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用于截头圆锥形溅射靶的高靶利用率磁性装置: 1; 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期76-76,共1页; 关键词截头圆锥形溅射靶靶利用率磁性装置磁控管溅射涂敷系统东京电子株式会社专利; 在线阅读下载PDF 职称材料

高靶材利用率的新型磁控溅射器被引量：6: 2; 作者黄士勇曲凤钦 +1 位作者苗晔孟兆坤《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2000年第2期123-125,共3页; 在现代大型薄膜连续生产线中 ,其生产效率主要受以下两因数的影响 :溅射器的沉积速率和靶材的使用周期。本实验研制了一种圆筒形靶材绕溅射器中心轴线匀速旋转 ,并且与溅射器之间用螺丝固定连接的新型磁控溅射器。论述了新型溅射器的结... 展开更多; 关键词磁控溅射器使用周期薄膜生产靶材利用率; 在线阅读下载PDF 职称材料

提高DC平面磁控溅射中靶材利用率的新方法: 3; 作者周勇《压电与声光》 CSCD 北大核心 2005年第6期698-699,共2页; 目前已得到广泛应用的DC平面磁控反应性溅射制备ZnO压电薄膜，由于靶面氧化和靶表面氧化物的沉积，导致放电电阻增加和靶表面的弧光放电，严重影响压电薄膜的生长和靶材利用率。该文介绍了一种采用稀硝酸对已被氧化的金属锌靶进行清洗... 展开更多; 关键词金属Zn靶 ZNO压电薄膜反应性溅射靶材利用率; 在线阅读下载PDF 职称材料

提高平板显示屏镀膜应用中的靶材利用率: 4; 作者 Jutta Trube +2 位作者 HeikoStrunk ChristophDaube HelmutFrankenberger 《液晶与显示》 CAS CSCD 1998年第2期128-131,共4页; 平板显示屏的经济生产，不仅要求可靠的工艺技术，而且绝对要求较高的靶利用率。本文介绍了在保持ＩＴＯ工艺的标准阴极法所获得的膜特性基础上，用移动磁场的方法可以获得＞５０％的靶利用率。; 关键词靶材利用率大尺寸基片平板显示屏薄膜溅射镀膜移动磁场 ITO靶; 全文增补中

基于COMSOL的磁控溅射靶磁场的优化仿真被引量：2: 5; 作者刘壮迟晨阳 +1 位作者郭帆许晓伟《数字印刷》 CAS 北大核心 2021年第6期89-96,共8页; 磁控溅射靶磁场的优化一直是磁控溅射的关键性问题,靶磁场的优化可有效提高靶材利用率,从而降低工业镀膜成本。本研究利用磁轭的磁化作用,通过磁轭结构形状的设计,使磁轭产生更多的磁极,与磁铁形成更多的环形磁路,增加刻蚀环,提高靶材... 展开更多; 关键词磁控溅射靶磁场靶材利用率; 在线阅读下载PDF 职称材料

磁控溅射源中氩辉光放电的等离子体行为及分布特性: 6; 作者李平川张帆 +2 位作者张正浩李箫波唐德礼《真空科学与技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2024年第6期521-528,共8页; 通过三维粒子数值模型对现有磁控溅射源结构中氩辉光放电的等离子体行为和分布特征进行了模拟,从而得到靶材利用率和能量利用率的信息。离子轨迹、离子能量和离子入射角分布的分析结果表明,由于电势的空间分布影响,放电电压从260 V增加... 展开更多; 关键词磁控溅射数值仿真等离子体行为靶材利用率能量利用率; 在线阅读下载PDF 职称材料

高效率平面磁控溅射器的研制被引量：4: 7; 作者应春沈杰 +2 位作者唐沪军杨锡良章壮健《真空科学与技术》 CSCD 1996年第6期402-408,共7页; 介绍一种新型磁控溅射装置。它采用两块极性相对的环状磁铁的设计方法，通过扩大靶表面的等离子放电区域面积，使传统磁控溅射枪使用中经常受到的两个限制──溅射速率与靶的利用率得到了较大的改善。实验中铜靶在溅射功率密度为11W／c... 展开更多; 关键词磁控溅射器沉积速率靶利用率溅射薄膜; 在线阅读下载PDF 职称材料

