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数值模拟顶部籽晶溶液生长法制备单晶碳化硅的研究进展被引量：2: 1; 作者隋占仁徐凌波 +4 位作者崔灿王蓉杨德仁皮孝东韩学峰《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2023年第6期1067-1085,共19页; 宽禁带半导体材料碳化硅(SiC)凭借着其高击穿场强、高热导率、耐高温、高化学稳定性和抗辐射等优异性能,在电力电子器件领域尤其是高温、高频、高功率等应用场景下有着巨大潜力。大尺寸、高质量、低成本的单晶SiC的制备是SiC相关半导体... 展开更多; 关键词宽禁带半导体碳化硅顶部籽晶溶液生长法数值模拟有限元晶体生长机器学习; 在线阅读下载PDF 职称材料

顶部热籽晶熔融织构生长法制备的单畴GdBCO块材的超导性能: 2; 作者张嘉颖袁玖玮 +8 位作者张玉凤娄紫微周文礼张晓娟彭麟徐燕徐建明杨瑰婷和泉充《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第15期9-14,共6页; 本工作在空气中成功地制备了直径为32 mm、厚度为13 mm的高性能、大尺寸GdBa_(2)Cu_(3)O_(7-δ)(GdBCO)单畴超导块材。以YBa_(2)Cu_(3)O_(7-δ)(Y123)作为液相源可以有效地避免生长过程中液相源的扩散流失,并有利于GdBCO超导块材的性能... 展开更多; 关键词单畴GdBCO超导块材顶部热籽晶熔融织构生长法捕获磁通密度临界电流密度; 在线阅读下载PDF 职称材料

紫外倍频新晶体K_2Al_2B_2O_7的合成与生长被引量：2: 3; 作者张承乾王继扬 +6 位作者胡小波江怀东李静刘耀岗戚华吴以成陈创天《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第4期325-329,共5页; 本文以高温固相反应合成了K2 Al2 B2 O7(KABO) ;以自发成核的方法探索了KABO晶体生长的助熔剂体系 ,NaF为KABO晶体生长的最适宜助熔剂体系 ,适宜配比为KABO∶NaF =1∶2 ,讨论了籽晶方向对晶体生长的影响 ,[110 ]方向是KABO晶体生长的最... 展开更多; 关键词硼酸铝钾合成晶体生长顶部籽晶生长法紫外倍频 K2Al2B2O7晶体; 在线阅读下载PDF 职称材料

非线性光学晶体K_(3)B_(6)O_(10)Br的生长与光电性能研究: 4; 作者刘青雄王天予 +5 位作者刘孚安吴倩尹延如赫崇君高泽亮夏明军《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2023年第7期1296-1301,共6页; 采用顶部籽晶溶液生长法成功生长出尺寸为42 mm×20 mm×18 mm的高光学质量的紫外非线性光学晶体K_(3)B_(6)O_(10)Br(KBB)。根据其结构对称性要求,将KBB晶体定向加工成不同的器件切型,系统表征其光电性能。对KBB晶体电弹常数进... 展开更多; 关键词紫外非线性光学晶体 K_(3)B_(6)O_(10)Br 顶部籽晶溶液生长法晶体生长电光系数压电性能; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名数值模拟顶部籽晶溶液生长法制备单晶碳化硅的研究进展被引量：2: 1; 作者隋占仁徐凌波崔灿王蓉杨德仁皮孝东韩学峰; 机构浙江理工大学物理系浙江大学杭州国际科创中心浙江大学材料科学与工程学院; 出处《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2023年第6期1067-1085,共19页; 基金国家自然科学基金面上项目(61721005) 国家自然科学基金青年科学基金(52202189) 浙江省“尖兵”“领雁”研发攻关计划(2022C01021,2023C01010)。; 文摘宽禁带半导体材料碳化硅(SiC)凭借着其高击穿场强、高热导率、耐高温、高化学稳定性和抗辐射等优异性能,在电力电子器件领域尤其是高温、高频、高功率等应用场景下有着巨大潜力。大尺寸、高质量、低成本的单晶SiC的制备是SiC相关半导体产品规模化应用的前提。