然科学基金
文摘
剂量为1×10^(15)cm^(-2)的10keV B^+和45keV BF_2^+分别注入(100)n型预非晶硅中,随后在温度为1000和1100℃,时间为2,5和10s的条件下分别进行快速热退火.使用扩展电阻仪,对B^+和BF_2^+注入所形成浅结的结深及载流子的电激活率进行了测量、对比;通过横断面透射电镜照片,对退火后样品的剩余损伤进行了分析.
关键词
预非晶硅
离子注入
浅结
B^+
BF2^+
Keywords
shallow junction, ionimplantation, preamorphization.
分类号
TN304.12 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
B^+和BF_2^+注入预非晶硅所形成浅结的比较
张朝明
卢志恒
张荟星
李素杰
罗晏
《北京师范大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
1989
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