普威特新一代涂层技术及设备: 8; 《工具技术》 2018年第4期I0013-I0013,共1页; 普威特全新的PDAIII＋HiPArc“等离子扩散电弧”＋“高能脉冲电弧沉积”技术可形成高精度等离子区，沉积出特别致密细腻膜层。靶材利用率可达70％左右．工艺时间缩短了50％．; 关键词涂层技术设备电弧沉积靶材利用率等离子区高能脉冲离子扩散高精度; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名用于截头圆锥形溅射靶的高靶利用率磁性装置: 1; 出处《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期76-76,共1页; 关键词截头圆锥形溅射靶靶利用率磁性装置磁控管溅射涂敷系统东京电子株式会社专利; 分类号 TG174.44 [金属学及工艺—金属表面处理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名高靶材利用率的新型磁控溅射器被引量：6: 2; 作者黄士勇曲凤钦苗晔孟兆坤; 机构烟台大学物理系; 出处《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2000年第2期123-125,共3页; 文摘在现代大型薄膜连续生产线中 ,其生产效率主要受以下两因数的影响 :溅射器的沉积速率和靶材的使用周期。本实验研制了一种圆筒形靶材绕溅射器中心轴线匀速旋转 ,并且与溅射器之间用螺丝固定连接的新型磁控溅射器。论述了新型溅射器的结构与组成 ,并给出实验结果与结论。其具有靶材利用率高、使用周期长、换靶时间短等优点。同时在反应溅射时避免在靶面上的形成介质层 ,提高了溅射过程的稳定性。; 关键词磁控溅射器使用周期薄膜生产靶材利用率; Keywords Magnetron sputtering,Utilization rate,Utilization period; 分类号 TB43 [一般工业技术]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名提高DC平面磁控溅射中靶材利用率的新方法: 3; 作者周勇; 机构四川压电与声光技术研究所; 出处《压电与声光》 CSCD 北大核心 2005年第6期698-699,共2页; 文摘目前已得到广泛应用的DC平面磁控反应性溅射制备ZnO压电薄膜，由于靶面氧化和靶表面氧化物的沉积，导致放电电阻增加和靶表面的弧光放电，严重影响压电薄膜的生长和靶材利用率。该文介绍了一种采用稀硝酸对已被氧化的金属锌靶进行清洗的新方法，效果良好，靶材利用率提高3～4倍。; 关键词金属Zn靶 ZNO压电薄膜反应性溅射靶材利用率; Keywords metal Zn target piezoelectric ZnO thin film reactive sputtering utilization factor of target; 分类号 TN304 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名提高平板显示屏镀膜应用中的靶材利用率: 4; 作者 Jutta Trube HeikoStrunk ChristophDaube HelmutFrankenberger; 出处《液晶与显示》 CAS CSCD 1998年第2期128-131,共4页; 文摘平板显示屏的经济生产，不仅要求可靠的工艺技术，而且绝对要求较高的靶利用率。本文介绍了在保持ＩＴＯ工艺的标准阴极法所获得的膜特性基础上，用移动磁场的方法可以获得＞５０％的靶利用率。; 关键词靶材利用率大尺寸基片平板显示屏薄膜溅射镀膜移动磁场 ITO靶; Keywords sputter target utilization large scale substrate; 分类号 TN873.91 [电子电信—信息与通信工程] TB43 [一般工业技术]; 全文增补中