顶部籽晶溶液生长(TSSG)法生长的单晶SiC有着晶体质量高、易扩径、易p型掺杂等优势,有望成为制备单晶SiC的主流方法。但目前由于该方法涉及的生长机理复杂,研究者对其内部机理的理解还不够充分,难以对TSSG生长设备和方法进行有效的改进与优化。利用计算机对TSSG法生长单晶SiC生长过程进行数值模拟被认为是对其内部机理探究的有效途径之一。本文首先回顾了TSSG法生长单晶SiC和相关数值模拟分析的发展历程,介绍了TSSG法生长单晶SiC和数值模拟的基本原理,然后介绍了数值模拟方法计算分析TSSG法生长单晶SiC模型涉及的主要模块、影响单晶生长的主要因素(如马兰戈尼力、浮力、电磁力等),以及对数值模型的优化方法。最后,指出了数值模拟方法计算分析TSSG法生长单晶SiC在未来的重点研究方向。; 关键词宽禁带半导体碳化硅顶部籽晶溶液生长法数值模拟有限元晶体生长机器学习; Keywords wide bandgap semiconductor silicon carbide top-seeded solution growth numerical simulation finite element crystal growth machine learning; 分类号 O471 [理学—半导体物理] O78 [理学—晶体学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名顶部热籽晶熔融织构生长法制备的单畴GdBCO块材的超导性能: 2; 作者张嘉颖袁玖玮张玉凤娄紫微周文礼张晓娟彭麟徐燕徐建明杨瑰婷和泉充; 机构上海电力大学数理学院上海空间电源研究所空间电源技术国家重点实验室日本东京海洋大学应用物理实验室; 出处《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第15期9-14,共6页; 基金国家自然科学基金(11004129) 留学回国人员科研启动基金(SRF for ROCS,SEM) +2 种基金上海电力大学通识教育课程建设项目(20182203)。; 文摘本工作在空气中成功地制备了直径为32 mm、厚度为13 mm的高性能、大尺寸GdBa_(2)Cu_(3)O_(7-δ)(GdBCO)单畴超导块材。以YBa_(2)Cu_(3)O_(7-δ)(Y123)作为液相源可以有效地避免生长过程中液相源的扩散流失,并有利于GdBCO超导块材的性能提升。通过研究该超导块材的超导性能和微观结构发现,整个样品的超导转变温度保持在94 K以上,最大捕获磁场(B_(trap))可以达到0.29 T。在77 K的温度及自场条件下,由于Gd_(2)BaCuO_(5)(Gd211)粒子的富集,在距样品表面较远的边缘位置的B2样品中获得最大临界电流密度,其值可达5.29×10^(4)A/cm^(2)。在离超导块材表面较近的区域,液相源的不足使得该区域的钉扎中心主要由氧缺陷来提供,而氧缺陷形成的磁通钉扎中心在籽晶下方聚集,并且其扩散速率会随着氧缺陷与籽晶间距离的增加而减小,这提高了籽晶下方位置的C1样品的临界电流密度,使之高于边缘位置的B1样品的临界电流密度。而在离超导块材表面稍远的区域,充足的液相源使该区域的钉扎中心主要由Gd211粒子来提供,而籽晶下方位置的C2样品和边缘位置的B2样品的临界电流密度相差不大,这是由于在离块材表面稍远的区域都存在大量的Gd211粒子作为磁通钉扎中心;并且由于Gd^(3+)对Ba^(2+)的替代,两者的临界电流密度在中高场下都有一定的提高,这对超导块材的应用非常重要。; 关键词单畴GdBCO超导块材顶部热籽晶熔融织构生长法捕获磁通密度临界电流密度; Keywords single-domain GdBCO bulk superconductor top-hot-seeded melt-texture growth process trapped magnetic flux density critical current density; 分类号 TG113.25 [金属学及工艺—物理冶金]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名紫外倍频新晶体K_2Al_2B_2O_7的合成与生长被引量：2: 3; 作者张承乾王继扬胡小波江怀东李静刘耀岗戚华吴以成陈创天; 