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高靶材利用率的新型磁控溅射器
被引量:
6
1
作者
黄士勇
曲凤钦
+1 位作者
苗晔
孟兆坤
《真空科学与技术》
CSCD
北大核心
2000年第2期123-125,共3页
在现代大型薄膜连续生产线中 ,其生产效率主要受以下两因数的影响 :溅射器的沉积速率和靶材的使用周期。本实验研制了一种圆筒形靶材绕溅射器中心轴线匀速旋转 ,并且与溅射器之间用螺丝固定连接的新型磁控溅射器。论述了新型溅射器的结...
在现代大型薄膜连续生产线中 ,其生产效率主要受以下两因数的影响 :溅射器的沉积速率和靶材的使用周期。本实验研制了一种圆筒形靶材绕溅射器中心轴线匀速旋转 ,并且与溅射器之间用螺丝固定连接的新型磁控溅射器。论述了新型溅射器的结构与组成 ,并给出实验结果与结论。其具有靶材利用率高、使用周期长、换靶时间短等优点。同时在反应溅射时避免在靶面上的形成介质层 ,提高了溅射过程的稳定性。
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关键词
磁控溅射器
使用周期
薄膜生产
靶材利用率
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职称材料
提高DC平面磁控溅射中靶材利用率的新方法
2
作者
周勇
《压电与声光》
CSCD
北大核心
2005年第6期698-699,共2页
目前已得到广泛应用的DC平面磁控反应性溅射制备ZnO压电薄膜,由于靶面氧化和靶表面氧化物的沉积,导致放电电阻增加和靶表面的弧光放电,严重影响压电薄膜的生长和靶材利用率。该文介绍了一种采用稀硝酸对已被氧化的金属锌靶进行清洗...
目前已得到广泛应用的DC平面磁控反应性溅射制备ZnO压电薄膜,由于靶面氧化和靶表面氧化物的沉积,导致放电电阻增加和靶表面的弧光放电,严重影响压电薄膜的生长和靶材利用率。该文介绍了一种采用稀硝酸对已被氧化的金属锌靶进行清洗的新方法,效果良好,靶材利用率提高3~4倍。
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关键词
金属Zn
靶
ZNO压电薄膜
反应性溅射
靶材利用率
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职称材料
提高平板显示屏镀膜应用中的靶材利用率
3
作者
Jutta
Trube
+2 位作者
HeikoStrunk
ChristophDaube
HelmutFrankenberger
《液晶与显示》
CAS
CSCD
1998年第2期128-131,共4页
平板显示屏的经济生产,不仅要求可靠的工艺技术,而且绝对要求较高的靶利用率。本文介绍了在保持ITO工艺的标准阴极法所获得的膜特性基础上,用移动磁场的方法可以获得>50%的靶利用率。
关键词
靶材利用率
大尺寸基片
平板显示屏
薄膜溅射
镀膜
移动磁场
ITO
靶
全文增补中
基于COMSOL的磁控溅射靶磁场的优化仿真
被引量:
2
4
作者
刘壮
迟晨阳
+1 位作者
郭帆
许晓伟
《数字印刷》
CAS
北大核心
2021年第6期89-96,共8页
磁控溅射靶磁场的优化一直是磁控溅射的关键性问题,靶磁场的优化可有效提高靶材利用率,从而降低工业镀膜成本。本研究利用磁轭的磁化作用,通过磁轭结构形状的设计,使磁轭产生更多的磁极,与磁铁形成更多的环形磁路,增加刻蚀环,提高靶材...
磁控溅射靶磁场的优化一直是磁控溅射的关键性问题,靶磁场的优化可有效提高靶材利用率,从而降低工业镀膜成本。本研究利用磁轭的磁化作用,通过磁轭结构形状的设计,使磁轭产生更多的磁极,与磁铁形成更多的环形磁路,增加刻蚀环,提高靶材利用率。仿真计算结果表明,该设计产生了两组环形磁路,优于普通靶磁场。通过优化磁场参数,得到最佳的靶磁场分布。利用COMSOL实现等离子与磁场耦合计算,得到电子分布与氩离子能量分布,与无磁场和普通靶磁场情况相比,本研究设计的磁控溅射等离子放电过程中的电子密度及氩离子能量均有大幅提高。
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关键词
磁控溅射
靶
磁场
靶材利用率
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职称材料
磁控溅射源中氩辉光放电的等离子体行为及分布特性
5
作者
李平川
张帆
+2 位作者
张正浩
李箫波
唐德礼
《真空科学与技术学报》
CAS
CSCD
北大核心
2024年第6期521-528,共8页
通过三维粒子数值模型对现有磁控溅射源结构中氩辉光放电的等离子体行为和分布特征进行了模拟,从而得到靶材利用率和能量利用率的信息。离子轨迹、离子能量和离子入射角分布的分析结果表明,由于电势的空间分布影响,放电电压从260 V增加...