题名基于COMSOL的磁控溅射靶磁场的优化仿真被引量：2: 5; 作者刘壮迟晨阳郭帆许晓伟; 机构哈尔滨商业大学轻工学院; 出处《数字印刷》 CAS 北大核心 2021年第6期89-96,共8页; 文摘磁控溅射靶磁场的优化一直是磁控溅射的关键性问题,靶磁场的优化可有效提高靶材利用率,从而降低工业镀膜成本。本研究利用磁轭的磁化作用,通过磁轭结构形状的设计,使磁轭产生更多的磁极,与磁铁形成更多的环形磁路,增加刻蚀环,提高靶材利用率。仿真计算结果表明,该设计产生了两组环形磁路,优于普通靶磁场。通过优化磁场参数,得到最佳的靶磁场分布。利用COMSOL实现等离子与磁场耦合计算,得到电子分布与氩离子能量分布,与无磁场和普通靶磁场情况相比,本研究设计的磁控溅射等离子放电过程中的电子密度及氩离子能量均有大幅提高。; 关键词磁控溅射靶磁场靶材利用率; Keywords Magnetron sputtering Target magnetic field Target utilization rate; 分类号 TB383.2 [一般工业技术—材料科学与工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名磁控溅射源中氩辉光放电的等离子体行为及分布特性: 6; 作者李平川张帆张正浩李箫波唐德礼; 机构核工业西南物理研究院中核同创(成都)科技有限公司; 出处《真空科学与技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2024年第6期521-528,共8页; 基金国家自然科学基金项目(11775073) 四川省科技厅基础科研项目(2019YJ0296) 西物创新行动计划(202301XWCX003)。; 文摘通过三维粒子数值模型对现有磁控溅射源结构中氩辉光放电的等离子体行为和分布特征进行了模拟,从而得到靶材利用率和能量利用率的信息。离子轨迹、离子能量和离子入射角分布的分析结果表明,由于电势的空间分布影响,放电电压从260 V增加到340 V,使得轰击离子比例从80%降低到67%。由于离子向靶材移动和远离靶材都会得到加速,过高的放电电压不利于提高能量利用率。另一方面,提高放电电压有利于离子以更高的平均动能撞击靶材,有利于提高溅射产额。因此,根据工作压力选择合适的放电电压是提高电源效率的有效途径。通过离子溅射位置分布与靶材实际侵蚀剖面图的对比,验证了仿真模型的可靠性,对磁控溅射源的优化设计具有一定的参考价值。; 关键词磁控溅射数值仿真等离子体行为靶材利用率能量利用率; Keywords Magnetron sputtering Simulation numerical simulation Plasma behavior Target utilization efficiency Power efficiency; 分类号 V19 [航空宇航科学与技术—人机与环境工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名高效率平面磁控溅射器的研制被引量：4: 7; 作者应春沈杰唐沪军杨锡良章壮健; 机构复旦大学材料科学系; 出处《真空科学与技术》 CSCD 1996年第6期402-408,共7页; 文摘介绍一种新型磁控溅射装置。它采用两块极性相对的环状磁铁的设计方法，通过扩大靶表面的等离子放电区域面积，使传统磁控溅射枪使用中经常受到的两个限制──溅射速率与靶的利用率得到了较大的改善。实验中铜靶在溅射功率密度为11W／cm^2时溅射速率约为800nm／min，如果继续提高功率则可获得更高的速率。而靶的利用率可达64％左右。另外，在认为出射粒子符合cos^nθ分布的前提下，发现当n＝3．3时，实验数据和理论数据符合得较好。; 关键词磁控溅射器沉积速率靶利用率溅射薄膜; Keywords Magnetron sputtering gun, Deposition rate, Target utilization ratio, Angular distribution; 分类号 TN305.92 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名普威特新一代涂层技术及设备: 8; 出处《工具技术》 2018年第4期I0013-I0013,共1页; 文摘普威特全新的PDAIII＋HiPArc“等离子扩散电弧”＋“高能脉冲电弧沉积”技术可形成高精度等离子区，沉积出特别致密细腻膜层。靶材利用率可达70％左右．工艺时间缩短了50％．; 关键词涂层技术设备电弧沉积靶材利用率等离子区高能脉冲离子扩散高精度; 分类号 TQ153.2 [化学工程—电化学工业]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	用于截头圆锥形溅射靶的高靶利用率磁性装置		《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心	2004	0	在线阅读下载PDF 职称材料
2	高靶材利用率的新型磁控溅射器	黄士勇曲凤钦苗晔孟兆坤	《真空科学与技术》 CSCD 北大核心	2000	6	在线阅读下载PDF 职称材料
3	提高DC平面磁控溅射中靶材利用率的新方法	周勇	《压电与声光》 CSCD 北大核心	2005	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	提高平板显示屏镀膜应用中的靶材利用率	Jutta Trube HeikoStrunk ChristophDaube HelmutFrankenberger	《液晶与显示》 CAS CSCD	1998	0	全文增补中
5	基于COMSOL的磁控溅射靶磁场的优化仿真	刘壮迟晨阳郭帆许晓伟	《数字印刷》 CAS 北大核心	2021	2	在线阅读下载PDF 职称材料
6	磁控溅射源中氩辉光放电的等离子体行为及分布特性	李平川张帆张正浩李箫波唐德礼	《真空科学与技术学报》 CAS CSCD 北大核心	2024	0	在线阅读下载PDF 职称材料
7	高效率平面磁控溅射器的研制	应春沈杰唐沪军杨锡良章壮健	《真空科学与技术》 CSCD	1996	4	在线阅读下载PDF 职称材料
8	普威特新一代涂层技术及设备		《工具技术》	2018	0	在线阅读下载PDF 职称材料