机构山东大学晶体材料国家重点实验室中国科学院北京人工晶体研究与发展中心; 出处《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第4期325-329,共5页; 基金国家重大基础研究计划教育部访问学者计划资助项目; 文摘本文以高温固相反应合成了K2 Al2 B2 O7(KABO) ;以自发成核的方法探索了KABO晶体生长的助熔剂体系 ,NaF为KABO晶体生长的最适宜助熔剂体系 ,适宜配比为KABO∶NaF =1∶2 ,讨论了籽晶方向对晶体生长的影响 ,[110 ]方向是KABO晶体生长的最佳籽晶方向 ;运用顶部籽晶生长技术以NaF为助熔剂成功生长出尺寸达 5 0mm× 2 0mm× 17mm ,重; 关键词硼酸铝钾合成晶体生长顶部籽晶生长法紫外倍频 K2Al2B2O7晶体; Keywords potassium aluminium borate synthesis crystal growth TSGM; 分类号 O78 [理学—晶体学] O782 [理学—晶体学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名非线性光学晶体K_(3)B_(6)O_(10)Br的生长与光电性能研究: 4; 作者刘青雄王天予刘孚安吴倩尹延如赫崇君高泽亮夏明军; 机构中国科学院理化技术研究所人工晶体研究发展中心中国科学院大学未来技术学院山东大学晶体材料国家重点实验室&晶体材料研究院南京航天航空大学航天学院; 出处《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2023年第7期1296-1301,共6页; 基金国家重点研发计划(2021YFB3601502,2021YFB3601403) 中科院稳定支持基础研究领域青年团队计划(YSBR-024)。; 文摘采用顶部籽晶溶液生长法成功生长出尺寸为42 mm×20 mm×18 mm的高光学质量的紫外非线性光学晶体K_(3)B_(6)O_(10)Br(KBB)。根据其结构对称性要求,将KBB晶体定向加工成不同的器件切型,系统表征其光电性能。对KBB晶体电弹常数进行了系统的表征,受微观结构影响,压电常数各向异性较大,最大的压电常数d 33=6.69 pC/N。KBB晶体具有良好的激光频率变换、电光及压电性能,在光电子领域显示出潜在的应用前景。; 关键词紫外非线性光学晶体 K_(3)B_(6)O_(10)Br 顶部籽晶溶液生长法晶体生长电光系数压电性能; Keywords ultraviolet nonlinear optical crystal K_(3)B_(6)O_(10)Br Br top-seeded solution growth method crystal growth electro-optical coefficient piezoelectric property; 分类号 O78 [理学—晶体学] O738 [理学—晶体学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	数值模拟顶部籽晶溶液生长法制备单晶碳化硅的研究进展	隋占仁徐凌波崔灿王蓉杨德仁皮孝东韩学峰	《人工晶体学报》 CAS 北大核心	2023	2	在线阅读下载PDF 职称材料
2	顶部热籽晶熔融织构生长法制备的单畴GdBCO块材的超导性能	张嘉颖袁玖玮张玉凤娄紫微周文礼张晓娟彭麟徐燕徐建明杨瑰婷和泉充	《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心	2022	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	紫外倍频新晶体K_2Al_2B_2O_7的合成与生长	张承乾王继扬胡小波江怀东李静刘耀岗戚华吴以成陈创天	《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2001	2	在线阅读下载PDF 职称材料
4	非线性光学晶体K_(3)B_(6)O_(10)Br的生长与光电性能研究	刘青雄王天予刘孚安吴倩尹延如赫崇君高泽亮夏明军	《人工晶体学报》 CAS 北大核心	2023	0	在线阅读下载PDF 职称材料