通过三维粒子数值模型对现有磁控溅射源结构中氩辉光放电的等离子体行为和分布特征进行了模拟,从而得到靶材利用率和能量利用率的信息。离子轨迹、离子能量和离子入射角分布的分析结果表明,由于电势的空间分布影响,放电电压从260 V增加到340 V,使得轰击离子比例从80%降低到67%。由于离子向靶材移动和远离靶材都会得到加速,过高的放电电压不利于提高能量利用率。另一方面,提高放电电压有利于离子以更高的平均动能撞击靶材,有利于提高溅射产额。因此,根据工作压力选择合适的放电电压是提高电源效率的有效途径。通过离子溅射位置分布与靶材实际侵蚀剖面图的对比,验证了仿真模型的可靠性,对磁控溅射源的优化设计具有一定的参考价值。
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关键词
磁控溅射
数值仿真
等离子体行为
靶材利用率
能量
利用率
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职称材料
普威特新一代涂层技术及设备
6
《工具技术》
2018年第4期I0013-I0013,共1页
普威特全新的PDAIII+HiPArc“等离子扩散电弧”+“高能脉冲电弧沉积”技术可形成高精度等离子区,沉积出特别致密细腻膜层。靶材利用率可达70%左右.工艺时间缩短了50%.
关键词
涂层技术
设备
电弧沉积
靶材利用率
等离子区
高能脉冲
离子扩散
高精度
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职称材料
题名
高靶材利用率的新型磁控溅射器
被引量:
6
1
作者
黄士勇
曲凤钦
苗晔
孟兆坤
机构
烟台大学物理系
出处
《真空科学与技术》
CSCD
北大核心
2000年第2期123-125,共3页
文摘
在现代大型薄膜连续生产线中 ,其生产效率主要受以下两因数的影响 :溅射器的沉积速率和靶材的使用周期。本实验研制了一种圆筒形靶材绕溅射器中心轴线匀速旋转 ,并且与溅射器之间用螺丝固定连接的新型磁控溅射器。论述了新型溅射器的结构与组成 ,并给出实验结果与结论。其具有靶材利用率高、使用周期长、换靶时间短等优点。同时在反应溅射时避免在靶面上的形成介质层 ,提高了溅射过程的稳定性。
关键词
磁控溅射器
使用周期
薄膜生产
靶材利用率
Keywords
Magnetron sputtering,Utilization rate,Utilization period
分类号
TB43 [一般工业技术]
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职称材料
题名
提高DC平面磁控溅射中靶材利用率的新方法
2
作者
周勇
机构
四川压电与声光技术研究所
出处
《压电与声光》
CSCD
北大核心
2005年第6期698-699,共2页
文摘
目前已得到广泛应用的DC平面磁控反应性溅射制备ZnO压电薄膜,由于靶面氧化和靶表面氧化物的沉积,导致放电电阻增加和靶表面的弧光放电,严重影响压电薄膜的生长和靶材利用率。该文介绍了一种采用稀硝酸对已被氧化的金属锌靶进行清洗的新方法,效果良好,靶材利用率提高3~4倍。
关键词
金属Zn
靶
ZNO压电薄膜
反应性溅射
靶材利用率
Keywords
metal Zn target
piezoelectric ZnO thin film
reactive sputtering
utilization factor of target
分类号
TN304 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
提高平板显示屏镀膜应用中的靶材利用率
3
作者
Jutta
Trube
HeikoStrunk
ChristophDaube
HelmutFrankenberger
出处
《液晶与显示》
CAS
CSCD
1998年第2期128-131,共4页
文摘
平板显示屏的经济生产,不仅要求可靠的工艺技术,而且绝对要求较高的靶利用率。本文介绍了在保持ITO工艺的标准阴极法所获得的膜特性基础上,用移动磁场的方法可以获得>50%的靶利用率。
关键词
靶材利用率
大尺寸基片
平板显示屏
薄膜溅射
镀膜
移动磁场
ITO
靶
Keywords
sputter target utilization large scale substrate
分类号
TN873.91 [电子电信—信息与通信工程]
TB43 [一般工业技术]
全文增补中
题名
基于COMSOL的磁控溅射靶磁场的优化仿真
被引量:
2
4
作者
刘壮
迟晨阳
郭帆
许晓伟
机构
哈尔滨商业大学轻工学院
出处
《数字印刷》
CAS
北大核心
2021年第6期89-96,共8页
文摘
