检索结果-维普期刊中文期刊服务平台

感应耦合等离子体刻蚀InSb时偏压射频源功率的选取被引量：2: 1; 作者王理文司俊杰张国栋《航空兵器》 2012年第4期62-64,共3页; 以CH4/H2/Ar为刻蚀气体,对带有SiO2掩膜图形的N型InSb晶片进行了感应耦合等离子体(ICP,inductively coupled plasma)刻蚀。研究了不同偏压射频源(RF)功率对InSb的刻蚀速率、刻蚀表面粗糙度以及InSb与SiO2的刻蚀选择比的影响,得到了ICP刻... 展开更多; 关键词感应耦合等离子体反应离子刻蚀刻蚀速率刻蚀选择比偏压射频源功率; 在线阅读下载PDF 职称材料

离子源辅助法制备TiN及等离子体特性研究被引量：1: 2; 作者张茂平陈俊芳 +3 位作者蒙高庆向鹏飞史磊赖秀琼《华南师范大学学报（自然科学版）》 CAS 2006年第3期59-64,共6页; 采用TCP等离子体辅助电子束蒸发沉积技术,在室温条件下的玻璃基片上制备了纳米结构的氮化钛薄膜.运用X衍射技术对该薄膜进行表征.利用朗缪尔静电双探针诊断了蒸发镀膜装置反应室内等离子体密度及分析其分布规律,并分析了气压和功率对等... 展开更多; 关键词氮化钛顶部感应耦合等离子体源朗缪尔双探针电子束蒸发镀膜; 在线阅读下载PDF 职称材料

ICP等离子体源天线设计被引量：6: 3; 作者吴振宇杨银堂汪家友《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第1期37-39,共3页; 感应耦合等离子体技术以其低气压下产生高密度等离子体的能力及良好的可扩展性成为微细加工中的重要的加工技术之一。本文提出了一种新型的三段式线圈的设计方法 ,对激发电场进行了数值计算。结果表明设计的天线能够在径向和方向角方向... 展开更多; 关键词 ICP等离子体源天线设计感应耦合等离子体电场强度; 在线阅读下载PDF 职称材料

应用于超大规模集成电路工艺的高密度等离子体源研究进展被引量：3: 4; 作者王平杨银堂 +1 位作者徐新艳杨桂杰《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2002年第4期274-281,共8页; 本文简要地介绍了等离子体的产生方式以及传统的射频电容耦合等离子体源。对电子回旋共振等离子体(ECR) ,感应耦合等离子体 (ICP) ,螺旋波等离子体 (HWP)等几种新型的高密度等离子体源[1] 的工作原理及结构重点作了分析讨论 ,并从运行... 展开更多; 关键词超大规模集成电路研究进展高密度等离子体源电子回旋共振感应耦合等离子体螺旋波等离子体生产工艺; 在线阅读下载PDF 职称材料

