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Fz硅气相掺杂(GGD)的计算方法
被引量：
2
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作者
辛荣生
张国平
+1 位作者
林钰
徐恩霞
《郑州大学学报（自然科学版）》
1998年第4期27-30,共4页
根据区熔（Ｆｚ）硅ＧＧＤ法的生长模式，进一步推算出其掺杂浓度的轴向分布及其均匀分布所需的预掺杂时间，所得计算结果与实验值非常接近．
关键词
掺杂
浓度
熔区
预掺杂时间
气相
掺杂
硅
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职称材料
题名
Fz硅气相掺杂(GGD)的计算方法
被引量：
2
1
作者
辛荣生
张国平
林钰
徐恩霞
机构
郑州大学建筑工程学院
河南省教育学院化学系
出处
《郑州大学学报（自然科学版）》
1998年第4期27-30,共4页
文摘
根据区熔（Ｆｚ）硅ＧＧＤ法的生长模式，进一步推算出其掺杂浓度的轴向分布及其均匀分布所需的预掺杂时间，所得计算结果与实验值非常接近．
关键词
掺杂
浓度
熔区
预掺杂时间
气相
掺杂
硅
Keywords
doping concentration
melting zone
preparatory doping time
crystal impurity distribution
分类号
TN304.12 [电子电信—物理电子学]
O474 [理学—半导体物理]
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作者
出处
发文年
被引量
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1
Fz硅气相掺杂(GGD)的计算方法
辛荣生
张国平
林钰
徐恩霞
《郑州大学学报（自然科学版）》
1998
2
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