磁控溅射靶磁场的优化一直是磁控溅射的关键性问题,靶磁场的优化可有效提高靶材利用率,从而降低工业镀膜成本。本研究利用磁轭的磁化作用,通过磁轭结构形状的设计,使磁轭产生更多的磁极,与磁铁形成更多的环形磁路,增加刻蚀环,提高靶材利用率。仿真计算结果表明,该设计产生了两组环形磁路,优于普通靶磁场。通过优化磁场参数,得到最佳的靶磁场分布。利用COMSOL实现等离子与磁场耦合计算,得到电子分布与氩离子能量分布,与无磁场和普通靶磁场情况相比,本研究设计的磁控溅射等离子放电过程中的电子密度及氩离子能量均有大幅提高。
关键词
磁控溅射
靶
磁场
靶材利用率
Keywords
Magnetron sputtering
Target magnetic field
Target utilization rate
分类号
TB383.2 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
磁控溅射源中氩辉光放电的等离子体行为及分布特性
5
作者
李平川
张帆
张正浩
李箫波
唐德礼
机构
核工业西南物理研究院
中核同创(成都)科技有限公司
出处
《真空科学与技术学报》
CAS
CSCD
北大核心
2024年第6期521-528,共8页
基金
国家自然科学基金项目(11775073)
四川省科技厅基础科研项目(2019YJ0296)
西物创新行动计划(202301XWCX003)。
文摘
通过三维粒子数值模型对现有磁控溅射源结构中氩辉光放电的等离子体行为和分布特征进行了模拟,从而得到靶材利用率和能量利用率的信息。离子轨迹、离子能量和离子入射角分布的分析结果表明,由于电势的空间分布影响,放电电压从260 V增加到340 V,使得轰击离子比例从80%降低到67%。由于离子向靶材移动和远离靶材都会得到加速,过高的放电电压不利于提高能量利用率。另一方面,提高放电电压有利于离子以更高的平均动能撞击靶材,有利于提高溅射产额。因此,根据工作压力选择合适的放电电压是提高电源效率的有效途径。通过离子溅射位置分布与靶材实际侵蚀剖面图的对比,验证了仿真模型的可靠性,对磁控溅射源的优化设计具有一定的参考价值。
关键词
磁控溅射
数值仿真
等离子体行为
靶材利用率
能量
利用率
Keywords
Magnetron sputtering
Simulation numerical simulation
Plasma behavior
Target utilization efficiency
Power efficiency
分类号
V19 [航空宇航科学与技术—人机与环境工程]
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职称材料
题名
普威特新一代涂层技术及设备
6
出处
《工具技术》
2018年第4期I0013-I0013,共1页
文摘
普威特全新的PDAIII+HiPArc“等离子扩散电弧”+“高能脉冲电弧沉积”技术可形成高精度等离子区,沉积出特别致密细腻膜层。靶材利用率可达70%左右.工艺时间缩短了50%.
关键词
涂层技术
设备
电弧沉积
靶材利用率
等离子区
高能脉冲
离子扩散
高精度
分类号
TQ153.2 [化学工程—电化学工业]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
高靶材利用率的新型磁控溅射器
黄士勇
曲凤钦
苗晔
孟兆坤
《真空科学与技术》
CSCD
北大核心
2000
6
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职称材料
2
提高DC平面磁控溅射中靶材利用率的新方法
周勇
《压电与声光》
CSCD
北大核心
2005
0
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职称材料
3
提高平板显示屏镀膜应用中的靶材利用率
Jutta
Trube
HeikoStrunk
ChristophDaube
HelmutFrankenberger
《液晶与显示》
CAS
CSCD
1998
0
全文增补中
4
基于COMSOL的磁控溅射靶磁场的优化仿真
刘壮
迟晨阳
郭帆
许晓伟
《数字印刷》
CAS
北大核心
2021
2
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职称材料
5
磁控溅射源中氩辉光放电的等离子体行为及分布特性
李平川
张帆
张正浩
李箫波
唐德礼
《真空科学与技术学报》
CAS
CSCD
北大核心
2024
0
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职称材料
6
普威特新一代涂层技术及设备
《工具技术》
2018
0
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职称材料
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