等离子体浸没注入超低能注入掺杂研究: 5; 作者汪明刚刘杰 +2 位作者杨威风李超波夏洋《核聚变与等离子体物理》 CAS CSCD 北大核心 2010年第4期370-373,共4页; 基于感应耦合等离子体(ICP)技术设计了一套用于在硅基片上制作形成超浅结的等离子体浸没注入(PIII)系统。该ICP PIII系统工作腔室为圆柱形,采用射频功率源,注入偏压源为一脉冲直流电压源,系统与Langmiur探针相连。探针诊断结果表明,该... 展开更多; 关键词感应耦合等离子体浸没注入低能注入注入掺杂 ENERGY 离子密度注入深度系统工作掺杂离子浓度二次离子质谱直流电压源射频功率源径向均匀性诊断结果探针离子剂量技术设计硅基片上测试结果圆柱形; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名感应耦合等离子体刻蚀InSb时偏压射频源功率的选取被引量：2: 1; 作者王理文司俊杰张国栋; 机构中国空空导弹研究院; 出处《航空兵器》 2012年第4期62-64,共3页; 文摘以CH4/H2/Ar为刻蚀气体,对带有SiO2掩膜图形的N型InSb晶片进行了感应耦合等离子体(ICP,inductively coupled plasma)刻蚀。研究了不同偏压射频源(RF)功率对InSb的刻蚀速率、刻蚀表面粗糙度以及InSb与SiO2的刻蚀选择比的影响,得到了ICP刻蚀InSb时的一个优选的偏压射频源功率值。结果表明:当偏压射频源功率为150 W,ICP功率为800 W,反应室压力为1.0 Pa,CH4/H2/Ar的体积流量比为3/10/1时,InSb的刻蚀速率可达90 nm/min,刻蚀表面的平均粗糙度(Ra)约为6.1 nm,InSb与SiO2的刻蚀选择比约为6。; 关键词感应耦合等离子体反应离子刻蚀刻蚀速率刻蚀选择比偏压射频源功率; Keywords inductively coupled plasma reactive ion etch etch rate etch selectivity bias RF power; 分类号 TN364 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名离子源辅助法制备TiN及等离子体特性研究被引量：1: 2; 作者张茂平陈俊芳蒙高庆向鹏飞史磊赖秀琼; 机构华南师范大学物理与电信工程学院; 出处《华南师范大学学报（自然科学版）》 CAS 2006年第3期59-64,共6页; 基金国家自然科学基金资助项目(10575039) 广东省自然科学基金重点资助项目(05100534) 高等学校博士学科点专项科研基金资助项目([2004]165); 文摘采用TCP等离子体辅助电子束蒸发沉积技术,在室温条件下的玻璃基片上制备了纳米结构的氮化钛薄膜.运用X衍射技术对该薄膜进行表征.利用朗缪尔静电双探针诊断了蒸发镀膜装置反应室内等离子体密度及分析其分布规律,并分析了气压和功率对等离子体分布的影响.结果表明:离子源源口等离子体密度较大且分布不均匀;反应室内等离子体迅速扩散,密度变小且分布趋于均匀.; 关键词氮化钛顶部感应耦合等离子体源朗缪尔双探针电子束蒸发镀膜; Keywords titanium nitride TCP Langmuir double probe electron beam evaporation deposition; 分类号 O434.14 [机械工程—光学工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名ICP等离子体源天线设计被引量：6: 3; 作者吴振宇杨银堂汪家友; 机构西安电子科技大学微电子研究所; 出处《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第1期37-39,共3页; 文摘感应耦合等离子体技术以其低气压下产生高密度等离子体的能力及良好的可扩展性成为微细加工中的重要的加工技术之一。本文提出了一种新型的三段式线圈的设计方法 ,对激发电场进行了数值计算。结果表明设计的天线能够在径向和方向角方向上产生均匀性良好的电场 ,耦合效率较高。; 关键词 ICP等离子体源天线设计感应耦合等离子体电场强度; Keywords Inductively coupled plassma,Antenna,Optimization design,Electrical strength; 分类号 TN820 [电子电信—信息与通信工程] O53 [理学—等离子体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名应用于超大规模集成电路工艺的高密度等离子体源研究进展被引量：3: 4; 作者王平杨银堂徐新艳杨桂杰; 机构西安电子科技大学微电子所; 出处《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2002年第4期274-281,共8页; 基金国防科技预研基金资助项目 (No .99J8.3 .2 .DZ0 13 7) 教育部"跨世纪优秀人才培养基金"资助项目; 文摘本文简要地介绍了等离子体的产生方式以及传统的射频电容耦合等离子体源。对电子回旋共振等离子体(ECR) ,感应耦合等离子体 (ICP) ,螺旋波等离子体 (HWP)等几种新型的高密度等离子体源[1] 的工作原理及结构重点作了分析讨论 ,并从运行参数上对其进行了比较。; 关键词超大规模集成电路研究进展高密度等离子体源电子回旋共振感应耦合等离子体螺旋波等离子体生产工艺; Keywords High density plasma sources,Electron cyclotron resonance,Inductively coupled plasma,Helicon wave plasma,Plasma induced damages; 分类号 TN405 [电子电信—微电子学与固体电子学] O53 [理学—等离子体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名等离子体浸没注入超低能注入掺杂研究: 5; 作者汪明刚刘杰杨威风李超波夏洋; 机构中国科学院微电子研究所中国科学院微电子器件与集成技术重点实验室; 出处《核聚变与等离子体物理》 CAS CSCD 北大核心 2010年第4期370-373,共4页; 基金国家科技重大专项(2009ZX02037) 国家自然科学基金资助项目(60727003); 文摘基于感应耦合等离子体(ICP)技术设计了一套用于在硅基片上制作形成超浅结的等离子体浸没注入(PIII)系统。该ICP PIII系统工作腔室为圆柱形,采用射频功率源,注入偏压源为一脉冲直流电压源,系统与Langmiur探针相连。探针诊断结果表明,该系统的等离子体离子密度达到1017m-3,离子密度径向均匀性达到3.53%。硼和磷的超低能注入试验的二次离子质谱测试结果表明:掺杂离子注入深度在10nm左右,最浅的注入深度为8.6nm(在注入离子密度为1018cm-3时);注入离子剂量达到了1015cm-2以上;掺杂离子浓度峰值在表面以下;注入陡峭度达到了2.5nm/decade。; 关键词感应耦合等离子体浸没注入低能注入注入掺杂 ENERGY 离子密度注入深度系统工作掺杂离子浓度二次离子质谱直流电压源射频功率源径向均匀性诊断结果探针离子剂量技术设计硅基片上测试结果圆柱形; Keywords Plasma immersion ion implantation Ultra shallow junction(USJ) Inductively coupled plasma; 分类号 O4 [理学—物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	感应耦合等离子体刻蚀InSb时偏压射频源功率的选取	王理文司俊杰张国栋	《航空兵器》	2012	2	在线阅读下载PDF 职称材料
2	离子源辅助法制备TiN及等离子体特性研究	张茂平陈俊芳蒙高庆向鹏飞史磊赖秀琼	《华南师范大学学报（自然科学版）》 CAS	2006	1	在线阅读下载PDF 职称材料
3	ICP等离子体源天线设计	吴振宇杨银堂汪家友	《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2004	6	在线阅读下载PDF 职称材料
4	应用于超大规模集成电路工艺的高密度等离子体源研究进展	王平杨银堂徐新艳杨桂杰	《真空科学与技术》 CSCD 北大核心	2002	3	在线阅读下载PDF 职称材料
5	等离子体浸没注入超低能注入掺杂研究	汪明刚刘杰杨威风李超波夏洋	《核聚变与等离子体物理》 CAS CSCD 北大核心	2010	0	在线阅读下载PDF 职称材料